NDK集團(tuán)作為頻率的綜合生產(chǎn)企業(yè)，為了向客戶提供高信賴性品質(zhì)的產(chǎn)品，我們始終追求最高品質(zhì)的產(chǎn)品生產(chǎn)和服務(wù)，以「通過對(duì)客戶的服務(wù)，為社會(huì)繁榮和世界和平作貢獻(xiàn)」這樣的公司創(chuàng)業(yè)理念作為我們的使命，今后也會(huì)為社會(huì)的[安全?安心?舒適]作出貢獻(xiàn)。請(qǐng)各位繼續(xù)給予我們支持！
NDK晶振集團(tuán)將確保其產(chǎn)品及相關(guān)設(shè)施滿足甚至超出國(guó)家的、州立的以及地方環(huán)保機(jī)構(gòu)的相關(guān)法規(guī)規(guī)定及其他要求,同時(shí)該公司盡可能的參與并協(xié)助政府機(jī)關(guān)和其他官方組織從事的環(huán)保活動(dòng)。 在地方對(duì)各項(xiàng)設(shè)施的管理責(zé)任中,確保滿足方針的目標(biāo)指標(biāo),同時(shí)在各種經(jīng)營(yíng)與生產(chǎn)活動(dòng)中完全遵守并符合現(xiàn)行所有標(biāo)準(zhǔn)規(guī)范的要求。

NDK晶振,貼片晶振,NX1610SA晶振.貼片表晶32.768K系列具有超小型,薄型,質(zhì)地輕的表面貼片音叉型石英晶體諧振器,晶振產(chǎn)品本身具備優(yōu)良的耐熱性,耐環(huán)境特性,在辦公自動(dòng)化,家電領(lǐng)域,移動(dòng)通信領(lǐng)域可發(fā)揮優(yōu)良的電氣特性,符合無鉛標(biāo)準(zhǔn),滿足無鉛焊接的回流溫度曲線要求,金屬外殼的石英晶振使得產(chǎn)品在封裝時(shí)能發(fā)揮比陶瓷晶振外殼更好的耐沖擊性能.
NDK貼片晶振晶片邊緣處理技術(shù)：貼片晶振是晶片通過滾筒倒邊，主要是為了去除石英晶振晶片的邊緣效應(yīng)，在實(shí)際操作中機(jī)器運(yùn)動(dòng)方式設(shè)計(jì)、滾筒的曲率半徑、滾筒的長(zhǎng)短、使用的研磨砂的型號(hào)、多少、填充物種類及多少等各項(xiàng)設(shè)計(jì)必須合理，有一項(xiàng)不完善都會(huì)使晶振晶片的邊緣效應(yīng)不能去除，而石英晶振晶片的諧振電阻過大，用在電路中Q值過小，從而電路不能振動(dòng)或振動(dòng)了不穩(wěn)定。

＜晶體諧振器＞
如果過大的激勵(lì)電力對(duì)石英晶體諧振器外加電壓，有可能導(dǎo)致特性老化或損壞，因此請(qǐng)?jiān)谛麄鲀?cè)、規(guī)格書中規(guī)定的范圍內(nèi)使用。讓無源晶振振蕩的電路寬裕度大致為負(fù)性阻抗值。本公司推薦此負(fù)性阻抗為諧振器串聯(lián)電阻規(guī)格值的5倍以上，若是車載和安全設(shè)備，則推薦10倍 以上。
＜晶體振蕩器＞
晶體振蕩器的內(nèi)部電路使用C-MOS。閉鎖、靜電對(duì)策請(qǐng)和一般的C-MOS IC一樣考慮。有些石英晶體振蕩器沒有和旁路電容器進(jìn)行內(nèi)部連接。使用時(shí)，請(qǐng)?jiān)赩dd-GND之間用0.01μF左右的高頻特性較好的電容器（陶瓷片狀電容器等）以 最短距離連接。關(guān)于個(gè)別機(jī)型請(qǐng)確認(rèn)宣傳冊(cè)、規(guī)格書。
＜晶體濾波器＞
注意電路板圖形的配置，避免輸入端子和輸出端子靠得太近。如果貼裝晶體濾光片的電路板的雜散電容較大，為了消除該雜散電容，有時(shí)需要配置調(diào)諧電路。如果過大的激勵(lì)電力對(duì)諧振器外加電壓，有可能導(dǎo)致特性老化或損壞，因此請(qǐng)?jiān)跒V波器的輸入電平在−10dBm以下的狀態(tài)下使用。
＜光學(xué)產(chǎn)品＞
由于制造過程中進(jìn)行了灰塵等異物管理，因此包裝開封以后，請(qǐng)?jiān)谶M(jìn)行清潔度管理的環(huán)境中使用。

設(shè)計(jì)振蕩回路的注意事項(xiàng)
1.驅(qū)動(dòng)能力
驅(qū)動(dòng)能力說明振蕩晶體單元所需電功率，其計(jì)算公式如下：
驅(qū)動(dòng)能力 (P) = i2_Re
其中i表示經(jīng)過晶體單元的電流，
Re表示晶體單元的有效電阻，而且 Re=R1（1+Co/CL）2。

2.振蕩補(bǔ)償
除非在振蕩電路中提供足夠的負(fù)極電阻，否則會(huì)增加振蕩啟動(dòng)時(shí)間，或不發(fā)生振蕩。為避免該情況發(fā)生，請(qǐng)?jiān)陔娐吩O(shè)計(jì)時(shí)提供足夠的負(fù)極電阻。

3.負(fù)載電容
如果振蕩電路中負(fù)載電容的不同，可能導(dǎo)致振蕩頻率與設(shè)計(jì)頻率之間產(chǎn)生偏差，如下圖所示。電路中的負(fù)載電容的近似表達(dá)式 CL≒CG × CD / （CG+CD） + CS。
其中CS表示電路的雜散電容。

頻率和負(fù)載電容特征圖器

振蕩回路參數(shù)設(shè)置參考