電子行業有一個非常一致的趨勢，直接取決于時間 - 隨著技術越來越小，功耗降低的需求越來越高。解決石英晶體設計要求，取決于行業需求，已經成為至關重要的。Abracon的新發布的IoT優化晶體系列專門設計用于解決越來越多的低功耗趨勢，從而導致設計人員在整個行業中面臨的跨導值下降。
Abracon晶振,進口晶振,ABM8G晶振.陶瓷表面外殼封裝的四腳3225mm壓電石英晶體產品經歷過一段時間的低潮之后,近年來使用的用戶漸漸增加,美國進口的這款ABM8G晶振擁有全球六十多個國家和地區的生產企業在使用,采用先進的玻璃密封技術打造,為高可靠性和耐高溫特性提供了重要的保障,具有IR回流能力.
石英晶振生產工序主要有晶片清洗、被銀、上架電膠、微調、封焊、撿漏、印字、老化、測試。石英晶振晶片清洗：清除石英晶振晶片表面的污物、油物，以保證被銀電極。被復良好牢固。清洗間有很多化學試劑,酒精、異丙醇、硫酸、硝酸、清洗液同時還有電爐烤箱，在晶振生產過程中應注意人身安全和設備安全。
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Abracon晶振 |
單位 |
ABM8G晶振 |
石英晶振基本條件 |
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標準頻率 |
f_nom |
12.000MHZ~50.000MHz |
標準頻率 |
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儲存溫度 |
T_stg |
-40°C～+85°C |
裸存 |
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工作溫度 |
T_use |
-10°C～+60°C |
標準溫度 |
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激勵功率 |
DL |
100μW Max. |
推薦:1μW～100μW |
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頻率公差 |
f_— l |
±50 × 10-6(標準) |
+25°C對于超出標準的規格說明, |
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頻率溫度特征 |
f_tem |
±50 × 10-6/-20°C～+70°C |
超出標準的規格請聯系我們. |
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負載電容 |
CL |
10pF |
不同負載要求,請聯系我們. |
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串聯電阻(ESR) |
R1 |
如下表所示 |
-40°C — +85°C,DL = 100μW |
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頻率老化 |
f_age |
±3 × 10-6/ year Max. |
+25°C,第一年 |
＜晶體諧振器＞
如果過大的激勵電力對石英晶體諧振器外加電壓，有可能導致特性老化或損壞，因此請在宣傳冊、規格書中規定的范圍內使用。
讓無源晶振振蕩的電路寬裕度大致為負性阻抗值。本公司推薦此負性阻抗為諧振器串聯電阻規格值的5倍以上，若是車載和安全設備，則推薦10倍 以上。Abracon晶振,進口晶振,ABM8G晶振
＜晶體振蕩器＞
晶體振蕩器的內部電路使用C-MOS。閉鎖、靜電對策請和一般的C-MOS IC一樣考慮。
有些石英晶體振蕩器沒有和旁路電容器進行內部連接。使用時，請在Vdd-GND之間用0.01μF左右的高頻特性較好的電容器（陶瓷片狀電容器等）以 最短距離連接。關于個別機型請確認宣傳冊、規格書。
＜晶體濾波器＞
注意電路板圖形的配置，避免輸入端子和輸出端子靠得太近。
如果貼裝晶體濾光片的電路板的雜散電容較大，為了消除該雜散電容，有時需要配置調諧電路。
如果過大的激勵電力對諧振器外加電壓，有可能導致特性老化或損壞，因此請在濾波器的輸入電平在−10dBm以下的狀態下使用。
＜光學產品＞
由于制造過程中進行了灰塵等異物管理，因此包裝開封以后，請在進行清潔度管理的環境中使用。
輸出波形與測試電路
1.時序表
2.測試條件
(1)電源電壓
超過 150µs，直到電壓級別從 0 %達到 90 % 。
電源電壓阻抗低于電阻 2Ω。Abracon晶振,進口晶振,ABM8G晶振
(2)其他
輸入電容低于 15 pF
5倍頻率范圍或更多測量頻率。
鉛探頭應盡可能短。
測量頻率時，探頭阻抗將高于 1MΩ。當波形經過振蕩器的放大器時，可同時進行測量。
(3)其他
CL包含探頭電容。
應使用帶有小的內部阻抗的電表。
使用微型插槽，以觀察波形。
（請勿使用該探頭的長接地線。）
3.測試電路
鴻星晶振,陶瓷面晶體,E3FB晶振
CTS晶振,陶瓷面貼片晶體,443晶振
希華晶振,陶瓷殼壓電石英晶體,GX-32254晶振
NDK晶振,貼片晶振,NX1610SA晶振
CTS晶振,貼片晶振,GA324晶振
ECS晶體,貼片晶振,ECX-32晶振
微晶晶振,貼片晶振,CM7V-T1A_Low-ESR晶振,貼片石英晶振
加高晶振,貼片晶振,HSX321G晶振,進口貼片晶振
KDS晶振,貼片晶振,DSX320G晶振,貼片諧振器
鴻星晶振,貼片晶振,HCX-3SB晶振,進口無源晶振