瑞康建立了世界一流的設(shè)計和制造平臺，加上全球領(lǐng)先的客戶組合。今天，瑞康為當(dāng)代和后代的通信和定位技術(shù)提供了產(chǎn)品和解決方案。然而，沒有改變的是瑞康的成功意愿，無論市場，地理位置還是競爭情景。瑞康不懈地與客戶合作，在影響當(dāng)今世界人們工作和娛樂方式的前沿技術(shù)和產(chǎn)品方面。 瑞康晶振與世界上最大的一些技術(shù)品牌合作，實現(xiàn)了下一代解決方案。 瑞康開創(chuàng)創(chuàng)新，沉浸在不斷變化的市場中，了解市場需求，使其能夠開拓領(lǐng)先的規(guī)格并推動技術(shù)的發(fā)展。
瑞康晶振,貼片晶振,H130BA晶振,進口石英晶振,智能手機晶振,產(chǎn)品具有高精度超小型的表面貼片型石英晶體振蕩器,最適用于移動通信終端的基準(zhǔn)時鐘等移動通信領(lǐng)域.比如智能手機,無線通信,衛(wèi)星導(dǎo)航,平臺基站等較高端的數(shù)碼產(chǎn)品,晶振本身小型,薄型具備各類移動通信的基準(zhǔn)時鐘源用頻率,貼片晶振具有優(yōu)良的電氣特性,耐環(huán)境性能適用于移動通信領(lǐng)域,滿足無鉛焊接的高溫回流溫度曲線要求.
超小型石英貼片晶振晶片的設(shè)計：石英晶片的長寬尺寸已要求在±0.00２mm內(nèi)，由于貼片晶振晶片很小導(dǎo)致晶體的各類寄生波(如長度伸縮振動，面切變振動)與主振動(厚度切變振動)的耦合加強，從而造成如若石英晶振晶片的長度或?qū)挾瘸叽缭O(shè)計不正確、使得振動強烈耦合導(dǎo)致石英晶振的晶片不能正常工作，從而導(dǎo)致產(chǎn)品在客戶端不能正常使用，晶振的研發(fā)及生產(chǎn)超小型石英晶振完成晶片的設(shè)計特別是外形尺寸的設(shè)計是首要需解決的技術(shù)問題，公司在此方面通過理論與實踐相結(jié)合，模擬出一整套此石英晶振晶片設(shè)計的計算機程序，該程序晶振的晶片外形尺寸已全面應(yīng)用并取得很好的效果。
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瑞康晶振 |
單位 |
H130BA晶振 |
石英晶振基本條件 |
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標(biāo)準(zhǔn)頻率 |
f_nom |
8~65MHZ |
標(biāo)準(zhǔn)頻率 |
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儲存溫度 |
T_stg |
-55°C~+105°C |
裸存 |
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工作溫度 |
T_use |
-20°C~+125°C |
標(biāo)準(zhǔn)溫度 |
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激勵功率 |
DL |
100~500μW Max. |
推薦:100~500μW |
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頻率公差 |
f_— l |
±50× 10-6(標(biāo)準(zhǔn)), |
+25°C對于超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格說明, |
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頻率溫度特征 |
f_tem |
±5× 10-6/-55°C～+105°C |
超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格請聯(lián)系我們. |
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負(fù)載電容 |
CL |
6pF~32PF |
不同負(fù)載電容要求,請聯(lián)系我們. |
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串聯(lián)電阻(ESR) |
R1 |
如下表所示 |
-40°C — +85°C,DL = 100μW |
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頻率老化 |
f_age |
±1 × 10-6/ year Max. |
+25°C,第一年 |
機械振動的影響:當(dāng)無源SMD晶振產(chǎn)品上存在任何給定沖擊或受到周期性機械振動時,比如：壓電揚聲器,壓電蜂鳴器,以及喇叭等,輸出頻率和幅度會受到影響。這種現(xiàn)象對通信器材通信質(zhì)量有影響。盡管晶振產(chǎn)品設(shè)計可最小化這種機械振動的影響,我們推薦事先檢查并按照下列安裝指南進行操作。
存儲事項:(1) 在更高或更低溫度或高濕度環(huán)境下長時間保存晶振時,會影響頻率穩(wěn)定性或焊接性。請在正常溫度和濕度環(huán)境下保存這些石英SMD晶振產(chǎn)品,并在開封后盡可能進行安裝,以免長期儲藏。 正常溫度和濕度： 溫度：+15°C 至 +35°C,濕度 25 % RH 至 85 % RH。 (2) 請仔細(xì)處理內(nèi)外盒與卷帶。外部壓力會導(dǎo)致卷帶受到損壞。
振蕩頻率測量:必須盡可能地測量安裝在汽車級貼片晶振電路上的諧振器的振蕩頻率的真實值，使用正確的方法。在振蕩頻率的測量中，通常使用探頭和頻率計數(shù)器。然而,我們的目標(biāo)是通過限制測量工具對振蕩電路本身的影響來測量。有三種頻率測量模式，如下面的圖所示（圖）。2, 3和4）。最精確的測量方法是通過使用任何能夠精確測量的頻譜分析儀來實現(xiàn)的。瑞康晶振,貼片晶振,H130BA晶振,進口石英晶振
接觸振蕩電路:探針不影響圖2，因為緩沖器的輸出是通過5032SMD晶振輸入振蕩電路的輸出來測量的。逆變器進入下一階段。探針不影響圖3，因為在IC上測量緩沖器輸出（1/1、1/2等）。圖4示出了來自ic的無緩沖器輸出接收的情況，由此通過小尺寸測量來最小化探針的效果。輸出點之間的電容（3 pF以下XTAL終端IC）和探針。然而，應(yīng)該注意到，使用這種方法輸出波形較小，測量不能依賴于即使示波器能檢查振蕩波形，頻率計數(shù)器的靈敏度也可以。在這種情況下，使用放大器來測量。
驅(qū)動能力:驅(qū)動能力說明5032mm體積晶振振蕩晶體單元所需電功率，其計算公式如下：驅(qū)動能力 (P) = i2?Re其中i表示經(jīng)過晶體單元的電流，Re表示晶體單元的有效電阻，而且 Re=R1（1+Co/CL）.
5032M金屬四腳諧振器測試條件:(1)電源電壓:超過 150µs，直到電壓級別從 0 %達(dá)到 90 % 。電源電壓阻抗低于電阻 2Ω。(2)其他:輸入電容低于 15 pF5倍頻率范圍或更多測量頻率。鉛探頭應(yīng)盡可能短。測量頻率時，探頭阻抗將高于 1MΩ。當(dāng)波形經(jīng)過振蕩器的放大器時，可同時進行測量。(3)其他:CL包含探頭電容。應(yīng)使用帶有小的內(nèi)部阻抗的電表。使用微型插槽，以觀察波形。（請勿使用該探頭的長接地線）.
加高晶振,貼片晶振,HSX531S晶振,進口晶振
鴻星晶振,貼片晶振,HCX-5FA晶振,臺產(chǎn)晶體諧振器
村田晶振,TAS-5032F晶振,XRCLH10M000F1QA4P0晶振
NDK晶振,貼片晶振,NX5032SA晶振,進口晶振
愛普生晶振,貼片晶振,TSX-5032晶振,無源晶體諧振器
CTS晶振,貼片晶振,SA534晶振,石英晶振
ECS晶體,貼片晶振,ECX-53BQ晶振,陶瓷諧振器
Abracon晶振,貼片晶振,ABM3X晶振,無源晶振
Crystek晶振,貼片晶振,CSX3晶振,無源晶振