加高電子（H.ELE。）是頻率元件的專業(yè)制造商，目前所提供之石英晶體（水晶），晶體振蕩器（振蕩器）之生產(chǎn)及銷售規(guī)模居全臺(tái)領(lǐng)先地位。我們確實(shí)遵循RoHS（歐盟電子電機(jī)產(chǎn)品有害物質(zhì)禁止用指令），SONY技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)文件（SS-00259）及其他法規(guī)與客戶要求，推動(dòng)環(huán)境教育活動(dòng)，持續(xù)強(qiáng)化全員及供應(yīng)商的環(huán)保觀念及認(rèn)知重視無有害物質(zhì)的產(chǎn)品及生產(chǎn)過程，致力推動(dòng)設(shè)計(jì)綠色產(chǎn)品。
為員工提供安全與健康的工作場所和環(huán)境，嚴(yán)格遵守勞工安全衛(wèi)生相關(guān)法規(guī),OHSAS18001職業(yè)安全衛(wèi)生管理系統(tǒng)及社會(huì)責(zé)任國際規(guī)范，以預(yù)防工作人員在發(fā)生職業(yè)災(zāi)害，進(jìn)而降低工作環(huán)境中的危險(xiǎn)因素。重視各項(xiàng)社會(huì)問題，投入適合企業(yè)參與之公益事業(yè)，為社會(huì)增添關(guān)懷及溫暖。立供應(yīng)商管理體系與規(guī)范，并擴(kuò)大采購環(huán)境保護(hù)產(chǎn)品與禁止使用沖突礦產(chǎn)區(qū)產(chǎn)品。

加高晶振,49S型插件晶振,AT-49晶振.引腳焊接型石英晶體元件.工廠倉庫長時(shí)間大量庫存常用頻點(diǎn),.高精度的頻率和晶振本身更低的等效串聯(lián)電阻.常用負(fù)載電容,49/S石英晶振,因插件型鏡頭成本更低和更高的批量生產(chǎn)能力.主要應(yīng)用于電視,機(jī)頂盒,LCDM和游戲機(jī)家用常規(guī)電器數(shù)碼產(chǎn)品等的最佳選擇.符合RoHS/無鉛.
加高石英晶振多層、多金屬的濺射鍍膜技術(shù)：是目前研發(fā)及生產(chǎn)高精度、高穩(wěn)定性石英晶體元器件——石英晶振必須攻克的關(guān)鍵技術(shù)之一。石英晶振該選用何鍍材、鍍幾種材料、幾種鍍材的鍍膜順序，鍍膜的工藝方法（如各鍍材的功率設(shè)計(jì)等）。使用此鍍膜方法使鍍膜后的晶振附著力增強(qiáng)，貼片晶振頻率更加集中，能控制在最小ppm之內(nèi)。

＜晶體諧振器＞
如果過大的激勵(lì)電力對石英晶體諧振器外加電壓，有可能導(dǎo)致特性老化或損壞，因此請?jiān)谛麄鲀浴⒁?guī)格書中規(guī)定的范圍內(nèi)使用。
讓無源晶振振蕩的電路寬裕度大致為負(fù)性阻抗值。本公司推薦此負(fù)性阻抗為諧振器串聯(lián)電阻規(guī)格值的5倍以上，若是車載和安全設(shè)備，則推薦10倍 以上。
＜晶體振蕩器＞
晶體振蕩器的內(nèi)部電路使用C-MOS。閉鎖、靜電對策請和一般的C-MOS IC一樣考慮。
有些石英晶體振蕩器沒有和旁路電容器進(jìn)行內(nèi)部連接。使用時(shí)，請?jiān)赩dd-GND之間用0.01μF左右的高頻特性較好的電容器（陶瓷片狀電容器等）以 最短距離連接。關(guān)于個(gè)別機(jī)型請確認(rèn)宣傳冊、規(guī)格書。
＜晶體濾波器＞
注意電路板圖形的配置，避免輸入端子和輸出端子靠得太近。
如果貼裝晶體濾光片的電路板的雜散電容較大，為了消除該雜散電容，有時(shí)需要配置調(diào)諧電路。
如果過大的激勵(lì)電力對諧振器外加電壓，有可能導(dǎo)致特性老化或損壞，因此請?jiān)跒V波器的輸入電平在−10dBm以下的狀態(tài)下使用。
＜光學(xué)產(chǎn)品＞
由于制造過程中進(jìn)行了灰塵等異物管理，因此包裝開封以后，請?jiān)谶M(jìn)行清潔度管理的環(huán)境中使用。

1、振蕩電路
晶體諧振器是無源元件，因此受到電源電壓、環(huán)境溫度、電路的影響。
配置、電路常數(shù)和襯底布線模式等操作大致分為正常運(yùn)行和
異常運(yùn)行。因此，在振蕩電路的設(shè)計(jì)中，先決條件之一是如何確定振蕩電路。
晶體諧振器的振動(dòng)安全穩(wěn)定。只有在做出了這個(gè)決定之后，后續(xù)的項(xiàng)目，例如
討論了頻率精度、頻率變化、調(diào)制度、振蕩起始時(shí)間和振蕩波形。
2。角色的分量與參考值
在振蕩電路的設(shè)計(jì)中，必須認(rèn)識(shí)到個(gè)體的作用。
組件.在表1中，以例如振蕩電路為例來描述角色。
（圖1）使用一個(gè)通用的C-MOS IC（74hcuo4ap東芝）。
當(dāng)反饋電阻（rf）未安裝在振蕩電路中時(shí)，如圖所示
表1，即使在振蕩功率作用下，諧振器也不會(huì)啟動(dòng)振蕩。
電路。除非有適當(dāng)值的電阻器連接，否則振蕩不會(huì)啟動(dòng)。

晶體諧振腔的形式模式，但泛音振蕩或基波。
振蕩開始代替。在基本諧振的情況下（MHz頻段）反饋電阻通常是1米?。在
泛音諧振器（兆赫頻帶）的情況下，值取決于IC和頻率特性，但在幾個(gè)范圍內(nèi)。
K?-?幾十K。在音叉式諧振器的案例（kHz頻段），需要連接一個(gè)電阻10米或更?。

限制流入諧振器的電流，調(diào)節(jié)負(fù)電阻和勵(lì)磁。
電平，防止諧振腔的反常振蕩，抑制頻率波動(dòng)。
C1、C2電容器調(diào)節(jié)負(fù)電阻、勵(lì)磁電平和振蕩頻率。還設(shè)置有
給定負(fù)載能力。
適當(dāng)?shù)目刂齐娮柚担≧D）取決于諧振器的類型，頻帶和設(shè)備的價(jià)值。
電容器（C1，C2）。精確值是通過測量振蕩電路的特性來確定的（包括
負(fù)電阻和驅(qū)動(dòng)級(jí)）。AT切割諧振器（兆赫頻帶）的參考值在幾個(gè)范圍內(nèi)。
?幾K?。音叉式諧振器（kHz頻段）的參考值在100 K?幾K?范圍。
安裝電容器的適當(dāng)值取決于諧振器的類型、頻帶、控制電阻器的值和
振蕩的順序，在3 pF的范圍內(nèi)- 33 pF左右，僅供參考。