KDS產(chǎn)品在業(yè)界屬于高端產(chǎn)品,其應(yīng)用偏向中高端市場. 接縫密封石英晶體振蕩器,精度高,覆蓋頻率范圍寬的特點,KDS振蕩器,跟普通的KDS晶體諧振器,兩者有一定的區(qū)別,晶體振蕩器是在壓電石英晶片兩邊施加機械壓力,在壓電石英晶片的放心產(chǎn)生電場,這樣的現(xiàn)象為壓電效應(yīng),普通石英晶體振蕩器一般應(yīng)用范圍就一般的電子數(shù)碼產(chǎn)品.
溫補晶振,石英晶振,DSB221SCB晶振,
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溫補晶振 |
標(biāo)示 |
DSB221SCB晶振 |
晶振基本信息對照表 |
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標(biāo)準(zhǔn)范圍 |
f0 |
9.600MHz～52.000MHz |
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電源電圧 |
Vcc |
＋1.8V,＋2.6V,＋2.8V,＋3.0V,＋3.3V |
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輸出電流 |
Icc |
3.5 mA max. |
Vcc=3.3V |
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頻率負載 |
L_CMOS |
15pF |
CMOS出力 |
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標(biāo)準(zhǔn)頻率偏差 |
f_tol |
±1.5ppm |
初期偏差、 |
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輸出電壓 |
V |
VOH:Vcc×90% min.VOL:Vcc×10% max. |
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對稱 |
SYM |
40%～60% |
50% Vcc |
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標(biāo)準(zhǔn)時間 |
tr/tf |
12 ns max.(1.8～80MHz) |
10%Vcc～90%、L_CMOS=15pF |
超聲波清洗
(1)使用AT-切割晶體和表面聲波（SAW）諧振器/濾波器的產(chǎn)品，可以通過超聲波進行清洗。但是，在某些條件下， 晶體特性可能會受到影響，而且內(nèi)部線路可能受到損壞。確保已事先檢查系統(tǒng)的適用性。
(2)使用音叉晶體和陀螺儀傳感器的產(chǎn)品無法確保能夠通過超聲波方法進行清洗，因為晶體可能受到破壞。
(3)請勿清洗開啟式產(chǎn)品
(4)對于可清洗產(chǎn)品，應(yīng)避免使用可能對產(chǎn)品產(chǎn)生負面影響的清洗劑或溶劑等。
(5)焊料助焊劑的殘留會吸收水分并凝固。這會引起諸如位移等其它現(xiàn)象。這將會負面影響產(chǎn)品的可靠性和質(zhì)量。請清理殘余的助焊劑并烘干PCB。
操作
請勿用鑷子或任何堅硬的工具，夾具直接接觸IC的表面。
使用環(huán)境（溫度和濕度）
請在規(guī)定的溫度范圍內(nèi)使用產(chǎn)品。這個溫度涉及本體的和季節(jié)變化的溫度。在高濕環(huán)境下，會由于凝露引起故障。請避免凝露的產(chǎn)生。
設(shè)計振蕩回路的注意事項
1.驅(qū)動能力
驅(qū)動能力說明振蕩晶體單元所需電功率，其計算公式如下：
驅(qū)動能力 (P) = i2?Re
其中i表示經(jīng)過晶體單元的電流，
Re表示晶體單元的有效電阻，而且 Re=R1（1+Co/CL）2。
2.振蕩補償
除非在振蕩電路中提供足夠的負極電阻，否則會增加振蕩啟動時間，或不發(fā)生振蕩。為避免該情況發(fā)生，請在電路設(shè)計時提供足夠的負極電阻。
3.負載電容
如果振蕩電路中負載電容的不同，可能導(dǎo)致振蕩頻率與設(shè)計頻率之間產(chǎn)生偏差，如下圖所示。電路中的負載電容的近似表達式 CL≒CG × CD / （CG+CD） + CS。
其中CS表示電路的雜散電容。
頻率和負載電容特征圖器
振蕩回路參數(shù)設(shè)置參考
