自1944年創業以來，村田得到了巨大的發展，在2013年度制定的中期構想最終年度的2015年度，石英晶振營業額達到了在村田的歷史上具有里程碑意義的萬億日元。在此衷心感謝廣大客戶和各利益相關方長期以來的大力支持。世界經濟的前景雖不明朗，但電子設備社會正在迅速、切實地向前發展。而這樣的變化也為村田帶來了新的商機。村田制定了新的“中期構想2018”以及“長期構想”，指明了為電子設備社會的發展做貢獻的未來發展之路。
此外，我們也將把汽車、能源、醫療保健作為重點市場，并提供只有村田才能實現的價值。在新感應技術及通信技術需求不斷提高的IoT社會，村田將作為一個晶振重要的參與者來體現其存在的價值，并不斷強化制造、技術開發及人才開發等事業基礎。村田的發展永無止境，而在新的發展過程中“經營理念”也將始終是各項工作的基礎。我們要讓分布在世界各地的全體村田員工充分理解村田的“經營理念”，使村田永遠成為為客戶和社會而存在的企業。

村田晶振,MCR1210晶振,XRCED37M400FXQ52R0晶振,小型表面貼片晶振型,是標準的石英晶體諧振器,適用于寬溫范圍的電子數碼產品,家電電器及MP3,MP4,播放器,單片機等領域.可對應37.4000MHz以上的頻率,在電子數碼產品,以及家電相關電器領域里面發揮優良的電氣特性,滿足無鉛焊接的回流溫度曲線要求.
石英晶振真空退火技術：SMD晶振高真空退火處理是消除貼片晶振在加工過程中產生的應力及輕微表面缺陷。在PLC控制程序中輸入已設計好的溫度曲線，使真空室溫度跟隨設定曲線對晶體組件進行退火，石英晶振通過合理的真空退火技術可提高晶振主要參數的穩定性，以及提高石英晶振的年老化特性。晶振的真空封裝技術：是指石英晶振在真空封裝區域內進行封裝。1.防止外界氣體進入組件體內受到污染和增加應力的產生；2.使晶振組件在真空下電阻減小；3.氣密性高。此技術為研發及生產超小型、超薄型石英晶振必須攻克的關鍵技術之一。

所有產品的共同點:1：抗沖擊:抗沖擊是指無源晶振產品可能會在某些條件下受到損壞。例如從桌上跌落,摔打,高空拋壓或在貼裝過程中受到沖擊。如果產品已受過沖擊請勿使用。因為無論何種石英晶振,其內部晶片都是石英晶振制作而成的,高空跌落摔打都會給晶振照成不良影響。 2：輻射:將貼片晶振暴露于輻射環境會導致產品性能受到損害,因此應避免陽光長時間的照射。 3：化學制劑 / pH值環境:請勿在PH值范圍可能導致腐蝕或溶解石英晶振或包裝材料的環境下使用或儲藏這些產品。村田晶振,MCR1210晶振,XRCED37M400FXQ52R0晶振
4：粘合劑:請勿使用可能導致進口石英晶振所用的封裝材料,終端,組件,玻璃材料以及氣相沉積材料等受到腐蝕的膠粘劑。（比如,氯基膠粘劑可能腐蝕一個晶振的金屬“蓋”,從而破壞密封質量,降低性能。） 5：鹵化合物:請勿在鹵素氣體環境下使用晶振。即使少量的鹵素氣體,比如在空氣中的氯氣內或封裝所用金屬部件內,都可能產生腐蝕。同時,請勿使用任何會釋放出鹵素氣體的樹脂。6：靜電:過高的靜電可能會損壞貼片晶振,請注意抗靜電條件。請為容器和封裝材料選擇導電材料。在處理的時候,請使用電焊槍和無高電壓泄漏的測量電路,并進行接地操作。
晶振產品使用每種產品時,請在進口貼片晶振規格說明或產品目錄規定使用條件下使用。因很多種晶振產品性能,以及材料有所不同,所以使用注意事項也有所不同,比如焊接模式,運輸模式,保存模式等等,都會有所差別。

驅動能力:驅動能力說明1210mm金屬面石英晶體振蕩晶體單元所需電功率，其計算公式如下：驅動能力 (P) = i2?Re其中i表示經過晶體單元的電流，Re表示晶體單元的有效電阻，而且 Re=R1（1+Co/CL）2。村田晶振,MCR1210晶振,XRCED37M400FXQ52R0晶振

測試條件:(1) 電源電壓? 超過 150µs，直到電壓級別從 0 %達到 90 % 。? 電源電壓阻抗低于電阻 2Ω。(2) 其他? 輸入電容低于 15 pF? 5倍頻率范圍或更多測量頻率。? 鉛探頭應盡可能短。? 測量頻率時，探頭阻抗將高于1MΩ。當波形經過1210nn石英晶體振蕩器的放大器時，可同時進行測量。(3) 其他? CL包含探頭電容。? 應使用帶有小的內部阻抗的電表。? 使用微型插槽，以觀察波形。（請勿使用該探頭的長接地線）

1、振蕩電路:晶體諧振器是無源元件，因此受到電源電壓、環境溫度、電路的影響。配置、電路常數和襯底布線模式等操作大致分為正常運行和異常運行。因此，在振蕩電路的設計中，先決條件之一是如何確定1210mm貼片晶振振蕩電路。晶體諧振器的振動安全穩定。只有在做出了這個決定之后，后續的項目，例如討論了頻率精度、頻率變化、調制度、振蕩起始時間和振蕩波形。