AEL在英國，日本，臺灣，南韓等地區使用精心挑選的晶振生產基地網絡。韓國中國和美國使我們能夠為這類組件提供真正的全球采購。這降低了這種高需求產品類型供應中斷的風險。我們通過實施全面的英國庫存政策進一步提高可用性。我們AEL晶體有限公司已借此機會為您提供最新的信息供您參考。
我們與所有供應商建立了長期的合作關系，并擁有悠久的高品質和無故障供應歷史。我們的一些制造合作伙伴已經為AEL生產了超過10年的石英晶振產品。這使我們能夠自信地提供一個批次的可靠性，質量，一致性和可重復性的可靠記錄.AEL晶體有限公司是ISO 9002-2008認可的供應商，目前管理著廣泛的國際認可的藍籌客戶。
石英晶振多層、多金屬的濺射鍍膜技術：是目前研發及生產高精度、高穩定性石英晶體諧振器元器件——石英晶振必須攻克的關鍵技術之一。石英晶振該選用何鍍材、鍍幾種材料、幾種鍍材的鍍膜順序，鍍膜的工藝方法（如各鍍材的功率設計等）。使用此鍍膜方法使鍍膜后的晶振附著力增強，貼片晶振頻率更加集中，能控制在最小ppm之內。
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AEL晶振 |
單位 |
60637晶振 |
石英晶振基本條件 |
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標準頻率 |
f_nom |
3.5~70MHZ |
標準頻率 |
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儲存溫度 |
T_stg |
-55°C~+125°C |
裸存 |
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工作溫度 |
T_use |
-40°C~+85°C |
標準溫度 |
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激勵功率 |
DL |
100μW Max. |
推薦:100μW |
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頻率公差 |
f_— l |
±50× 10-6 |
+25°C對于超出標準的規格說明, |
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頻率溫度特征 |
f_tem |
±50× 10-6/-30°C~+85°C |
超出標準的規格請聯系我們. |
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負載電容 |
CL |
30PF |
不同負載電容要求,請聯系我們. |
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串聯電阻(ESR) |
R1 |
如下表所示 |
-40°C~+85°C,DL = 100μW |
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頻率老化 |
f_age |
±5× 10-6/year Max. |
+25°C,第一年 |
石英進口晶振自動安裝和真空化引發的沖擊會破壞產品特性并影響這些產品。請設置安裝條件以盡可能將沖擊降至最低,并確保在安裝前未對晶振特性產生影響。條件改變時,請重新檢查安裝條件。同時,在安裝前后,請確保石英晶振產品未撞擊機器或其他電路板等。AEL晶振,貼片晶振,60637晶振,無源晶振
每個封裝類型的注意事項:(1)陶瓷包裝晶振與SON產品:在焊接陶瓷封裝晶振和SON產品 (陶瓷包裝是指晶振外觀采用陶瓷制品) 之后,彎曲電路板會因機械應力而導致焊接部分剝落或封裝分裂（開裂）。尤其在焊接這些產品之后進行電路板切割時,務必確保在應力較小的位置布局晶體并采用應力更小的切割方法。
（2）陶瓷包裝石英晶振:在一個不同擴張系數電路板（環氧玻璃）上焊接陶瓷封裝進口貼片晶振時,在溫度長時間重復變化時可能導致端子焊接部分發生斷裂,請事先檢查焊接特性。陶瓷封裝貼片晶振:在一個不同擴張系數電路板（環氧玻璃）上焊接陶瓷封裝貼片晶振時,在溫度長時間重復變化時可能導致端子焊接部分發生斷裂,請事先檢查焊接特性。
此外，振蕩頻率與測量點不同。1。測量全面陶瓷封裝諧振器緩沖輸出2。振蕩級輸出測量三.通過電容器測量振蕩級輸出圖5示出以上1-3個測量點和所測量的除緩沖器輸出外，振蕩頻率較低。AEL晶振,貼片晶振,60637晶振,無源晶振
測試條件:(1)電源電壓:超過 150µs，直到電壓級別從 0 %達到 90 % 。電源電壓阻抗低于電阻 2Ω。(2)其他:輸入電容低于 15 pF5倍頻率范圍或更多測量頻率。鉛探頭應盡可能短。測量黑面陶瓷晶振頻率時，探頭阻抗將高于 1MΩ。當波形經過振蕩器的放大器時，可同時進行測量。(3)其他:CL包含探頭電容。應使用帶有小的內部阻抗的電表。使用微型插槽，以觀察波形。（請勿使用該探頭的長接地線）.
1.振蕩電路:晶體諧振器是無源元件，因此受到石英陶瓷面晶振電源電壓、環境溫度、電路的影響。配置、電路常數和襯底布線模式等操作大致分為正常運行和異常運行。因此，在振蕩電路的設計中，先決條件之一是如何確定振蕩電路。晶體諧振器的振動安全穩定。只有在做出了這個決定之后，后續的項目，例如討論了頻率精度、頻率變化、調制度、振蕩起始時間和振蕩波形。
2.角色的分量與參考值:在四腳陶瓷面晶振振蕩電路的設計中，必須認識到個體的作用。組件.在表1中，以例如振蕩電路為例來描述角色。（圖1）使用一個通用的C-MOS IC（74hcuo4ap東芝）。當反饋電阻（rf）未安裝在振蕩電路中時，如圖所示表1，即使在振蕩功率作用下，諧振器也不會啟動振蕩。電路。除非有適當值的電阻器連接，否則振蕩不會啟動。
AEL晶振,貼片晶振,60639晶振,進口晶振