西鐵城晶振公司為工業市場提供高性能和精密設備,不斷開發新技術和新技術在我們的制造業和工程.我們有一個良好的信譽在市場上特別是對我們的晶振,石英晶振,有源晶振,壓控振蕩器等高精密零件使用我們自己的核心技術和脆性材料和微顯示高清圖片是必需的.西鐵城精密裝置發揮能力的領域是,小型精密高精度?高精度被要求的功能零部件領域。并且,通過多年建立的獨自的技術,不斷地提供高附加價值的微設備產品。
西鐵城在音叉水晶表晶振動子(石英晶振)這一領域也是遙遙領先的,與日本元器件品牌愛普生晶振,日本精工晶振seiko,日本大真空KDS晶振,日本西鐵城石英晶振murata,并稱世界日產五大品牌。截止2010年底,已發展為以鐘表為主業,多種經營的集團性跨國大公司,年銷售額約三十八億美元。西鐵城自成立以來,一直在鐘表行業處于領先地位,創造了諸多世界第一。
西鐵城晶振,石英晶振,CMR200T晶振.32.768K時鐘晶體具有小型,薄型,輕型的插件型晶振表面音叉型晶體諧振器,產品具有優良的耐熱性,耐環境特性,可發揮晶振優良的電氣特性,符合RoHS規定,滿足無鉛焊接的高溫回流溫度曲線要求,金屬外殼的封裝使得產品在封裝時能發揮比陶瓷諧振器外殼更好的耐沖擊性.
西鐵城石英晶振真空退火技術:晶振高真空退火處理是消除貼片晶振在加工過程中產生的應力及輕微表面缺陷。在PLC控制程序中輸入已設計好的溫度曲線,使真空室溫度跟隨設定曲線對晶體組件進行退火,石英晶振通過合理的真空退火技術可提高晶振主要參數的穩定性,以及提高石英晶振的年老化特性。
西鐵城晶振 |
單位 |
石英晶振基本條件 |
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標準頻率 |
f_nom |
32.768KHz |
標準頻率 |
儲存溫度 |
T_stg |
-40°C~+125°C |
裸存 |
工作溫度 |
T_use |
-40°C~+85°C |
標準溫度 |
激勵功率 |
DL |
1.0μW Max. |
推薦:1.0μW |
頻率公差 |
f_— l |
±20× 10-6(標準) |
+25°C 對于超出標準的規格說明, |
頻率溫度特征 |
f_tem |
±20× 10-6/-40°C~+85°C |
超出標準的規格請聯系我們. |
負載電容 |
CL |
12.5pF |
不同負載要求,請聯系我們. |
串聯電阻(ESR) |
R1 |
如下表所示 |
-40°C ~ +85°C,DL =1.0μW |
頻率老化 |
f_age |
±3× 10-6/year Max. |
+25°C,第一年 |
操作
請勿用鑷子或任何堅硬的工具,夾具直接接觸IC的表面。
使用環境(溫度和濕度)
請在規定的溫度范圍內使用耐高溫晶振。這個溫度涉及本體的和季節變化的溫度。在高濕環境下,會由于凝露引起故障。請避免凝露的產生。
激勵功率
在晶體單元上施加過多驅動力,會導致石英晶振特性受到損害或破壞。電路設計必須能夠維持適當的激勵功率 (請參閱“激勵功率”章節內容)。
負極電阻
除非振蕩回路中分配足夠多的負極電阻,否則振蕩或振蕩啟動時間可能會增加(請參閱“關于振蕩”章節內容)。
負載電容
振蕩電路中負載電容的不同,可能導致振蕩頻率與設計頻率之間產生偏差。試圖通過強力調整,可能只會導致不正常的振蕩。在使用之前,請指明該振動電路的負載電容(請參閱“負載電容”章節內容)。
輸出波形與測試電路
1.時序表
2. 測試條件
(1) 電源電壓
超過 150µs,直到電壓級別從 0 %達到 90 % 。
電源電壓阻抗低于電阻 2Ω。
(2) 其他
輸入電容低于 15 pF
5倍頻率范圍或更多測量頻率。
鉛探頭應盡可能短。
測量石英晶振頻率時,探頭阻抗將高于 1MΩ。當波形經過振蕩器的放大器時,可同時進行測量。
(3) 其他
CL包含探頭電容。
應使用帶有小的內部阻抗的電表。
使用微型插槽,以觀察波形。
(請勿使用該探頭的長接地線。)
3. 測試電路
TCO-****系列 VG, TG, EG,XG系列 *1 :在頻率電壓控制功能時,進行連接
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(1)CMOS 負載 |
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(2) 抗低,電容負載 |
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(3) TTL 負載 |
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(4) LV-PECL 負載 |
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(5)LV-PECL 負載 |
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(6) LV-PECL 負載 |
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(7) LVDS 負載 |
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(8) HCSL 負載 |
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