富士晶振,貼片晶振,FSX-2MS晶振,2016晶振.小型貼片石英晶振,外觀尺寸具有薄型表面貼片型石英晶體諧振器,特別適用于有小型化要求的市場領域,比如智能手機,無線藍牙,平板電腦等電子數碼產品.晶振本身超小型,薄型,重量輕,晶體具有優良的耐環境特性,如耐熱性,耐沖擊性,在辦公自動化,家電相關電器領域及Bluetooth,Wireless LAN等短距離無線通信領域可發揮優良的電氣特性,滿足無鉛焊接的回流溫度曲線要求.
富士晶振公司主要以石英晶振,電子元件,三端穩壓管,LED照明,高壓電容器,薄膜電容器等產品的生產與開發,在于2013年開始處理,軟件的開發,今后在有線、無線通信設備的本公司商品化目標。富士的COM有限公司20項,成為其在2013年20周年會,管理理念和“誠信行動”“大膽挑戰”,“社會貢獻”,即滿足客戶需求的產品,服務的報價始終牢記,戶,公事公辦,我們將以員工和共存共榮。
貼片晶振晶片邊緣處理技術:貼片晶振是晶片通過滾筒倒邊,主要是為了去除石英晶振晶片的邊緣效應,在實際操作中機器運動方式設計、滾筒的曲率半徑、滾筒的長短、使用的研磨砂的型號、多少、填充物種類及多少等各項設計必須合理,有一項不完善都會使晶振晶片的邊緣效應不能去除,而石英晶振晶片的諧振電阻過大,用在電路中Q值過小,從而電路不能振動或振動了不穩定。
富士晶振 |
單位 |
FSX-2MS晶振 |
石英晶振基本條件 |
標準頻率 |
f_nom |
13.560MHz~50.000MHz |
標準頻率 |
儲存溫度 |
T_stg |
-40°C~+85°C |
裸存 |
工作溫度 |
T_use |
-10°C~+70°C |
標準溫度 |
激勵功率 |
DL |
10-100μW Max. |
推薦:100μW |
頻率公差 |
f_— l |
±30~±50×10-6 |
+25°C對于超出標準的規格說明, |
頻率溫度特征 |
f_tem |
±30~±50×10-6 |
超出標準的規格請聯系我們. |
負載電容 |
CL |
10PF~20PF |
不同負載電容要求,請聯系我們. |
串聯電阻(ESR) |
R1 |
如下表所示 |
-10°C~+70°C,DL = 100μW |
頻率老化 |
f_age |
±3× 10-6/year Max. |
+25°C,第一年 |
1.電源旁路電容
使用本產品時,請放置一個約0.01的旁路電容μF,介于電源和GND之間(盡可能靠近產品終端盡可能)。
2.安裝表面貼裝晶體時鐘振蕩器
(1)安裝電路板后溫度快速變化
當安裝板的材料為表面安裝時陶瓷有晶體時鐘振蕩器封裝膨脹系數不同于陶瓷的膨脹系數材料,焊接的圓角部分可能會破裂,如果受到影響長時間反復發生極端溫度變化。你在這樣的條件下,建議情況是這樣的事先檢查過。
(2)通過自動安裝進行沖擊
當晶體時鐘振蕩器被吸附或吸入時自動安裝或超過的沖擊過程安裝振蕩器時會發生指定值板,振蕩器的特性會改變或惡化。
(3)板彎曲應力
將晶體時鐘振蕩器焊接到印刷后板,彎曲板可能會導致焊接部分剝落關閉或振蕩器封裝由于機械應力而破裂。
3.抗跌落沖擊力
本目錄中的產品設計得非常高抗自由落體沖擊(最多三次)。但是,如果錯誤地將產品從桌子等處丟棄,為確保最佳性能,建議您使用再次測量產品的性能或您要求我們再次測量它。
4.靜電
本目錄中的產品使用CMOS IC作為其有源產品元素。因此,在一個環境中處理產品對抗靜電的措施拍攝。
5.耐高溫
關于耐高溫性,使用產品時在溫度為+ 125°C的極端環境中超過24小時,產品的所有特點無法保證。要特別注意存放產品在正確的溫度范圍內。
6. EMI
當您考慮EMI時,低電源電壓建議使用(例如2.5V,1.8V,1.5V或0.9V)。此外,請事先咨詢我們有關的組合針對上述EMI的兩種對策。
7.超聲波清洗
當進行本目錄中產品的超聲波清潔時根據其安裝狀態和清潔條件等,該產品的晶體振蕩器可能會發生共振斷裂。在超聲波清潔之前,請務必檢查條件。富士晶振,貼片晶振,FSX-2MS晶振,2016晶振
晶體諧振腔的形式模式,但泛音振蕩或基波。振蕩開始代替。在消費級電子產品晶振基本諧振的情況下(MHz頻段)反饋電阻通常是1米。在泛音諧振器(兆赫頻帶)的情況下,值取決于IC和頻率特性,但在幾個范圍內。在的案例(kHz頻段),需要連接一個電阻10米或更?。限制流入諧振器的電流,調節負電阻和勵磁。電平,防止諧振腔的反常振蕩,抑制頻率波動。C1、C2電容器調節負電阻、勵磁電平和振蕩頻率。還設置有給定負載能力。
適當的控制電阻值(RD)取決于的類型,頻帶和設備的價值。電容器(C1,C2)。精確值是通過3225體積貼片晶振測量振蕩電路的特性來確定的(包括負電阻和驅動級)。AT切割諧振器(兆赫頻帶)的參考值在幾個范圍內。音叉式諧振器(kHz頻段)的參考值在100 K?幾K?范圍。安裝電容器的適當值取決于諧振器的類型、頻帶、控制電阻器的值和振蕩的順序,在3 pF的范圍內- 33 pF左右,僅供參考。
此外,振蕩頻率與測量點不同。1、測量緩沖輸出2、振蕩級輸出測量三.通過電容器測量振蕩級輸出圖5示出以上1-3個測量點和所測量的除緩沖器輸出外,振蕩頻率較低。
負載電容:如果振蕩電路中負載電容的不同,可能導致振蕩頻率與設計頻率之間產生偏差,如下圖所示。電路中的負載電容的近似表達式 CL≒CG × CD / (CG+CD) + CS。其中CS表示電路的雜散電容。富士晶振,貼片晶振,FSX-2MS晶振,2016晶振