Golledge晶振減少污染物排放,對不可再生的資源進行有效利用.減少廢物的產生,對其排放的責任進行有效管理,有效地使用能源.通過石英晶振,貼片晶振,溫補晶振,石英晶體振蕩器設計工藝程序對員工進行培訓保護環境以及人們的健康和安全.提供安全使用和廢置我們的產品的信息,對環境有重大健康安全和環境的運營現狀進行糾正.我們的產品廣泛應用于電子工業,包括電信、衛星、微處理器、航空航天、汽車、儀器和醫療應用。
晶振高精密點膠技術:石英晶振晶片膠點的位置、大小:位置準確度以及膠點大小一致性,通過圖像識別及高精密度數字定位系統的運用、使石英晶振晶片的點膠的精度在±0.02mm之內。將被上銀電極的晶片裝在彈簧支架上,點上導電膠,并高溫固化,通過彈簧即可引出電信號。注意:在石英晶振晶體測量中各個廠家的儀器會存在一定的差距(誤差),所以應對晶振晶體測試儀器做特別管制。尤其是小公差產品。目前本公司的標準儀器在品管部。DIP 產品為 250A,SMD產品為 250B。
Golledge晶振 |
單位 |
GSX-333晶振 |
石英晶振基本條件 |
標準頻率 |
f_nom |
12~54MHZ |
標準頻率 |
儲存溫度 |
T_stg |
-40°C~+85°C |
裸存 |
工作溫度 |
T_use |
-10°C~+85°C |
標準溫度 |
激勵功率 |
DL |
10μW Max. |
推薦:10μW |
頻率公差 |
f_— l |
±10,±15,±20× 10-6(標準) |
+25°C對于超出標準的規格說明, |
頻率溫度特征 |
f_tem |
±10±15,±20,±30× 10-6/-20°C~+70°C |
超出標準的規格請聯系我們. |
負載電容 |
CL |
8,9,12,16,18pF |
不同負載要求,請聯系我們. |
串聯電阻(ESR) |
R1 |
如下表所示 |
-40°C — +85°C,DL = 100μW |
頻率老化 |
f_age |
±1× 10-6/ year Max. |
+25°C,第一年 |
關于沖洗清潔音叉型晶振由于采用小型、薄型的貼片石英晶振芯片,以及相對而言頻率與超音波清潔器相近,所以會由于共振而容易受到破壞,因此請不要用超音波清潔器來沖洗晶振。 關于機械性沖擊(1) 從設計角度而言,即使石英晶振從高度75cm處落到硬質木板上三次,按照設計不會發生什么問題,但因落下時的不同條件而異,有可能導致石英芯片的破損。Golledge晶振,貼片晶振,GSX-333晶振,車載石英晶振
在使之落下或對它施加沖擊之時,在使用之前,建議確認一下振蕩檢查等的條件。(2) SMD石英晶振與電阻以及電容器的芯片產品不同,由于在內部對石英晶振晶片進行了密封保護,因此關于在自動安裝時由于沖擊而導致的影響,請在使用之前,懇請貴公司另外進行確認工作。(3) 請盡量避免將本公司的音叉型晶振與機械性振動源(包括超聲波振動源)安裝到同一塊基板上,不得已要安裝到同一塊基板上時,請確保晶振能正常工作。
如果波形幅度甚至沒有提高無源進口晶振的頻率非常接近目標頻率,我們可以通過以下三種方法改進:方法1:降低產品線路外部電容(Cd和CG)的值,并通過晶體具有較低負載電容(CL)。方法2:采用小電阻(RR)的晶體。方法3:使用鎘和CG的不等價的設計。

此外,振蕩頻率與測量點不同。1。測量緩沖輸出2。振蕩級輸出測量三.通過3225貼片諧振器電容器測量振蕩級輸出圖5示出以上1-3個測量點和所測量的除緩沖器輸出外,振蕩頻率較低。Golledge晶振,貼片晶振,GSX-333晶振,車載石英晶振
驅動能力:驅動能力說明MHZ晶振振蕩晶體單元所需電功率,其計算公式如下:驅動能力 (P) = i2?Re其中i表示經過晶體單元的電流,Re表示晶體單元的有效電阻,而且 Re=R1(1+Co/CL).
晶體諧振腔的形式模式,但泛音振蕩或基波。振蕩開始代替。在智能手機晶振基本諧振的情況下(MHz頻段)反饋電阻通常是1米?。在泛音諧振器(兆赫頻帶)的情況下,值取決于IC和頻率特性,但在幾個范圍內。K?-?幾十K。在音叉式諧振器的案例(kHz頻段),需要連接一個電阻10米或更?。限制流入諧振器的電流,調節負電阻和勵磁。電平,防止諧振腔的反常振蕩,抑制頻率波動。C1、C2電容器調節負電阻、勵磁電平和振蕩頻率。還設置有給定負載能力。
適當的控制電阻值(RD)取決于小型無源諧振器的類型,頻帶和設備的價值。電容器(C1,C2)。精確值是通過測量振蕩電路的特性來確定的(包括負電阻和驅動級)。AT切割諧振器(兆赫頻帶)的參考值在幾個范圍內。?幾K?。音叉式諧振器(kHz頻段)的參考值在100 K?幾K?范圍。安裝電容器的適當值取決于諧振器的類型、頻帶、控制電阻器的值和振蕩的順序,在3 pF的范圍內- 33 pF左右,僅供參考。