愛(ài)普生晶振,貼片晶振,MA-506晶振,進(jìn)口石英貼片,智能手機(jī)晶振,產(chǎn)品具有高精度超小型的表面貼片型石英晶體振蕩器,最適用于移動(dòng)通信終端的基準(zhǔn)時(shí)鐘等移動(dòng)通信領(lǐng)域.比如智能手機(jī),無(wú)線通信,衛(wèi)星導(dǎo)航,平臺(tái)基站等較高端的數(shù)碼產(chǎn)品,晶振本身小型,薄型具備各類移動(dòng)通信的基準(zhǔn)時(shí)鐘源用頻率,貼片晶振具有優(yōu)良的電氣特性,耐環(huán)境性能適用于移動(dòng)通信領(lǐng)域,滿足無(wú)鉛焊接的高溫回流溫度曲線要求.
石英晶振的切型。采用高速線切割技術(shù)：1.優(yōu)化及嚴(yán)格規(guī)范線切割機(jī)各項(xiàng)設(shè)備參數(shù)；2.通過(guò)試驗(yàn)精選所使用的各類線切割料，如：磨料、線切割線、槽輪等；3.確認(rèn)最優(yōu)的石英晶振切割工藝參數(shù)。通過(guò)以上方法使切割出的貼片晶振晶片在厚度一致性、平行度、表面粗糙度上都超越其它切割方式，提高了SMD晶振晶片的精度，提高了生產(chǎn)效率。晶振高精密點(diǎn)膠技術(shù)：石英晶振晶片膠點(diǎn)的位置、大小：位置準(zhǔn)確度以及膠點(diǎn)大小一致性，通過(guò)圖像識(shí)別及高精密度數(shù)字定位系統(tǒng)的運(yùn)用、使石英晶振晶片的點(diǎn)膠的精度在±0.02mm之內(nèi)。將被上銀電極的晶片裝在彈簧支架上，點(diǎn)上導(dǎo)電膠，并高溫固化，通過(guò)彈簧即可引出電信號(hào)。

請(qǐng)測(cè)量使用示波器或頻率計(jì)數(shù)器進(jìn)口無(wú)源晶振的兩個(gè)端子的信號(hào)，如果頻率不在規(guī)定范圍內(nèi)，它的輸出波形的幅度是不夠的（例如超過(guò)+/-200ppm的），請(qǐng)按照步驟2-3步驟2-5。The formula for Capacitances versus Frequency is as following:該公式的電容與頻率是如下：愛(ài)普生晶振,貼片晶振,MA-506晶振,進(jìn)口石英貼片

FL = FR * (1 + C1 / 2 * (C0 + CL) ) where

該曲線代表電容變化與頻率變化（頻率pullability）變化的變化：

如果由頻率計(jì)數(shù)器測(cè)量的頻率比目標(biāo)頻率高，要增加石英SMD晶振的電容（CL，或Cd以及C 8）的值，以降低頻率到目標(biāo)頻率，反之亦然。請(qǐng)檢查波形幅度是否改善或沒(méi)有經(jīng)過(guò)我們調(diào)整頻率。如果它的改善，這表示該電路的原始設(shè)計(jì)不是調(diào)諧到最佳共振點(diǎn)為晶體的情況。該晶振應(yīng)正常后，諧振點(diǎn)的調(diào)整。如果波形幅度甚至沒(méi)有提高的頻率非常接近目標(biāo)頻率，我們可以通過(guò)以下三種方法改進(jìn)：方法1：降低產(chǎn)品線路外部電容（Cd和CG）的值，并通過(guò)晶體具有較低負(fù)載電容（CL）。方法2：采用小電阻（RR）的晶體。方法3：使用鎘和CG的不等價(jià)的設(shè)計(jì)。
我們可以增加鎘（XOUT）的負(fù)載電容和降低CG（辛）的負(fù)載電容以提高從辛波形幅度將在其后端電路中使用的輸出。我們建議您使用上面的方法來(lái)節(jié)省成本，保證安全。請(qǐng)用頻率計(jì)數(shù)器來(lái)測(cè)量所述晶體，以確保經(jīng)調(diào)整頻率仍然滿足原說(shuō)明書后的波形的振幅進(jìn)行了改進(jìn)。如果頻率不符合規(guī)格，請(qǐng)采用晶體合適的CL值為根據(jù)您的目標(biāo)頻率。請(qǐng)采用晶振具有較低的CL如果頻率比目標(biāo)頻率，反之亦然高得多系統(tǒng)不能正常工作，由于輸出頻率會(huì)偏差很大。

負(fù)載電容:如果振蕩電路中負(fù)載電容的不同，可能導(dǎo)致振蕩頻率與設(shè)計(jì)頻率之間產(chǎn)生偏差，如下圖所示。電路中的壓電石英晶振負(fù)載電容的近似表達(dá)式 CL≒CG × CD / （CG+CD） + CS。其中CS表示電路的雜散電容。愛(ài)普生晶振,貼片晶振,MA-506晶振,進(jìn)口石英貼片