日本大真空株式會社,于1993年被天津政府對外資招商部特別邀請在中國天津投資.日本大真空在當年5月份,就在天津市位于武清開發(fā)區(qū)確定投資建廠,當時總額1.4億美元,注冊資本4867.3萬美元,占地面積67.5畝.主要研發(fā)生產(chǎn):壓電石英水晶制品,石英晶體諧振器,石英晶體振蕩器系列.陶瓷制品以及光學(xué)制品,其主要的產(chǎn)品還是水晶振動子,剛投資建廠時主打產(chǎn)品便是32.768KHZ系列產(chǎn)品.
請選擇正規(guī)【KDS晶振代理商金洛電子】產(chǎn)品特點貼片晶振本身體積小,超薄型石英晶體諧振器,特別適用于有目前高速發(fā)展的高端電子數(shù)碼產(chǎn)品,因為晶振本身小型化需求的市場領(lǐng)域,小型?薄型是對應(yīng)陶瓷諧振器(偏差大)和普通的石英晶體諧振器(偏差?。┑闹虚g領(lǐng)域的一種性價比較出色的產(chǎn)品.產(chǎn)品廣泛用于筆記本電腦,無線電話,衛(wèi)星導(dǎo)航HDD, SSD, USB, Blu-ray等用途,符合無鉛焊接的高溫回流焊曲線特性.
KDS晶振,貼片晶振,DSX321G晶振,進口諧振器,超小型表面貼片型SMD晶振,最適合使用在汽車電子領(lǐng)域中,也是特別要求高可靠性的引擎控制用CPU的時鐘部分.低頻晶振可從8MHz起對應(yīng),小型,超薄型具備強防焊裂性,石英晶體在極端嚴酷的環(huán)境條件下也能發(fā)揮穩(wěn)定的起振特性,產(chǎn)品本身具有耐熱,耐振,耐撞擊等優(yōu)良的耐環(huán)境特性,滿足無鉛焊接以及高溫回流溫度曲線要求,符合AEC-Q200標準。
石英晶振高精度晶片的拋光技術(shù):貼片晶振是目前晶片研磨技術(shù)中表面處理技術(shù)的最高技術(shù),最終使晶振晶片表面更光潔,平行度及平面度更好,降低諧振電阻,提高Q值。從而達到一般研磨所達不到的產(chǎn)品性能,使石英晶振的等效電阻等更接近理論值,使晶振可在更低功耗下工作。使用先進的牛頓環(huán)及單色光的方法去檢測晶片表面的狀態(tài)。晶振的真空封裝技術(shù):是指石英晶振在真空封裝區(qū)域內(nèi)進行封裝。1.防止外界氣體進入組件體內(nèi)受到污染和增加應(yīng)力的產(chǎn)生;2.使晶振組件在真空下電阻減??;3.氣密性高。此技術(shù)為研發(fā)及生產(chǎn)超小型、超薄型石英晶振必須攻克的關(guān)鍵技術(shù)之一。
KDS晶振 |
符號 |
DSX320G晶振 |
基本信息對照表 |
Crystal標準頻率 |
f_nom |
8~40MHz |
|
儲存溫度 |
T_stg |
-40°C ~+150°C |
裸存 |
工作溫度 |
T_use |
-40°C ~+85°C |
KDS晶振特定的溫度 |
激勵功率 |
DL |
0.5μW (1.0μW Max.) |
如你有最大激勵功率為1.0μW需求,請聯(lián)系我們金洛電子 |
精度 |
f_— l |
±30,±50,±100ppm |
如有需要更高的精度可以特定. |
拐點溫度 |
Ti |
+25°C ±5°C |
|
負載電容 |
CL |
8pF~20pF |
可按客戶需求指定 |
串聯(lián)電阻(ESR) |
R1 |
70kΩ Max. |
70kΩ —45kΩ |
頻率老化 |
f_age |
±3 ×10-6/ year Max. |
+25°C,第一年 |
請測量使用示波器或頻率計數(shù)器無源石英晶振的兩個端子的信號,如果頻率不在規(guī)定范圍內(nèi),它的輸出波形的幅度是不夠的(例如超過+/-200ppm的),請按照步驟2-3步驟2-5。The formula for Capacitances versus Frequency is as following:KDS晶振,貼片晶振,DSX321G晶振,進口諧振器
該公式的電容與頻率是如下:
FL = FR * (1 + C1 / 2 * (C0 + CL) ) where
該曲線代表電容變化與頻率變化(頻率pullability)變化的變化:
如果由頻率計數(shù)器測量的頻率比目標頻率高,要增加石英貼片晶振的電容(CL,或Cd以及C 8)的值,以降低頻率到目標頻率,反之亦然。請檢查波形幅度是否改善或沒有經(jīng)過我們調(diào)整頻率。如果它的改善,這表示該電路的原始設(shè)計不是調(diào)諧到最佳共振點為晶體的情況。該晶振應(yīng)正常后,諧振點的調(diào)整。如果波形幅度甚至沒有提高的頻率非常接近目標頻率,我們可以通過以下三種方法改進:方法1:降低產(chǎn)品線路外部電容(Cd和CG)的值,并通過晶體具有較低負載電容(CL)。方法2:采用小電阻(RR)的晶體。方法3:使用鎘和CG的不等價的設(shè)計。
我們可以增加鎘(XOUT)的負載電容和降低CG(辛)的負載電容以提高從辛波形幅度將在其后端電路中使用的輸出。我們建議您使用上面的方法來節(jié)省成本,保證安全。請用頻率計數(shù)器來測量所述晶體,以確保經(jīng)調(diào)整頻率仍然滿足原說明書后的波形的振幅進行了改進。如果頻率不符合規(guī)格,請采用SMD晶振合適的CL值為根據(jù)您的目標頻率。請采用晶振具有較低的CL如果頻率比目標頻率,反之亦然高得多系統(tǒng)不能正常工作,由于輸出頻率會偏差很大。
驅(qū)動能力:驅(qū)動能力說明3225mm晶振振蕩晶體單元所需電功率,其計算公式如下:驅(qū)動能力 (P) = i2?Re其中i表示經(jīng)過晶體單元的電流,Re表示晶體單元的有效電阻,而且 Re=R1(1+Co/CL)2。KDS晶振,貼片晶振,DSX321G晶振,進口諧振器
測試條件:(1) 電源電壓? 超過 150µs,直到電壓級別從 0 %達到 90 % 。? 電源電壓阻抗低于電阻 2Ω。(2) 其他:? 輸入電容低于 15 pF? 5倍頻率范圍或更多測量小體積貼片晶振頻率。? 鉛探頭應(yīng)盡可能短。? 測量頻率時,探頭阻抗將高于 1MΩ。當波形經(jīng)過振蕩器的放大器時,可同時進行測量。(3) 其他:? CL包含探頭電容。? 應(yīng)使用帶有小的內(nèi)部阻抗的電表。? 使用微型插槽,以觀察波形。(請勿使用該探頭的長接地線。)

1.振蕩電路:3225貼片晶振是無源元件,因此受到電源電壓、環(huán)境溫度、電路的影響。配置、電路常數(shù)和襯底布線模式等操作大致分為正常運行和異常運行。因此,在振蕩電路的設(shè)計中,先決條件之一是如何確定振蕩電路。晶體諧振器的振動安全穩(wěn)定。只有在做出了這個決定之后,后續(xù)的項目,例如討論了頻率精度、頻率變化、調(diào)制度、振蕩起始時間和振蕩波形。
2。角色的分量與參考值:8MHZ貼片晶振在振蕩電路的設(shè)計中,必須認識到個體的作用。組件.在表1中,以例如振蕩電路為例來描述角色。(圖1)使用一個通用的C-MOS IC(74hcuo4ap東芝)。當反饋電阻(rf)未安裝在振蕩電路中時,如圖所示表1,即使在振蕩功率作用下,諧振器也不會啟動振蕩。電路。除非有適當值的電阻器連接,否則振蕩不會啟動。