我司金洛鑫電子,力求晶益求精,從而我司所有生產(chǎn)的晶振都必須經(jīng)過30幾道工序才能完成出廠,以下9大項是成品檢測的國際標準.人工培植石英晶體,在經(jīng)過高壓釜人工種植石英晶棒,取出晶棒,首先對晶棒定向,在對晶棒切割,在把切割下來的晶片定向,在對石英晶片的厚度分選,對晶片的粗磨,在對晶片的中磨,在精細磨,對晶片改園,切割磨邊,滾筒道邊,對晶片腐蝕,在對晶片頻率分選,早期晶片頻率分選都是靠人工,現(xiàn)在都是投入機器自動分選了,經(jīng)過這么多道復雜的工序,這樣晶片的制作算是全部完成了.
產(chǎn)品廣泛用于移動通訊機,數(shù)字電視,計算機周邊產(chǎn)品,數(shù)碼產(chǎn)品,GPS,通信基站。。。等高科技產(chǎn)品。其中我司的SMD陶瓷中頻濾波器,SMD陶瓷諧振器等晶振,在通訊機和高檔次游戲機上使用時與日本村田(MURATA)公司性能兼容,體積小,高性能,超薄型。十幾年來,一直是各大用戶心目中的優(yōu)選產(chǎn)品,口碑與實力并存。并且還代理了日本、臺灣等多家世界知名品牌晶振,訂購進口晶振三天打樣,七天準時交貨。
石英晶振,手表晶振,3*8晶振.插件石英晶振最適合用于比較低端的電子產(chǎn)品,比如兒童玩具,普通家用電器,即使在汽車電子領域中也能使產(chǎn)品高可靠性的使用.并且可用于安全控制裝置的CPU時鐘信號發(fā)生源部分,好比時鐘單片機上的石英晶振,在極端嚴酷的環(huán)境條件下,晶振也能正常工作.
石英晶振的切型。采用高速線切割技術:1.優(yōu)化及嚴格規(guī)范線切割機各項設備參數(shù);2.通過試驗精選所使用的各類線切割料,如:磨料、線切割線、槽輪等;3.確認最優(yōu)的石英晶振切割工藝參數(shù)。通過以上方法使切割出的貼片晶振晶片在厚度一致性、平行度、表面粗糙度上都超越其它切割方式,提高了時鐘晶振晶片的精度,提高了生產(chǎn)效率。圓柱石英晶體諧振器,無源音叉晶體,3*8晶振
石英晶振 |
標示 |
3*8晶振 |
基本信息對照表 |
crystal標準頻率 |
f_nom |
32.768KHz |
標準頻率 |
儲存溫度 |
T_stg |
-20°C~+70°C |
裸存 |
工作溫度 |
T_use |
-10°C~+60°C |
晶振標準溫度 |
激勵功率 |
DL |
1.0μW Max. |
推薦:1μW~100μW |
頻率公差 |
f_— l |
±20× 10-6(標準) |
+25°C對于超出標準的規(guī)格說明 |
頻率溫度特征 |
f_tem |
±20× 10-6/-10°C ~+60°C |
超出標準的規(guī)格請聯(lián)系金洛鑫電子. |
負載電容 |
CL |
12.5pF |
超出標準說明,請聯(lián)系金洛鑫電子. |
串聯(lián)電阻(ESR) |
R1 |
如下表所示 |
-10°C ~+60°C,DL = 100μW |
頻率老化 |
f_age |
±3× 10-6/ year Max. |
+25°C,第一年 |
超聲波清洗
(1)使用AT-切割晶體和表面聲波(SAW)諧振器/聲表面濾波器的產(chǎn)品,可以通過超聲波進行清洗。但是,在某些條件下, 晶體特性可能會受到影響,而且內(nèi)部線路可能受到損壞。確保已事先檢查系統(tǒng)的適用性。
(2)使用音叉晶體和陀螺儀傳感器的產(chǎn)品無法確保能夠通過超聲波方法進行清洗,因為晶體可能受到破壞。圓柱石英晶體諧振器,無源音叉晶體,3*8晶振
(3)請勿清洗開啟式產(chǎn)品
(4)對于可清洗產(chǎn)品,應避免使用可能對石英水晶諧振器產(chǎn)生負面影響的清洗劑或溶劑等。
(5)焊料助焊劑的殘留會吸收水分并凝固。這會引起諸如位移等其它現(xiàn)象。這將會負面影響晶振的可靠性和質(zhì)量。請清理殘余的助焊劑并烘干PCB。
操作
請勿用鑷子或任何堅硬的工具,夾具直接接觸IC的表面。石英晶振,手表晶振,3*8晶振
使用環(huán)境(溫度和濕度)
請在規(guī)定的溫度范圍內(nèi)使用音叉晶體。這個溫度涉及本體的和季節(jié)變化的溫度。在高濕環(huán)境下,會由于凝露引起故障。請避免凝露的產(chǎn)生。
設計振蕩回路的注意事項
1.驅(qū)動能力
驅(qū)動能力說明3*8mm晶振所需電功率,其計算公式如下:
驅(qū)動能力 (P) = i2_Re
其中i表示經(jīng)過晶體單元的電流,
Re表示晶體單元的有效電阻,而且 Re=R1(1+Co/CL)2。石英晶振,手表晶振,3*8晶振
2.振蕩補償
除非在圓柱型音叉石英晶體振蕩電路中提供足夠的負極電阻,否則會增加振蕩啟動時間,或不發(fā)生振蕩。為避免該情況發(fā)生,請在電路設計時提供足夠的負極電阻。
3.負載電容
如果振蕩電路中負載電容的不同,可能導致智能手表晶體振蕩頻率與設計頻率之間產(chǎn)生偏差,如下圖所示。電路中的負載電容的近似表達式 CL≒CG × CD / (CG+CD) + CS。
其中CS表示電路的雜散電容。圓柱石英晶體諧振器,無源音叉晶體,3*8晶振
頻率和負載電容特征圖器
振蕩回路參數(shù)設置參考