RTC晶振,SM33K進口晶振,PLETRONICS晶振,SM3344KE-32.768K,2520有源貼片
SM3344KE - 32.768K作為Pletronics的進口SM33K系列晶振,是RTC應用領域的佼佼者。采用2520貼片晶振封裝,體積小巧,便于在電路板上進行高密度安裝,滿足現(xiàn)代電子設備小型化、集成化的發(fā)展需求。其以32.768kHz的標準頻率,為實時時鐘系統(tǒng)提供精準的計時信號。運用先進的制造技術和優(yōu)質(zhì)材料,在 - 40℃至 + 85℃的寬溫度范圍內(nèi),頻率偏差能被嚴格控制在極小范圍,展現(xiàn)出卓越的頻率穩(wěn)定性。無論是在智能穿戴設備中記錄運動數(shù)據(jù)的時間戳,還是在物聯(lián)網(wǎng)傳感器節(jié)點中確保數(shù)據(jù)采集的時間同步,這款32.768K有源晶振都能憑借其穩(wěn)定的性能,成為保障設備精準計時的先鋒。
SM3344KE - 32.768K在設計上融入了Pletronics的創(chuàng)新理念,2520有源貼片封裝設計不僅實現(xiàn)了體積的小型化,還優(yōu)化了散熱性能和電氣性能。這種設計使得晶振在緊湊的空間內(nèi)能夠更好地散熱,減少因溫度變化對頻率穩(wěn)定性的影響,同時提升了電氣性能,降低了信號干擾,提高了頻率精度。通過不斷優(yōu)化內(nèi)部電路和晶體結構,有效降低了相位噪聲,進一步增強了其在RTC應用中的性能表現(xiàn)。與市場上同類石英晶振相比,SM3344KE - 32.768K具有更高的性價比和更好的適應性。Pletronics持續(xù)投入研發(fā)資源,對晶振的性能進行優(yōu)化,使其憑借創(chuàng)新設計和卓越性能,引領著2520封裝有源貼片RTC晶振的發(fā)展潮流,為電子設備制造商提供更優(yōu)質(zhì)、更高效的時鐘解決方案。
在生產(chǎn)SM3344KE - 32.768K的過程中,Pletronics晶振秉持環(huán)保理念,積極踐行綠色制造。從原材料的選擇到生產(chǎn)工藝的優(yōu)化,都嚴格遵循國際環(huán)保標準,確保晶振符合RoHS、REACH等環(huán)保法規(guī)要求,無鉛、無汞、無其他有害物質(zhì)。采用環(huán)保型生產(chǎn)技術,降低能源消耗,減少廢棄物排放,致力于減少對環(huán)境的負面影響。這種環(huán)保設計不僅符合現(xiàn)代社會對綠色電子產(chǎn)品的需求,也體現(xiàn)了Pletronics對可持續(xù)發(fā)展的承諾。在電子行業(yè)日益注重環(huán)保的今天,SM3344KE - 32.768K以其環(huán)保特性,成為綠色電子元器件的典范,為注重環(huán)保的電子設備制造商提供理想選擇,推動整個電子行業(yè)朝著更加環(huán)保、可持續(xù)的方向發(fā)展。
RTC晶振,SM33K進口晶振,PLETRONICS晶振,SM3344KE-32.768K,2520有源貼片
Parameter | Min | Typ | Max | Unit | Condition | |||
Frequency | - | 32.768 | - | kHz | ||||
Frequency Stability | ±20* | - | ±50 | ppm |
Includes supply voltage change, load change, aging for 1 year at 25°C
± 2°C, shock, vibration and temperatures. *See page 2
|
|||
Operating Temperature Range |
-20 -40 |
- |
+70 +85 |
°C | ||||
Supply Voltage1(VCC) | 1.8 | - | 3.3 | V | ±10% of selected Vcc | |||
Input Current (ICC) | - | 35 | µA | No Load | ||||
Output Disabled Current (Ist) | - | - | 5 | µA | ||||
Output Waveform | CMOS輸出晶振 | |||||||
Duty Cycle | 45 | - | 55 | % | At 50% Vcc level; CLOAD= 15 pF | |||
Output VHIGH(IOH= -1mA) | 0.9Vcc | - | - | V | ||||
Output VLOW(IOL= 1mA) | - | - | 0.1Vcc | V | ||||
Output TRISEand TFALL | - | - | 50 | ns |
CLOAD= 15 pF
10% to 90% of VCC
See Load Circuit
|
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Startup Time | - | - | 20 | ms | Time for output to reach specified frequency | |||
VDISABLE(VIL) | - | - | 0.3Vcc | V | Of VCCapplied to Pad 1 | |||
VENABLE(VIH) | 0.7Vcc | - | ||||||
Enable/Disable Pullup Resistance | 61 | kΩ | Pad 1 open or VIH | |||||
Output Disable Time | - | - | 0.2 | µs | ||||
Output Enable Time | - | - | 20 | ms | ||||
Aging 1st Year | - | - | ±3 | ppm | At 25°C | |||
Storage Temperature Range | -55 | - | +125 | °C |
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所有產(chǎn)品的共同點
1、抗沖擊
晶體產(chǎn)品可能會在某些條件下受到損壞。例如從桌上跌落或在貼裝過程中受到?jīng)_擊。如果產(chǎn)品已受過沖擊請勿使用。
2、輻射
暴露于輻射環(huán)境會導致產(chǎn)品性能受到損害,因此應避免照射。
3、化學制劑 / pH值環(huán)境
請勿在PH值范圍可能導致腐蝕或溶解產(chǎn)品或包裝材料的環(huán)境下使用或儲藏這些產(chǎn)品。
4、粘合劑
請勿使用可能導致產(chǎn)品所用的封裝材料,終端,組件,玻璃材料以及氣相沉積材料等受到腐蝕的膠粘劑。 (比如,氯基膠粘劑可能腐蝕一個晶體單元的金屬“蓋”,從而破壞密封質(zhì)量,降低性能。)
5、鹵化合物
請勿在鹵素氣體環(huán)境下使用產(chǎn)品。即使少量的鹵素氣體,比如在空氣中的氯氣內(nèi)或封裝所用金屬部件內(nèi),都可能產(chǎn)生腐蝕。同時,請勿使用任何會釋放出鹵素氣體的樹脂。
6、靜電
過高的靜電可能會損壞產(chǎn)品,請注意抗靜電條件。請為容器和封裝材料選擇導電材料。在處理的時候,請使用電焊槍和無高電壓泄漏的測量電路,并進行接地操作。