杭州鴻星電子有限公司于1979年成立，產品由專業電阻器、電容器制造廠，公元1991年于臺灣投入石英晶體之研發制造、1991年開始于中國大陸拓展生產基地，至今擁有四處生產基地、九處營銷及FAE據點及十個營銷代表處。鴻星的核心精神：誠信負責、團隊合作、專業創新、積極成長。HOSONIC以先進技術、優異質量、完善服務，成為晶體產業最具競爭優勢的品牌。
優秀同仁是公司無價的資產，也是公司成長發展的伙伴，更是維系公司競爭力與創造價值的命脈。在以人為本，充分尊重人性的理念上，我們以溝通來達成共識，以相互尊重維系組織和諧氣氛，創造適性的工作環境，讓鴻星成為一個高度凝聚力的大家庭。我們要求同仁自我管理，并不斷的成長進步，讓員工有能力于工作，意愿于工作并滿意于工作，鼓勵員工去達成公司指定的目標。

鴻星晶振,石英晶振,E1SB晶振.2016mm封裝四腳SMD型的晶振,可以說是目前小型數碼產品的福音,目前超小型的智能手機里面所應用的就是小型的石英晶振,該產品最適用于無線通訊系統,無線局域網,具備優良的耐環境特性及高耐熱性強.滿足無鉛焊接的回流溫度曲線要求.
鴻星石英晶振曲率半徑加工技術：石英晶體諧振器晶片在球筒倒邊加工時應用到的加工技術，主要是研究滿足不同曲率半徑石英晶振晶片設計可使用的方法。如：1、是指球面加工曲率半徑的工藝設計（ a、球面的余弦磨量； b、球面的均勻磨量；c、球面加工曲率半徑的配合）2、在加工時球面測量標準的設計原則（曲率半徑公式的計算）。

操作
請勿用鑷子或任何堅硬的工具，夾具直接接觸IC的表面。
使用環境（溫度和濕度）
請在規定的溫度范圍內使用進口晶振。這個溫度涉及本體的和季節變化的溫度。在高濕環境下，會由于凝露引起故障。請避免凝露的產生。
晶體單元/諧振器
激勵功率
在晶體單元上施加過多驅動力，會導致無源晶振特性受到損害或破壞。電路設計必須能夠維持適當的激勵功率 （請參閱“激勵功率”章節內容）。
負極電阻
除非振蕩回路中分配足夠多的負極電阻，否則振蕩或振蕩啟動時間可能會增加（請參閱“關于振蕩”章節內容）。
負載電容
振蕩電路中負載電容的不同，可能導致SMD晶振振蕩頻率與設計頻率之間產生偏差。試圖通過強力調整，可能只會導致不正常的振蕩。在使用之前，請指明該振動電路的負載電容（請參閱“負載電容”章節內容）。鴻星晶振,石英晶振,E1SB晶振

設計振蕩回路的注意事項
1.驅動能力
驅動能力說明2016晶振單元所需電功率，其計算公式如下：
驅動能力 (P) = i2_Re
其中i表示經過晶體單元的電流，
Re表示晶體單元的有效電阻，而且 Re=R1（1+Co/CL）2。

2.振蕩補償
除非在25M無源SMD晶體振蕩電路中提供足夠的負極電阻，否則會增加振蕩啟動時間，或不發生振蕩。為避免該情況發生，請在電路設計時提供足夠的負極電阻。

3. 負載電容
如果振蕩電路中負載電容的不同，可能導致四腳無源晶振振蕩頻率與設計頻率之間產生偏差，如下圖所示。電路中的負載電容的近似表達式 CL≒CG × CD / （CG+CD） + CS。
其中CS表示電路的雜散電容。鴻星晶振,石英晶振,E1SB晶振

頻率和負載電容特征圖器

振蕩回路參數設置參考