憑借先進(jìn)的設(shè)備一流的技術(shù)以及公司訓(xùn)練有素的服務(wù)團(tuán)隊(duì),多方面的滿足各領(lǐng)域客戶的不同需求,從而成為晶振行業(yè)內(nèi)的最佳資源之一.服務(wù)是Ecliptek日蝕晶振成功的基石.我們時(shí)時(shí)為客戶著想,盡力滿足并超越客戶對(duì)于我們的石英晶振,貼片晶振,電壓晶體元件,晶體振蕩器,有源晶振等產(chǎn)品的質(zhì)量要求以及服務(wù)價(jià)值.作為良好的企業(yè)市民,遵循本公司的行動(dòng)方針,充分關(guān)心維護(hù)地球環(huán)境.遵守國內(nèi)外的有關(guān)環(huán)保法規(guī).
對(duì)我們的有源晶振,壓控振蕩器,貼片晶振, 晶體諧振器、普通晶體振蕩器（SPXO）、溫補(bǔ)晶振、壓控晶體振蕩器（VCXO）進(jìn)行檢驗(yàn),同時(shí)告知我們的員工顧客以及公眾,如何安全的使用,如何使用對(duì)環(huán)境影響較小,幫助我們的雇員合同方商業(yè)伙伴服務(wù)提供上理解他們的行為如何影響著環(huán)境.所有的經(jīng)營組織都將積極應(yīng)用國際標(biāo)準(zhǔn)以及適用的法律法規(guī).為促進(jìn)合理有效的公共政策的制訂實(shí)施加強(qiáng)戰(zhàn)略聯(lián)系.

ECLIPTEK晶振,3215時(shí)鐘晶體,E8WSDC12-32.768K晶振.產(chǎn)品本身具有小型,薄型,輕型的貼片晶振表面音叉型晶體諧振器,產(chǎn)品具有優(yōu)良的耐熱性,耐環(huán)境特性,可發(fā)揮晶振優(yōu)良的電氣特性,符合RoHS規(guī)定,滿足無鉛焊接的高溫回流溫度曲線要求,金屬外殼的封裝使得產(chǎn)品在封裝時(shí)能發(fā)揮比陶瓷諧振器外殼更好的耐沖擊性.
日蝕石英晶振的切型。采用高速線切割技術(shù)：1.優(yōu)化及嚴(yán)格規(guī)范線切割機(jī)各項(xiàng)設(shè)備參數(shù)；2.通過試驗(yàn)精選所使用的各類線切割料，如：磨料、線切割線、槽輪等；3.確認(rèn)最優(yōu)的石英晶振切割工藝參數(shù)。通過以上方法使切割出的貼片晶振晶片在厚度一致性、平行度、表面粗糙度上都超越其它切割方式，提高了石英晶振晶片的精度，提高了生產(chǎn)效率。E8WSDC12-32.768K晶振,進(jìn)口32.768K石英晶體,金屬殼二腳貼片晶振

操作
請(qǐng)勿用鑷子或任何堅(jiān)硬的工具，夾具直接接觸IC的表面。ECLIPTEK晶振,3215時(shí)鐘晶體,E8WSDC12-32.768K晶振
使用環(huán)境（溫度和濕度）
請(qǐng)?jiān)谝?guī)定的溫度范圍內(nèi)使用時(shí)鐘晶振。這個(gè)溫度涉及本體的和季節(jié)變化的溫度。在高濕環(huán)境下，會(huì)由于凝露引起故障。請(qǐng)避免凝露的產(chǎn)生。
激勵(lì)功率
在晶體單元上施加過多驅(qū)動(dòng)力，會(huì)導(dǎo)致32.768K晶振特性受到損害或破壞。電路設(shè)計(jì)必須能夠維持適當(dāng)?shù)募?lì)功率 （請(qǐng)參閱“激勵(lì)功率”章節(jié)內(nèi)容）。
負(fù)極電阻
除非振蕩回路中分配足夠多的負(fù)極電阻，否則振蕩或振蕩啟動(dòng)時(shí)間可能會(huì)增加（請(qǐng)參閱“關(guān)于振蕩”章節(jié)內(nèi)容）。E8WSDC12-32.768K晶振,進(jìn)口32.768K石英晶體,金屬殼二腳貼片晶振
負(fù)載電容
振蕩電路中負(fù)載電容的不同，可能導(dǎo)致振蕩美國進(jìn)口晶振頻率與設(shè)計(jì)頻率之間產(chǎn)生偏差。試圖通過強(qiáng)力調(diào)整，可能只會(huì)導(dǎo)致不正常的振蕩。在使用之前，請(qǐng)指明該振動(dòng)電路的負(fù)載電容（請(qǐng)參閱“負(fù)載電容”章節(jié)內(nèi)容）。

設(shè)計(jì)振蕩回路的注意事項(xiàng)
1.驅(qū)動(dòng)能力
驅(qū)動(dòng)能力說明32.768K貼片晶振所需電功率，其計(jì)算公式如下：
驅(qū)動(dòng)能力 (P) = i2_Re
其中i表示經(jīng)過晶體單元的電流，
Re表示晶體單元的有效電阻，而且 Re=R1（1+Co/CL）2。ECLIPTEK晶振,3215時(shí)鐘晶體,E8WSDC12-32.768K晶振

2.振蕩補(bǔ)償
除非在振蕩電路中提供足夠的負(fù)極電阻，否則會(huì)增加3215mm晶振振蕩啟動(dòng)時(shí)間，或不發(fā)生振蕩。為避免該情況發(fā)生，請(qǐng)?jiān)陔娐吩O(shè)計(jì)時(shí)提供足夠的負(fù)極電阻。

3.負(fù)載電容
如果振蕩電路中負(fù)載電容的不同，可能導(dǎo)致32.768K進(jìn)口晶振振蕩頻率與設(shè)計(jì)頻率之間產(chǎn)生偏差，如下圖所示。電路中的負(fù)載電容的近似表達(dá)式 CL≒CG × CD / （CG+CD） + CS。
其中CS表示電路的雜散電容。E8WSDC12-32.768K晶振,進(jìn)口32.768K石英晶體,金屬殼二腳貼片晶振

頻率和負(fù)載電容特征圖器

振蕩回路參數(shù)設(shè)置參考