Abracon工程副總裁Syed Raza評論說：“半導(dǎo)體技術(shù)致力于將所有的功耗從最新一代的MCU和RF芯片組中扭轉(zhuǎn)出來，芯片上的皮爾斯振蕩器缺乏必要的增益，對gm_critical指標(biāo)產(chǎn)生不利影響。 PAS測試是診斷可預(yù)防問題的最可靠的方法。“
ABRACON晶振,圓柱晶振,AB26T晶振,來自美國晶體品牌的一顆2*6mm音叉型插件圓柱晶振,在市場上非常活躍,是應(yīng)用范圍廣泛的一種32.768KHz晶振,除此之外,AB26T晶振的頻率范圍可從32KHz~100KHz之間可任意選擇一個頻率,適應(yīng)性好,2*6mm的插件晶體元器件因為價格普通較低,因此仍有非常多的生產(chǎn)廠家在使用.
對于圓片晶振,X、Z 軸較難區(qū)分,所以石英晶振對精度要求高的產(chǎn)品(如部分定單的 UM-1),會在 X 軸方向進(jìn)行拉弦(切掉一小部分),以利于晶振的晶片有方向的裝架點(diǎn)膠,點(diǎn)膠點(diǎn)點(diǎn)在 Z 軸上.保證晶振產(chǎn)品的溫度特性.
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ABRACON晶振 |
單位 |
AB26T晶振 |
石英晶振基本條件 |
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標(biāo)準(zhǔn)頻率 |
f_nom |
32.768KHZ |
標(biāo)準(zhǔn)頻率 |
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儲存溫度 |
T_stg |
-40°C～+85°C |
裸存 |
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工作溫度 |
T_use |
-10°C～+60°C |
標(biāo)準(zhǔn)溫度 |
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激勵功率 |
DL |
1.0μW Max. |
推薦:1μW～100μW |
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頻率公差 |
f_— l |
±20 × 10-6(標(biāo)準(zhǔn)) |
+25°C對于超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格說明, |
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頻率溫度特征 |
f_tem |
±30 × 10-6/-20°C～+70°C |
超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格請聯(lián)系我們. |
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負(fù)載電容 |
CL |
12.5pF |
不同負(fù)載要求,請聯(lián)系我們. |
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串聯(lián)電阻(ESR) |
R1 |
如下表所示 |
-40°C — +85°C,DL = 100μW |
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頻率老化 |
f_age |
±3 × 10-6/ year Max. |
+25°C,第一年 |
請勿用鑷子或任何堅硬的工具，夾具直接接觸IC的表面。ABRACON晶振,圓柱晶振,AB26T晶振
使用環(huán)境（溫度和濕度）
請在規(guī)定的溫度范圍內(nèi)使用耐高溫晶振。這個溫度涉及本體的和季節(jié)變化的溫度。在高濕環(huán)境下，會由于凝露引起故障。請避免凝露的產(chǎn)生。
激勵功率
在晶體單元上施加過多驅(qū)動力，會導(dǎo)致石英晶振特性受到損害或破壞。電路設(shè)計必須能夠維持適當(dāng)?shù)募罟β?（請參閱“激勵功率”章節(jié)內(nèi)容）。
負(fù)極電阻
除非振蕩回路中分配足夠多的負(fù)極電阻，否則振蕩或振蕩啟動時間可能會增加（請參閱“關(guān)于振蕩”章節(jié)內(nèi)容）。
負(fù)載電容
振蕩電路中負(fù)載電容的不同，可能導(dǎo)致振蕩頻率與設(shè)計頻率之間產(chǎn)生偏差。試圖通過強(qiáng)力調(diào)整，可能只會導(dǎo)致不正常的振蕩。在使用之前，請指明該振動電路的負(fù)載電容（請參閱“負(fù)載電容”章節(jié)內(nèi)容）。
輸出波形與測試電路
1.時序表
2.測試條件
(1)電源電壓
超過 150µs，直到電壓級別從 0 %達(dá)到 90 % 。
電源電壓阻抗低于電阻 2Ω。
(2)其他
輸入電容低于 15 pF
5倍頻率范圍或更多測量頻率。
鉛探頭應(yīng)盡可能短。
測量頻率時，探頭阻抗將高于 1MΩ。當(dāng)波形經(jīng)過振蕩器的放大器時，可同時進(jìn)行測量。
(3)其他
CL包含探頭電容。
應(yīng)使用帶有小的內(nèi)部阻抗的電表。
使用微型插槽，以觀察波形。
（請勿使用該探頭的長接地線。）ABRACON晶振,圓柱晶振,AB26T晶振
3.測試電路
Golledge晶振,圓柱晶振,GWX-26晶振
泰藝晶振,音叉石英晶體,XB晶振
鴻星晶振,32.768K圓柱晶體,ETDA晶振
石英晶振,時鐘晶體,2*6晶振
瑞士微晶晶振,石英晶振,DS26晶振
Raltron晶振,石英晶振,R26晶振