瑞康處于技術前沿,為不斷發展的行業提供解決方案,準確了解市場需求,開發創新產品設計并將其與全球制造基地相結合。瑞康的產品系列包括低穩定度晶體振蕩器(XO),壓控晶體振蕩器(VCXO)和晶體產品,通過高容量精密溫補晶振(TCXO),烤箱控制晶體振蕩器(OCXO),表面聲波(SAW) )振蕩器和專業產品,以實現極高的性能。
瑞康石英晶振高精度晶片的拋光技術:貼片晶振是目前晶片研磨技術中表面處理技術的最高技術,最終使晶振晶片表面更光潔,平行度及平面度更好,降低諧振電阻,提高Q值。從而達到一般研磨所達不到的產品性能,使貼片石英晶振的等效電阻等更接近理論值,使晶振可在更低功耗下工作。使用先進的牛頓環及單色光的方法去檢測晶片表面的狀態。
瑞康晶振 |
單位 |
RTF3215晶振 |
石英晶振基本條件 |
標準頻率 |
f_nom |
32.768KHZ |
標準頻率 |
儲存溫度 |
T_stg |
-55°C~+105°C |
裸存 |
工作溫度 |
T_use |
-40°C~+85°C |
標準溫度 |
激勵功率 |
DL |
0.5μW Max. |
推薦:1μW~100μW |
頻率公差 |
f_— l |
±10× 10-6(標準), |
+25°C對于超出標準的規格說明, |
頻率溫度特征 |
f_tem |
±10× 10-6/-40°C~+85°C |
超出標準的規格請聯系我們. |
負載電容 |
CL |
7pF、9pF、12.5PF |
不同負載電容要求,請聯系我們. |
串聯電阻(ESR) |
R1 |
如下表所示 |
-40°C — +85°C,DL = 100μW |
頻率老化 |
f_age |
±3× 10-6/ year Max. |
+25°C,第一年 |
請勿用鑷子或任何堅硬的工具,夾具直接接觸IC的表面。
使用環境(溫度和濕度)
請在規定的溫度范圍內使用進口貼片晶振。這個溫度涉及本體的和季節變化的溫度。在高濕環境下,會由于凝露引起故障。請避免凝露的產生。
晶體單元/諧振器
激勵功率
在晶體單元上施加過多驅動力,會導致無源晶振特性受到損害或破壞。電路設計必須能夠維持適當的激勵功率 (請參閱“激勵功率”章節內容)。
負極電阻
除非振蕩回路中分配足夠多的負極電阻,否則振蕩或振蕩啟動時間可能會增加(請參閱“關于振蕩”章節內容)。瑞康晶振,32.768K晶振,RTF3215晶振
負載電容
振蕩電路中負載電容的不同,可能導致石英晶體諧振器振蕩頻率與設計頻率之間產生偏差。試圖通過強力調整,可能只會導致不正常的振蕩。在使用之前,請指明該振動電路的負載電容(請參閱“負載電容”章節內容)。
1、振蕩電路
3215兩腳貼片晶振是無源元件,因此受到電源電壓、環境溫度、電路的影響。
配置、電路常數和襯底布線模式等操作大致分為正常運行和
異常運行。因此,在振蕩電路的設計中,先決條件之一是如何確定振蕩電路。
晶體諧振器的振動安全穩定。只有在做出了這個決定之后,后續的項目,例如
討論了頻率精度、頻率變化、調制度、振蕩起始時間和振蕩波形。瑞康晶振,32.768K晶振,RTF3215晶振
2。角色的分量與參考值
在振蕩電路的設計中,必須認識到個體的作用。
組件.在表1中,以例如振蕩電路為例來描述角色。
(圖1)使用一個通用的C-MOS IC(74hcuo4ap東芝)。
當反饋電阻(rf)未安裝在振蕩電路中時,如圖所示
表1,即使在振蕩功率作用下,諧振器也不會啟動振蕩。
電路。除非有適當值的電阻器連接,否則振蕩不會啟動。
晶體諧振腔的形式模式,但泛音振蕩或基波。
振蕩開始代替。在基本諧振的情況下(MHz頻段)反饋電阻通常是1米?。在
泛音諧振器(兆赫頻帶)的情況下,值取決于IC和頻率特性,但在幾個范圍內。
K?-?幾十K。在32.768K石英晶體的案例(kHz頻段),需要連接一個電阻10米或更?。
限制流入諧振器的電流,調節負電阻和勵磁。
電平,防止諧振腔的反常振蕩,抑制頻率波動。
C1、C2電容器調節負電阻、勵磁電平和振蕩頻率。還設置有
給定負載能力。
適當的控制電阻值(RD)取決于貼片晶振32.768K的類型,頻帶和設備的價值。
電容器(C1,C2)。精確值是通過測量振蕩電路的特性來確定的(包括
負電阻和驅動級)。AT切割諧振器(兆赫頻帶)的參考值在幾個范圍內。
?幾K?。音叉式諧振器(kHz頻段)的參考值在100 K?幾K?范圍。
安裝電容器的適當值取決于諧振器的類型、頻帶、控制電阻器的值和
振蕩的順序,在3 pF的范圍內- 33 pF左右,僅供參考。