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泰藝晶振公司秉持「質量至上、創新思維、誠信為本、服務第一」的四大經營理念持續不斷努力革新,強化現有體質與創新機制以創造更高的客戶價值.面對環境的劇烈變化,泰藝電子堅持塑造一個安心工作的健康職場,創造幸福員工生活,并使用符合環保要求的設備,以及推動許多節能措施,成為一個愛護環境且保護地球的企業.泰藝石英晶振公司清楚知道自身對于同仁、環境、社會及合作伙伴們所肩負的責任與義務,相信透過信息公開與揭露CSR報告書,對建立一個平衡與和諧的利害關系人良性互動網絡有幫助,更能促進企業健康穩定的成長.
自從歐盟頒布各項綠色環保指令（如RoHS）后,世界各國已陸續制定公布相關之法令規章,推動「綠色產品」的發展.泰藝電子為了對環境與人類貢獻一己之力,導入綠色設計之概念,致力生產符合國際綠色環保指令與客戶特殊要求有源晶振,壓控振蕩器,貼片晶振.我們知道,人類的永續發展需要干凈的環境,如果我們產品中的物質會對環境造成污染,影響到人類生存的基本條件,不論產品的功能再先進再齊全,也無法對環境與社會帶來多大的幫助.為追求生產綠色產品之目標,將環保理念納入采購流程中,采購人員于收集市場資訊時,優先提供符合「泰藝電子無有害物質管理作業標準」之材料相關資訊予產品設計人員參考,并依其要求提供符合規范之樣品與規格.原材物料承認時,采購人員須請供應商填寫公司提供之問卷表單及相關RoHS檢測報告,經原材物料相關審驗單位審查通過后,方可使用.

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泰藝晶振,貼片晶振,XN晶振,石英晶體諧振器,此款SMD晶體并且可以承受回流焊接的高溫，波峰焊接，回流焊接等，貼片表晶主要特點是該產品排帶包裝，焊接模式主要使用SMT焊接，給現代SMT工藝帶來高速的工作效率，32.768K系列產品本身具有體積小,厚度薄,重量輕等特點，此音叉型石英晶體諧振器,晶振產品本身具備優良的耐熱性,耐環境特性,在辦公自動化,家電領域,移動通信領域可發揮優良的電氣特性,符合無鉛標準,滿足無鉛焊接的回流溫度曲線要求,金屬外殼的石英晶振使得產品在封裝時能發揮比陶瓷晶振外殼更好的耐沖擊性能.
石英晶振真空退火技術：晶振高真空退火處理是消除貼片晶振在加工過程中產生的應力及輕微表面缺陷。在PLC控制程序中輸入已設計好的溫度曲線，使真空室溫度跟隨設定曲線對晶體組件進行退火，石英晶振通過合理的真空退火技術可提高晶振主要參數的穩定性，以及提高石英晶振的年老化特性。晶振的真空封裝技術：是指石英晶振在真空封裝區域內進行封裝。1.防止外界氣體進入組件體內受到污染和增加應力的產生；2.使晶振組件在真空下電阻減小；3.氣密性高。此技術為研發及生產超小型、超薄型石英晶振必須攻克的關鍵技術之一。 JLX-2

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泰藝晶振規格	單位	XN晶振	石英晶振基本條件
標準頻率	f_nom	32.768KHZ	標準頻率
儲存溫度	T_stg	-55°C~+125°C	裸存
工作溫度	T_use	-40°C~+85°C	標準溫度
激勵功率	DL	0.1μW Max.	推薦:1μW～100μW
頻率公差	f_— l	±20 × 10-6(標準),	+25°C對于超出標準的規格說明, 請聯系我們以便獲取相關的信息,http://www.sdws.net/
頻率溫度特征	f_tem	±20 × 10-6/-40°C~+85°C	超出標準的規格請聯系我們.
負載電容	CL	9pF、12.5PF	超出標準說明,請聯系我們.
串聯電阻(ESR)	R1	如下表所示	-40°C — +85°C,DL = 100μW
頻率老化	f_age	±3× 10-6/ year Max.	+25°C,第一年

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耐焊性：將晶振加熱包裝材料至+150°C以上會破壞產品特性或損害產品。如需在+150°C以上焊接石英晶振,建議使用SMD晶振產品。在下列回流條件下,對石英晶振產品甚至SMD貼片晶振使用更高溫度,會破壞晶振特性。建議使用下列配置情況的回流條件。安裝這些貼片晶振之前,應檢查焊接溫度和時間。同時,在安裝條件更改的情況下,請再次進行檢查。如果需要焊接的晶振產品在下列配置條件下進行焊接,請聯系我們以獲取耐熱的相關信息。泰藝晶振,貼片晶振,XN晶振,石英晶體諧振器

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無源晶振自動安裝和真空化引發的沖擊會破壞產品特性并影響這些產品。請設置安裝條件以盡可能將沖擊降至最低,并確保在安裝前未對晶振特性產生影響。條件改變時,請重新檢查安裝條件。同時,在安裝前后,請確保石英晶振產品未撞擊機器或其他電路板等。
每個封裝類型的注意事項陶瓷晶振與SON產品:在焊接陶瓷封裝晶振和SON產品 (陶瓷包裝是指晶振外觀采用陶瓷制品) 之后,彎曲電路板會因機械應力而導致焊接部分剝落或封裝分裂（開裂）。尤其在焊接這些產品之后進行電路板切割時,務必確保在應力較小的位置布局晶體并采用應力更小的切割方法。 JLX-5

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此外，振蕩頻率與測量點不同。1。測量32.768K石英晶體緩沖輸出2。振蕩級輸出測量三.通過電容器測量振蕩級輸出圖5示出以上1-3個測量點和所測量的除緩沖器輸出外，振蕩頻率較低。泰藝晶振,貼片晶振,XN晶振,石英晶體諧振器

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負載電容:如果振蕩電路中負載電容的不同，可能導致音叉晶振32.768K振蕩頻率與設計頻率之間產生偏差，如下圖所示。電路中的負載電容的近似表達式 CL≒CG × CD / （CG+CD） + CS。其中CS表示電路的雜散電容。

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32.768K晶振測試條件:(1) 電源電壓? 超過 150µs，直到電壓級別從 0 %達到 90 % 。? 電源電壓阻抗低于電阻 2Ω。(2) 其他:? 輸入電容低于 15 pF? 5倍頻率范圍或更多測量頻率。? 鉛探頭應盡可能短。? 測量頻率時，探頭阻抗將高于 1MΩ。當波形經過振蕩器的放大器時，可同時進行測量。(3) 其他:? CL包含探頭電容。? 應使用帶有小的內部阻抗的電表。? 使用微型插槽，以觀察波形。（請勿使用該探頭的長接地線。）

探針不影響圖2，因為緩沖器的輸出是通過輸入振蕩電路的輸出來測量的。逆變器進入下一階段。探針不影響圖3，因為在IC上測量緩沖器輸出（1/1、1/2等）。圖4示出了32.768KHZ晶振來自ic的無緩沖器輸出接收的情況，由此通過小尺寸測量來最小化探針的效果。輸出點之間的電容（3 pF以下XTAL終端IC）和探針。然而，應該注意到，使用這種方法輸出波形較小，測量不能依賴于即使示波器能檢查振蕩波形，頻率計數器的靈敏度也可以。在這種情況下，使用放大器來測量。

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