Ecliptek日蝕晶振公司成立于1987年,是一家石英晶振晶體,貼片晶振頻率元件控制市場上公認的領導者.日蝕晶振公司擁有先進的產品和領先的技術使我們能夠為客戶提供最好的石英晶體,貼片晶振,石英水晶和有源晶振,石英晶體振蕩器,溫補晶振,貼片振蕩器產品.推進環保型業務,充分發揮綜合實力,推進環保型業務,為減輕社會的環境負荷做出貢獻.
盡可能的采用無害的石英晶振, 晶體振蕩器,有源晶振壓電石英晶體元器件、壓電石英晶體的原材料和生產技術,避免有害物質的產生,比如消耗臭氧層物質、溫室氣體及其它污染物.集團公司同時將致力于這些物質的收集和回收,最小化有害原料的使用.日蝕晶振集團將建立可行的技術及經濟性環境目標,并確保其環境保護活動的質量.
ECLIPTEK晶振,音叉晶振,E1WSDA12-32.768K晶振.小體積SMD時鐘晶體諧振器,是貼片音叉晶體,千赫頻率元件,應用于時鐘模塊,智能手機,全球定位系統,因產品本身體積小,SMD編帶型,可應用于高性能自動貼片焊接,被廣泛應用到各種小巧的便攜式消費電子數碼時間產品,環保性能符合ROHS/無鉛標準.
日蝕石英晶振高精度晶片的拋光技術:貼片晶振是目前晶片研磨技術中表面處理技術的最高技術,最終使晶振晶片表面更光潔,平行度及平面度更好,降低諧振電阻,提高Q值。從而達到一般研磨所達不到的產品性能,使石英晶振的等效電阻等更接近理論值,使晶振可在更低功耗下工作。使用先進的牛頓環及單色光的方法去檢測晶片表面的狀態。32.768K陶瓷殼封裝晶體,8038無源千赫茲晶振,E1WSDA12-32.768K晶振
日蝕晶振 |
單位 |
E1WSDA12-32.768K晶振 |
石英晶振基本條件 |
標準頻率 |
f_nom |
32.768KHz |
標準頻率 |
儲存溫度 |
T_stg |
-40°C~+85°C |
裸存 |
工作溫度 |
T_use |
-10°C~+60°C |
標準溫度 |
激勵功率 |
DL |
1μW Max. |
推薦:1μW~100μW |
頻率公差 |
f_— l |
±20 × 10-6(標準) |
+25°C對于超出標準的規格說明, |
頻率溫度特征 |
f_tem |
±30 × 10-6/-10°C~+60°C |
超出標準的規格請聯系我們. |
負載電容 |
CL |
12.5pF |
超出標準說明,請聯系我們. |
串聯電阻(ESR) |
R1 |
如下表所示 |
-0°C~ +70°C,DL = 100μW |
頻率老化 |
f_age |
±3× 10-6/ year Max. |
+25°C,第一年 |
<晶體諧振器>
如果過大的激勵電力對32.768K無源晶振外加電壓,有可能導致特性老化或損壞,因此請在宣傳冊、規格書中規定的范圍內使用。
讓無源晶振振蕩的電路寬裕度大致為負性阻抗值。本公司推薦此負性阻抗為諧振器串聯電阻規格值的5倍以上,若是車載和安全設備,則推薦10倍 以上。32.768K陶瓷殼封裝晶體,8038無源千赫茲晶振,E1WSDA12-32.768K晶振
<晶體振蕩器>
晶體振蕩器的內部電路使用C-MOS。閉鎖、靜電對策請和一般的C-MOS IC一樣考慮。有些8038貼片晶振沒有和旁路電容器進行內部連接。使用時,請在Vdd-GND之間用0.01μF左右的高頻特性較好的電容器(陶瓷片狀電容器等)以 最短距離連接。關于個別機型請確認宣傳冊、規格書。
<晶體濾波器>
注意電路板圖形的配置,避免輸入端子和輸出端子靠得太近。如果貼裝晶體濾光片的電路板的雜散電容較大,為了消除該雜散電容,有時需要配置調諧電路。
如果過大的激勵電力對外加電壓,有可能導致特性老化或損壞,因此請在濾波器的輸入電平在−10dBm以下的狀態下使用。
<光學產品>
由于制造過程中進行了灰塵等異物管理,因此包裝開封以后,請在進行清潔度管理的環境中使用。ECLIPTEK晶振,音叉晶振,E1WSDA12-32.768K晶振
輸出波形與測試電路
1.時序表
2.測試條件
(1)電源電壓
超過 150µs,直到電壓級別從 0 %達到 90 % 。
電源電壓阻抗低于電阻 2Ω。32.768K陶瓷殼封裝晶體,8038無源千赫茲晶振,E1WSDA12-32.768K晶振
(2)其他
輸入電容低于 15 pF
5倍頻率范圍或更多測量頻率。
鉛探頭應盡可能短。
測量頻率時,探頭阻抗將高于 1MΩ。當波形經過振蕩器的放大器時,可同時進行測量。
(3)其他
CL包含探頭電容。
應使用帶有小的內部阻抗的電表。
使用微型插槽,以觀察波形。
(請勿使用該探頭的長接地線。)ECLIPTEK晶振,音叉晶振,E1WSDA12-32.768K晶振
3.測試電路