計時產品提供了所有數字電子系統的心跳。在所有主要的市場中，有超過5000個客戶在200多個應用中使用SiTime產品。我們的最高容量設計是在網絡、消費者、計算和存儲領域。2011年，我們開始為電信、無線和工業應用提供產品。SiTime的基于內存的硅計時解決方案受益于廣泛的應用。作為石英晶振的替代品，SiTime的振蕩器和時鐘發生器已經成功地將石英計時工業轉化為硅基產品。
SiTime改變了時機市場。在過去的幾十年里，石英晶體振蕩器、溫補晶振、時鐘發生器和諧振器是電子器件中主要的參考計時元件。由于沒有其他選擇，oem和ODMs接受了石英計時設備的固有限制。現在，隨著強大的MEMS諧振器和高性能模擬電路的出現，SiTime已經開發出了克服石英器件局限性的突破性解決方案。除了MEMS和模擬電路的專業知識外，SiTime還具備以優異的質量和可靠性交付大量產品的能力。7050普通有源晶體,陶瓷封裝晶體振蕩器,SiT8002AA晶振

SiTime晶振,陶瓷面有源晶振,SiT8002AA晶振.適用于時鐘發生器，工業和太空/衛星應用.MEMS諧振器的體積比石英諧振器小1000倍，并且建在大批量的CMOS工廠中，而不是小型的定制生產設備。 由于體積小，體積大，制造工藝簡單，MEMS振蕩器本身更加可靠，性能更加穩定，一直處于備貨狀態.SiT8002AA通過消除石英晶體諧振器，對振動，沖擊，應變等環境影響 ，絕對濕度。
SiTime貼片晶振的切型。采用高速線切割技術：1.優化及嚴格規范線切割機各項設備參數；2.通過試驗精選所使用的各類線切割料，如：磨料、線切割線、槽輪等；3.確認最優的石英晶振切割工藝參數。通過以上方法使切割出的貼片晶振晶片在厚度一致性、平行度、表面粗糙度上都超越其它切割方式，提高了石英晶振晶片的精度，提高了生產效率。

＜晶體諧振器＞
如果過大的激勵電力對SMD晶體外加電壓，有可能導致特性老化或損壞，因此請在宣傳冊、規格書中規定的范圍內使用。
讓無源晶振振蕩的電路寬裕度大致為負性阻抗值。本公司推薦此負性阻抗為諧振器串聯電阻規格值的5倍以上，若是車載和安全設備，則推薦10倍 以上。7050普通有源晶體,陶瓷封裝晶體振蕩器,SiT8002AA晶振
＜晶體振蕩器＞
晶體振蕩器的內部電路使用C-MOS。閉鎖、靜電對策請和一般的C-MOS IC一樣考慮。
有些石英晶體振蕩器沒有和旁路電容器進行內部連接。使用時，請在Vdd-GND之間用0.01μF左右的高頻特性較好的電容器（陶瓷片狀電容器等）以 最短距離連接。關于個別機型請確認宣傳冊、規格書。
＜晶體濾波器＞
注意電路板圖形的配置，避免輸入端子和輸出端子靠得太近。如果貼裝晶體濾光片的電路板的雜散電容較大，為了消除該雜散電容，有時需要配置調諧電路。如果過大的激勵電力對諧振器外加電壓，有可能導致特性老化或損壞，因此請在濾波器的輸入電平在−10dBm以下的狀態下使用。
＜光學產品＞
由于制造過程中進行了灰塵等異物管理，因此包裝開封以后，請在進行清潔度管理的環境中使用。SiTime晶振,陶瓷面有源晶振,SiT8002AA晶振

設計振蕩回路的注意事項
1.驅動能力
驅動能力說明硅MEMS振蕩器單元所需電功率，其計算公式如下：
驅動能力 (P) = i2_Re
其中i表示經過晶體單元的電流，
Re表示晶體單元的有效電阻，而且 Re=R1（1+Co/CL）2。SiTime晶振,陶瓷面有源晶振,SiT8002AA晶振

2.振蕩補償
除非在振蕩電路中提供足夠的負極電阻，否則會增加2520四腳貼片晶振振蕩啟動時間，或不發生振蕩。為避免該情況發生，請在電路設計時提供足夠的負極電阻。

3.負載電容
如果振蕩電路中負載電容的不同，可能導致振蕩頻率與設計頻率之間產生偏差，如下圖所示。電路中的負載電容的近似表達式 CL≒CG × CD / （CG+CD） + CS。
其中CS表示電路的雜散電容。7050普通有源晶體,陶瓷封裝晶體振蕩器,SiT8002AA晶振

頻率和負載電容特征圖器

振蕩回路參數設置參考