京瓷突破750Mbps水下光通信開啟海洋通信新時代
水下射頻信號通信也困難重重.海水對射頻信號有很強的屏蔽作用,信號穿透海水的能力與頻率緊密相關,只有甚低頻(3-30kHz)這樣的低頻率射頻信號才能在海水中進行有限傳播.潛艇等水下設備通常使用超低頻和甚低頻通信,速率僅300b/s左右.再加上射頻信號在水中傳輸時的趨膚效應,傳輸距離極為受限,僅適用于近距離水下通信,遠遠無法完成未來遠距離,高速率的水下信息傳輸任務.
水下聲波通信是目前最成熟的水下遠距離通信手段,在軍事,石油深海勘探,深海載人科考等領域廣泛應用.但它也有明顯不足,其頻帶帶寬被限制在20kHz以內,由于多徑傳播會導致延遲增加,數據相互干擾,大大降低了通信速率,傳輸速率只有幾十kb/s.這些嚴重的延遲和串擾影響,顯然無法滿足日益增長的水下通信需求.
隨著海洋開發活動的日益頻繁,如深海探測,水下作業,海洋監測等,對高速,穩定,長距離的水下通信技術需求愈發迫切.無論是科學家們對深海生物的研究,還是工程師們進行海底工程建設,亦或是軍事領域對水下作戰信息的及時傳遞,都急需一種突破性的水下通信技術,來打破當前的困境,實現更高效,更便捷的水下信息交互.而京瓷在實海試驗中成功實現的750Mbps短距離水下光無線通信技術,無疑為解決這一難題帶來了新的曙光.
京瓷的黑科技登場
在眾多科研團隊和企業為水下通信難題絞盡腦汁之時,京瓷脫穎而出,成功實現了全球最快的750Mbps短距離水下光無線通信技術,并在實海試驗中取得了令人矚目的成果,宛如一顆耀眼的新星,照亮了水下通信的未來之路.
京瓷此次的技術突破并非一蹴而就.早在2021年,京瓷通過收購美國初創企業,獲得了比發光二極管(LED)輸出功率高約100倍的激光技術.此后,京瓷將自身在5G等通信相關技術與高功率藍色激光技術深度融合,致力于在水下實現高速通信.經過多年的不懈努力和艱苦研發,終于在短距離水下光無線通信領域取得了重大進展.
此次實海試驗的成功,充分驗證了京瓷這項技術的先進性和可靠性.在實際的海洋環境中,各種復雜因素交織,如海水的渾濁度,鹽度,溫度變化等,都會對通信信號產生干擾.然而,京瓷的750Mbps短距離水下光無線通信技術卻能在這樣的環境中穩定運行,展現出強大的適應能力.與當前主要使用的速度為幾十Mbit/s的水下通信設備相比,京瓷的技術速率實現了質的飛躍,能夠在短時間內傳輸大量的數據,大大提高了水下通信的效率.
為了讓大家更直觀地感受這一技術的優勢,我們不妨做個簡單的對比.假設要傳輸一段高清的水下探測視頻,按照傳統水下通信設備幾十Mbit/s的速度,可能需要花費數小時甚至更長時間才能完成傳輸,而且在傳輸過程中還可能因為信號干擾而出現卡頓,中斷等情況.而采用京瓷的750Mbps技術,同樣的視頻傳輸可能只需短短幾分鐘,不僅速度大幅提升,傳輸的穩定性和流暢性也得到了有力保障,讓人們能夠實時,清晰地獲取水下的信息.
技術原理大揭秘
京瓷的750Mbps短距離水下光無線通信技術之所以能夠實現如此高速的通信,關鍵在于其采用藍色激光替代了傳統的電波進行通信.這一創新的技術選擇,背后蘊含著深刻的科學原理和精妙的技術設計.
在傳統的水下通信中,電波由于海水的強屏蔽作用,傳輸距離極為有限,信號衰減嚴重.而激光作為一種高頻率的光波,具有獨特的物理特性,使其在水下通信中展現出明顯的優勢.激光的方向性好,發散角極小,商業化的氣體激光器發散角通常在10^-3弧度量級,這意味著激光的能量高度集中,能夠在水下實現長距離的傳輸,減少了信號在傳輸過程中的能量損耗.而且激光的頻率高,帶寬可達到數百兆赫茲至數十吉赫茲,為高速數據傳輸提供了堅實的基礎,使其能夠承載大量的數據信息,實現高效的通信.
具體到水下環境,海水對不同波長的光有著不同的吸收和散射特性.京瓷選擇的藍色激光,其波長在海水的"窗口”范圍內,在這個波長區間,光在海水中的衰減相對較小,能夠傳播較遠的距離.據相關研究表明,藍色激光在清澈海水中的傳輸距離可達100米以上,這為短距離水下通信提供了可行性.
然而,要實現穩定,高速的水下激光通信,并非易事.激光在水下傳輸時,會受到海水的吸收,散射以及水中懸浮顆粒,浮游生物等的影響.這些因素會導致信號衰減,失真,嚴重影響通信質量.為了克服這些技術難題,京瓷的科研團隊進行了大量的研究和實驗.他們研發了先進的激光發射和接收系統,通過優化光學設計,提高激光的發射功率和接收靈敏度,以增強信號的強度和穩定性.同時,利用復雜的信號處理算法,對接收的信號進行去噪,糾錯等處理,有效提高了信號的質量,確保了高速,準確的數據傳輸.
以信號處理算法為例,京瓷的科研團隊采用了自適應濾波技術,根據海水環境的實時變化,自動調整濾波器的參數,對信號中的噪聲進行有效濾除.在遇到水中懸浮顆粒較多,導致信號散射嚴重時,自適應濾波技術能夠及時識別并調整,使得通信信號依然能夠保持清晰,穩定.通過這些技術手段的綜合應用,京瓷成功實現了750Mbps短距離水下光無線通信技術的突破,為水下通信領域帶來了新的希望和發展方向.
應用場景展望
京瓷的750Mbps短距離水下光無線通信技術,以其卓越的性能,為眾多領域帶來了前所未有的發展機遇,具有廣闊的應用前景.
在海上風力發電設備檢查領域,這一技術將發揮巨大作用.海上風力發電作為清潔能源的重要來源,近年來發展迅速.然而,海上環境復雜惡劣,風力發電設備長期處于高鹽,高濕,強風等環境中,設備的安全性和穩定性面臨嚴峻考驗.定期對設備進行檢查和維護至關重要,但傳統的檢查方式往往依賴人工,不僅效率低下,而且存在安全風險.有了京瓷的水下光無線通信技術,可利用水下無人機搭載高清攝像頭和傳感器,通過高速通信技術將設備的實時圖像和數據傳輸到控制中心.工作人員可以在陸地上實時,清晰地查看設備的運行狀況,及時發現潛在問題,如葉片的磨損,部件的松動等,大大提高了檢查效率和準確性,降低了維護成本和安全風險.
在水下無人機操控方面,該技術也將帶來革命性的變化.水下無人機在海洋探測,水下考古,海洋生物研究等領域應用廣泛,但目前水下無人機的通信存在嚴重的延遲和低速率問題,限制了其功能的發揮.京瓷的750Mbps短距離水下光無線通信技術,能夠實現水下無人機與控制站之間的高速,實時通信,使操作人員能夠對水下無人機進行精準控制.在水下考古中,操作人員可以根據實時傳回的高清圖像,精確控制水下無人機對文物進行細致的拍攝和探測,獲取更全面,準確的文物信息;在海洋生物研究中,也能實時跟蹤海洋生物的活動,記錄它們的行為,為科學研究提供更豐富的數據.
海洋資源勘探是另一個重要的應用領域.海洋中蘊藏著豐富的礦產資源,油氣資源等,對這些資源的勘探和開發需要高效的通信技術支持.京瓷的水下光無線通信技術,可以幫助勘探設備快速,準確地將采集到的數據傳輸到地面控制中心.在深海礦產勘探中,水下探測器可以通過該技術將探測到的礦產分布,儲量等信息及時傳輸回來,為后續的開采決策提供依據.而且,高速通信技術還能實現多個勘探設備之間的協同工作,提高勘探效率,降低勘探成本.
行業影響與競爭格局
京瓷在短距離水下光無線通信技術上的重大突破,猶如一顆投入行業湖面的巨石,激起層層漣漪,對水下通信行業產生了深遠的影響.
從技術層面來看,京瓷的750Mbps短距離水下光無線通信技術為行業樹立了新的標桿.其高速率的數據傳輸能力,讓其他企業紛紛聚焦于藍色激光通信技術的研發,推動了整個行業技術的升級和創新.在京瓷成果的刺激下,眾多科研團隊和企業加大了在水下光通信領域的研發投入,加速了技術迭代的步伐,促使更多先進的通信算法,光學材料和設備不斷涌現,有望在未來進一步提高水下通信的速率和穩定性,拓展通信距離.
在市場競爭格局方面,京瓷憑借這一技術優勢,在水下通信市場中搶占了先機,提升了自身的市場競爭力.目前,水下通信市場主要被一些傳統的通信設備制造商和新興的水下技術企業占據,如OceanTechnologySystems,WSense,Subnero等.京瓷的加入,使得市場競爭更加激烈.它憑借先進的技術,吸引了眾多潛在客戶的關注,有望在海上風力發電設備檢查,水下無人機操控,海洋資源勘探等應用領域獲得更多的市場份額.這也迫使其他企業加大研發力度,推出更具競爭力的產品和服務,以保持市場地位,從而促進了市場的良性競爭和發展.
與其他企業的技術進展相比,京瓷的技術在速率上具有明顯的優勢.島津制作所計劃在2030年之前開發出可在水下將數據傳輸到200米遠處的設備,其2022年推出的設備能以10Gbit/s的速度向80米遠處收發數據,雖然傳輸速度較高,但距離相對較短,且應用場景可能相對受限.松下控股則將開發在渾濁的海中也可以實施通信的設備,以1Mbit/s以上的通信速度為目標,與京瓷的750Mbps相比,速率差距較大.NEC計劃于2024年度商用化利用聲波長距離通信的設備,通信速度為幾十Kbit/s,遠遠無法與京瓷的高速通信技術相媲美.不過,其他企業也在各自的優勢領域不斷深耕,如島津制作所在傳輸距離的拓展上持續努力,松下控股針對渾濁海水環境開發通信設備,NEC專注于長距離聲通信技術,這些技術在不同的應用場景下都有其獨特的價值.
展望行業未來發展趨勢,隨著全球對海洋資源開發的重視程度不斷提高,水下通信市場需求將持續增長.預計未來,水下光無線通信技術將朝著更高速率,更遠距離,更強抗干擾能力的方向發展.在應用方面,除了現有的海上風力發電,水下無人機,海洋資源勘探等領域,還將拓展到更多新興領域,如海洋生物監測,水下城市建設等.而且,多種通信技術融合的趨勢也將愈發明顯,水下光通信,聲波通信,射頻通信等技術將相互補充,根據不同的應用場景和需求,靈活組合使用,以實現更高效,更穩定的水下通信.
京瓷突破750Mbps水下光通信開啟海洋通信新時代
KC2520Z20.0000C15XXK | KYOCERA京瓷晶振 | KC2520Z | XO | 20 MHz | CMOS | 1.71V ~ 3.63V | ±30ppm |
KC2520Z100.000C15XXK | KYOCERA京瓷晶振 | KC2520Z | XO | 100 MHz | CMOS | 1.71V ~ 3.63V | ±30ppm |
KC3225K20.0000C1GE00 | KYOCERA京瓷晶振 | KC3225K | XO | 20 MHz | CMOS | 1.6V ~ 3.63V | ±50ppm |
KC2016K24.0000C1GE00 | KYOCERA京瓷晶振 | KC2016K | XO | 24 MHz | CMOS | 1.6V ~ 3.63V | ±50ppm |
KC2520K24.0000C1GE00 | KYOCERA京瓷晶振 | KC2520K | XO | 24 MHz | CMOS | 1.6V ~ 3.63V | ±50ppm |
KC2520K33.3333C1GE00 | KYOCERA京瓷晶振 | KC2520K | XO | 33.3333 MHz | CMOS | 1.6V ~ 3.63V | ±50ppm |
MC2520Z25.0000C19XSH | KYOCERA京瓷晶振 | MC2520Z | XO | 25 MHz | CMOS | 1.71V ~ 3.63V | ±30ppm |
MC2016Z10.0000C19XSH | KYOCERA京瓷晶振 | MC2016Z | XO | 10 MHz | CMOS | 1.71V ~ 3.63V | ±30ppm |
MC2520Z33.3333C19XSH | KYOCERA京瓷晶振 | MC2520Z | XO | 33.3333 MHz | CMOS | 1.71V ~ 3.63V | ±30ppm |
KC2520C25.0000C1LE00 | KYOCERA京瓷晶振 | KC2520C-C1 | XO | 25 MHz | CMOS | 1.8V | ±15ppm |
KC2520C40.0000C2LE00 | KYOCERA京瓷晶振 | KC2520C-C2 | XO | 40 MHz | CMOS | 2.5V, 3.3V | ±15ppm |
MC2016K25.0000C16ESH | KYOCERA京瓷晶振 | MC2016K | XO | 25 MHz | CMOS | 1.6V ~ 3.63V | ±50ppm |
KC2520Z4.09600C1KX00 | KYOCERA京瓷晶振 | KC2520Z | XO | 4.096 MHz | CMOS | 1.71V ~ 3.63V | ±20ppm |
KC2520Z1.84320C1KX00 | KYOCERA京瓷晶振 | KC2520Z | XO | 1.8432 MHz | CMOS | 1.71V ~ 3.63V | ±20ppm |
KC2520Z8.00000C1KX00 | KYOCERA京瓷晶振 | KC2520Z | XO | 8 MHz | CMOS | 1.71V ~ 3.63V | ±20ppm |
KC2016Z12.0000C1KX00 | KYOCERA京瓷晶振 | KC2016Z | XO | 12 MHz | CMOS | 1.71V ~ 3.63V | ±20ppm |
KC2520Z11.2896C1KX00 | KYOCERA京瓷晶振 | KC2520Z | XO | 11.2896 MHz | CMOS | 1.71V ~ 3.63V | ±20ppm |
KC2520Z33.3333C1KX00 | KYOCERA京瓷晶振 | KC2520Z | XO | 33.3333 MHz | CMOS | 1.71V ~ 3.63V | ±20ppm |
KC2520Z50.0000C1KX00 | KYOCERA京瓷晶振 | KC2520Z | XO | 50 MHz | CMOS | 1.71V ~ 3.63V | ±20ppm |
KC2520Z25.0000C1KX00 | KYOCERA京瓷晶振 | KC2520Z | XO | 25 MHz | CMOS | 1.71V ~ 3.63V | ±20ppm |
KC2520Z24.0000C1KX00 | KYOCERA京瓷晶振 | KC2520Z | XO | 24 MHz | CMOS | 1.71V ~ 3.63V | ±20ppm |
KC2016Z8.00000C1KX00 | KYOCERA京瓷晶振 | KC2016Z | XO | 8 MHz | CMOS | 1.71V ~ 3.63V | ±20ppm |
KC2016Z50.0000C1KX00 | KYOCERA京瓷晶振 | KC2016Z | XO | 50 MHz | CMOS | 1.71V ~ 3.63V | ±20ppm |
KC2016Z40.0000C1KX00 | KYOCERA京瓷晶振 | KC2016Z | XO | 40 MHz | CMOS | 1.71V ~ 3.63V | ±20ppm |
KC2016Z24.0000C1KX00 | KYOCERA京瓷晶振 | KC2016Z | XO | 24 MHz | CMOS | 1.71V ~ 3.63V | ±20ppm |
KC2520Z25.0000C15XXK | KYOCERA京瓷晶振 | KC2520Z | XO | 25 MHz | CMOS | 1.71V ~ 3.63V | ±30ppm |
KC2016Z10.0000C15XXK | KYOCERA京瓷晶振 | KC2016Z | XO | 10 MHz | CMOS | 1.71V ~ 3.63V | ±30ppm |
KC2016Z25.0000C15XXK | KYOCERA京瓷晶振 | KC2016Z | XO | 25 MHz | CMOS | 1.71V ~ 3.63V | ±30ppm |
KC2520Z24.0000C15XXK | KYOCERA京瓷晶振 | KC2520Z | XO | 24 MHz | CMOS | 1.71V ~ 3.63V | ±30ppm |
KC2016Z50.0000C15XXK | KYOCERA京瓷晶振 | KC2016Z | XO | 50 MHz | CMOS | 1.71V ~ 3.63V | ±30ppm |
KC2016Z24.0000C15XXK | KYOCERA京瓷晶振 | KC2016Z | XO | 24 MHz | CMOS | 1.71V ~ 3.63V | ±30ppm |
KC3225K27.0000C1GE00 | KYOCERA京瓷晶振 | KC3225K | XO | 27 MHz | CMOS | 1.6V ~ 3.63V | ±50ppm |
KC3225K33.3333C1GE00 | KYOCERA京瓷晶振 | KC3225K | XO | 33.3333 MHz | CMOS | 1.6V ~ 3.63V | ±50ppm |
KC2520Z33.0000C15XXK | KYOCERA京瓷晶振 | KC2520Z | XO | 33 MHz | CMOS | 1.71V ~ 3.63V | ±30ppm |
KC2520Z16.0000C15XXK | KYOCERA京瓷晶振 | KC2520Z | XO | 16 MHz | CMOS | 1.71V ~ 3.63V | ±30ppm |
KC2016Z12.2880C15XXK | KYOCERA京瓷晶振 | KC2016Z | XO | 12.288 MHz | CMOS | 1.71V ~ 3.63V | ±30ppm |
KC2016Z100.000C15XXK | KYOCERA京瓷晶振 | KC2016Z | XO | 100 MHz | CMOS | 1.71V ~ 3.63V | ±30ppm |
KC2016Z33.3333C15XXK | KYOCERA京瓷晶振 | KC2016Z | XO | 33.3333 MHz | CMOS | 1.71V ~ 3.63V | ±30ppm |
KC3225Z25.0000C15XXK | KYOCERA京瓷晶振 | KC3225Z | XO | 25 MHz | CMOS | 1.71V ~ 3.63V | ±30ppm |
KC2520Z7.37280C15XXK | KYOCERA京瓷晶振 | KC2520Z | XO | 7.3728 MHz | CMOS | 1.71V ~ 3.63V | ±30ppm |
KC2016K16.0000C1GE00 | KYOCERA京瓷晶振 | KC2016K | XO | 16 MHz | CMOS | 1.6V ~ 3.63V | ±50ppm |
KC2520K24.5760C1GE00 | KYOCERA京瓷晶振 | KC2520K | XO | 24.576 MHz | CMOS | 1.6V ~ 3.63V | ±50ppm |
KC3225K80.0000C1GE00 | KYOCERA京瓷晶振 | KC3225K | XO | 80 MHz | CMOS | 1.6V ~ 3.63V | ±50ppm |
KC2016K4.00000C1GE00 | KYOCERA京瓷晶振 | KC2016K | XO | 4 MHz | CMOS | 1.6V ~ 3.63V | ±50ppm |
MC2520Z12.0000C19XSH | KYOCERA京瓷晶振 | MC2520Z | XO | 12 MHz | CMOS | 1.71V ~ 3.63V | ±30ppm |
MC3225Z8.00000C19XSH | KYOCERA京瓷晶振 | MC3225Z | XO | 8 MHz | CMOS | 1.71V ~ 3.63V | ±30ppm |
MC2520Z16.0000C19XSH | KYOCERA京瓷晶振 | MC2520Z | XO | 16 MHz | CMOS | 1.71V ~ 3.63V | ±30ppm |
MC2520Z50.0000C19XSH | KYOCERA京瓷晶振 | MC2520Z | XO | 50 MHz | CMOS | 1.71V ~ 3.63V | ±30ppm |
MC2520Z8.00000C19XSH | KYOCERA京瓷晶振 | MC2520Z | XO | 8 MHz | CMOS | 1.71V ~ 3.63V | ±30ppm |
MC3225Z25.0000C19XSH | KYOCERA京瓷晶振 | MC3225Z | XO | 25 MHz | CMOS | 1.71V ~ 3.63V | ±30ppm |
MC2520Z24.5760C19XSH | KYOCERA京瓷晶振 | MC2520Z | XO | 24.576 MHz | CMOS | 1.71V ~ 3.63V | ±30ppm |
MC3225Z50.0000C19XSH | KYOCERA京瓷晶振 | MC3225Z | XO | 50 MHz | CMOS | 1.71V ~ 3.63V | ±30ppm |
MC2520Z4.09600C19XSH | KYOCERA京瓷晶振 | MC2520Z | XO | 4.096 MHz | CMOS | 1.71V ~ 3.63V | ±30ppm |
KC2520C40.0000C2YE00 | KYOCERA京瓷晶振 | KC2520C-C2 | XO | 40 MHz | CMOS | 2.5V, 3.3V | ±10ppm |
KC2520C26.0000C1LE00 | KYOCERA京瓷晶振 | KC2520C-C1 | XO | 26 MHz | CMOS | 1.8V | ±15ppm |
KC5032A100.000C1GE00 | KYOCERA京瓷晶振 | KC5032A-C1 | XO | 100 MHz | CMOS | 1.6V ~ 3.63V | ±50ppm |
MC2016K40.0000C16ESH | KYOCERA京瓷晶振 | MC2016K | XO | 40 MHz | CMOS | 1.6V ~ 3.63V | ±50ppm |
KC2016Z25.0000C1KX00 | KYOCERA京瓷晶振 | KC2016Z | XO | 25 MHz | CMOS | 1.71V ~ 3.63V | ±20ppm |
KC3225Z16.0000C1KX00 | KYOCERA京瓷晶振 | KC3225Z | XO | 16 MHz | CMOS | 1.71V ~ 3.63V | ±20ppm |
KC2520Z13.5600C1KX00 | KYOCERA京瓷晶振 | KC2520Z | XO | 13.56 MHz | CMOS | 1.71V ~ 3.63V | ±20ppm |