SiTime在MEMS(微機電系統)技術、模擬CMOS電路設計和開發方面具有深厚的技術專長，并具有成本效益的組裝和測試。這些專業技術的結合，都是在SiTime內部進行的，在計時行業中是獨一無二的，推動創新的速度要比quartz快得多。除了MEMS和模擬電路的專業知識外，SiTime還具備以優異的質量和可靠性交付大量產品的能力。這種能力來自于我們的裝配、測試和校準技術，使我們能夠提供一個完全集成的解決方案，完全可以與行業標準的腳印相兼容。
SiTime的基于內存的硅計時解決方案受益于廣泛的應用。作為石英設備的替代品，SiTime的振蕩器和時鐘發生器已經成功地將石英計時工業轉化為硅基產品。通過一個全新的全硅平臺，SiTime有著卓越的歷史成就。我們快速的技術突破是通過利用硅技術的優勢，結合了數十年的MEMS諧振器經驗和內部模擬技術來實現的。半導體公司正在將我們的硅MEMS諧振器集成到他們的足球/asics中，從而完全消除外部時鐘，簡化系統設計。

SiTime晶振,32.768K有源晶振,SiT1532晶振.是全球最小，功耗最低的32.768kHz振蕩器，針對移動和其他電池供電應用而優化。SiTime的硅MEMS技術實現了最小尺寸和芯片級封裝。與現有的2.0*1.2mm SMD XTAL封裝相比，該器件可將32 kHz占用空間減少85％。與XTAL不同，SiT1532振蕩器輸出實現了更大的元件貼裝靈活性，并消除了外部負載電容，從而節省了額外的元件數量和電路板空間。
SiTime晶振的真空封裝技術：是指石英晶振在真空封裝區域內進行封裝。1.防止外界氣體進入組件體內受到污染和增加應力的產生；2.使晶振組件在真空下電阻減小；3.氣密性高。此技術為研發及生產超小型、超薄型石英晶振必須攻克的關鍵技術之一。

噪音
在電源或輸入端上施加執行級別(過高)的不相干(外部的)噪音，可能導致會引發功能失常或擊穿的閉門或雜散現象。
電源線路
電源的線路阻抗應盡可能低。
輸出負載
建議將輸出負載安裝在盡可能靠近石英振蕩器的地方（在20 mm范圍之間）。
未用輸入終端的處理
未用針腳可能會引起噪聲響應，從而導致非正常工作。同時，當P通道和N通道都處于打開時，電源功率消耗也會增加；因此，請將未用輸入終端連接到VCC 或GND。
熱影響
重復的溫度巨大變化可能會降低受損害的有源晶振的產品特性，并導致塑料封裝里的線路擊穿。必須避免這種情況。
安裝方向
進口晶體振蕩器的不正確安裝會導致故障以及崩潰，因此安裝時，請檢查安裝方向是否正確。
通電
不建議從中間電位和/或極快速通電，否則會導致有源晶體無法產生振蕩和/或非正常工作。

設計振蕩回路的注意事項
1.驅動能力
驅動能力說明振蕩晶體單元所需電功率，其計算公式如下：
驅動能力 (P) = i2_Re
其中i表示經過晶體單元的電流，
Re表示晶體單元的有效電阻，而且 Re=R1（1+Co/CL）2。

2.振蕩補償
除非在振蕩電路中提供足夠的負極電阻，否則會增加振蕩啟動時間，或不發生振蕩。為避免該情況發生，請在電路設計時提供足夠的負極電阻。

3.負載電容
如果振蕩電路中負載電容的不同，可能導致振蕩頻率與設計頻率之間產生偏差，如下圖所示。電路中的負載電容的近似表達式 CL≒CG × CD / （CG+CD） + CS。
其中CS表示電路的雜散電容。

頻率和負載電容特征圖器

振蕩回路參數設置參考