Taitien的精確振蕩節奏創造電子系統的心跳，石英晶體是利用石英的壓電效應產生高精度振蕩頻率的電子元件。石英由于其低溫度系數和高Q值的物理特性，已成為廣泛應用于各種電子設備中的重要元件。Taitien是少數擁有內部晶圓切割技術的制造商之一。通過垂直整合上游石英晶片的生產，精確切割晶片的角度和厚度，從而控制材料來源和質量。泰藝敏銳地意識到輕薄化電子產品的主流發展，以及對高速傳輸和高頻通信的需求。我們提供各種微型、低功耗、

泰藝晶振優勢：引入工業4.0，構建機器互聯網，實現智能制造，滿足客戶需求，提供石英晶體和振蕩電路回路分析，讓客戶找到最穩定的匹配組合，隨時可用，交貨時間更短，可快速支持樣品和后續量產服務。
應用于：5G手機（智能手機）、智能電表、智能家居、物聯網、Wi-Fi 6/6E、藍牙、低功耗廣域網（LPWAN）、臺式機/筆記本/游戲電腦、智能座艙、車載通信、遠程和短程雷達、汽車信息娛樂和邊緣計算產品

重點產品：
kHz石英晶體系列 (kHz XTAL)
高穩定性：年老化率低于±3 ppm
高 Q（品質因數）值：音叉晶體設計
低功耗：驅動電平為0.1±0.01 uW

微晶晶振,1978年成立于瑞士格倫興,為SwatchGroup的供貨商,提供手表音叉式晶體的產品.而今,微晶已經發展成為一家在微型音叉式石英晶體(32kHz~250MHz),實時時鐘模塊,晶振和OCXO等多個領域的領導供貨商,為世界一流的終端產品制造商提供從設計到量產的全方位支持,服務范圍涵蓋手機,計算機,汽車電子,手表,工業控制,植入式醫療及其他高可靠性產品.

微晶在瑞士,泰國建有生產中心,及遍布世界各地的代表處.我們所有的晶振都得到ISO9001和ISO14001的認證,并達到RoHS,REACh等規范的要求.全球約550個員工的責任感和奉獻精神是我們成功的基石.我們對管理,環境,社會責任都有明確的行為準則(比如對有爭議的原材料的問題上),這些是我們在未來保持競爭優勢的主要原因.

微晶的管理團隊以及領導的工作人員.職位提供了一個積極的例子,在所有領域的質量行為.公司.他們激勵員工始終如一地思考問題.質量與成本.必須迅速分析,糾正目前存在的問題,和適當的措施.所有的經理負責娛樂一個內部環境,在那里可以公開指出問題并進行討論.通過不斷改進技術,過程,產品,服務,質量,環境保護,安全和安全方面,微晶也將保持其在未來的市場地位.

希華晶振成立于1988年,專精于石英頻率控制元件之研發,設計,生產與銷售.從人工晶棒長成到最終產品,透過最佳團隊組合及先進之生產技術,建立完整的產品線,包含人工水晶,石英晶片,SAW WAFER,以及石英晶體,晶體振蕩器,晶體濾波器,溫度補償型及電壓控制型產品等,以健全的供應煉系統,為客戶提供全方位的服務.

貼片晶振應用范圍包含行動電話,平板電腦,衛星通訊,車載系統,全球定位系統,個人電腦,無線通信及家用產品等,扮演基本信號源產生,傳遞,濾波等功能.持續致力于技術研究開發及品質落實扎根,營運據點遍布臺灣,中國大陸,日本,新加坡,美國及歐洲等世界各地,使希華得以提供服務予世界電子大廠.

員工是希華最大的資產,信任是希華激勵員工不斷追求卓越的基本動力,而員工勇于任事與渴望成就的積極心態,則是讓希華充分展現執行力的關鍵因素.所以我們辦理各項員工關系活動,教育訓練,晉升,工作輪調,模范員工選拔與資深員工表揚…等,來激勵員工在職涯上的規劃與發展.

為使員工具備駕馭先進制程設備的專業知識,與從事高科技產業應有的理念.公司內部自行辦理或與各訓練單位 ,學校,政府資源等合作,提供各種進修管道,協助員工工作技能與專業知識的提升.

7XZ-32.768KDA-T臺灣晶技晶振7Q-16.368MBG-T臺灣晶技晶振7XZ-32.768KDE-T晶振7Q-16.369MBG-T晶振7W-8.000MBB-T進口晶振7Q-16.369MBG-T進口晶振7W-50.000MBB-T石英晶體振蕩器7L-40.000MCS-T石英晶體振蕩器7W-50.000MBA-T可編程晶振7L-40.000MCS-T可編程晶振AU-26.000MBE-T有源晶振7Q-16.3676MBG-T有源晶振7C-40.000MBA-T臺灣TXC晶振7Q-16.3676MBG-T臺灣TXC晶振7Z-38.400MBG-T晶體振蕩器8W-12.000MBB-T晶體振蕩器6U-16.384MBE-T臺產晶振8W-12.000MBB-T臺產晶振BF-125.000MBE-T石英晶振AU-24.000MBE-T石英晶振BF-100.000MBE-T壓電石英振蕩子7Z-26.000MDS-T壓電石英振蕩子BX-100.000MBE-T貼片晶振8W-26.000MBB-T貼片晶振CX-100.000MBE-T溫補晶振8W-40.000MBB-T溫補晶振7XZ-32.768KBA-T壓控振蕩器8W-40.000MBB-T壓控振蕩器7W-25.000MBB-T有源晶體振蕩器7L-26.000MCG-T有源晶體振蕩器7W-48.000MBB-T臺灣晶技晶振7L-26.000MCG-T臺灣晶技晶振7X-19.200MBB-T晶振BB-106.250MBE-T晶振7X-30.000MBB-T進口晶振BB-106.250MBE-T進口晶振AW-11.2896MBE-T石英晶體振蕩器7Z-26.000MBG-T石英晶體振蕩器AU-50.000MBE-T可編程晶振7Z-38.400MDG-T可編程晶振7X-38.400MBA-T有源晶振7Z-26.000MDG-T有源晶振8W-12.000MBA-T臺灣TXC晶振8W-19.200MBA-T臺灣TXC晶振BB-125.000MBE-T晶體振蕩器8W-19.200MBA-T晶體振蕩器7W-4.096MBB-T臺產晶振8W-40.000MBA-T臺產晶振7W-40.000MBB-T石英晶振8W-40.000MBA-T石英晶振7C-26.000MBB-T壓電石英振蕩子7W-125.000MBB-T壓電石英振蕩子7C-40.000MCB-T貼片晶振7W-125.000MBB-T貼片晶振7W-66.6666MBB-T溫補晶振8W-24.576MBA-T溫補晶振7W-24.576MBA-T壓控振蕩器8W-24.576MBA-T壓控振蕩器7X-19.200MBA-T有源晶體振蕩器7W-133.330MBB-T有源晶體振蕩器BB-161.1328MBE-T臺灣晶技晶振7W-133.330MBB-T臺灣晶技晶振7X-20.000MBE-T晶振BT-156.250MBC-T晶振7X-20.000MBB-T進口晶振BT-156.250MBC-T進口晶振AU-33.000MBE-T石英晶體振蕩器BB-100.000MBE-T石英晶體振蕩器7WA2572007可編程晶振BB-100.000MBE-T可編程晶振6U-32.768MBE-T有源晶振BS-106.250MBC-T有源晶振BF-62.500MBE-T臺灣TXC晶振BS-106.250MBC-T臺灣TXC晶振BB-150.000MBE-T晶體振蕩器BB-133.330MBE-T晶體振蕩器BR-61.4400MBE-T臺產晶振BB-133.330MBE-T臺產晶振7N-12.800MBP-T石英晶振CB-150.000MBE-T石英晶振7N-26.000MBP-T壓電石英振蕩子CB-150.000MBE-T壓電石英振蕩子TC-3.6864MBD-T貼片晶振BF-156.250MBE-T貼片晶振TC-3.6864MBD-T溫補晶振BB-156.250MBE-T溫補晶振TC-70.000MBD-T壓控振蕩器CS-156.250MCC-T壓控振蕩器TC-70.000MBD-T有源晶體振蕩器CS-156.250MCC-T有源晶體振蕩器TD-19.200MBD-T臺灣晶技晶振BS-250.000MBC-T臺灣晶技晶振TD-19.200MBD-T晶振BS-250.000MBC-T晶振TD-3.6864MBD-T進口晶振CT-156.250MCC-T進口晶振TD-3.6864MBD-T石英晶體振蕩器CT-156.250MCC-T石英晶體振蕩器TD-64.000MBD-T可編程晶振BB-166.000MBE-T可編程晶振TD-64.000MBD-T有源晶振BB-166.000MBE-T有源晶振TD-7.3728MBD-T臺灣TXC晶振BS-312.500MBC-T臺灣TXC晶振TD-7.3728MBD-T晶體振蕩器BS-312.500MBC-T晶體振蕩器7W-32.000MBB-T臺產晶振BT-312.500MBC-T臺產晶振7W-32.000MBB-T石英晶振BT-312.500MBC-T石英晶振7X-19.200MBE-T壓電石英振蕩子CS-212.500MCC-T壓電石英振蕩子8W-26.000MBE-T貼片晶振CS-212.500MCC-T貼片晶振7X-30.000MBE-T溫補晶振BJ-61.440MBE-T溫補晶振7X-25.000MBE-T壓控振蕩器BJ-61.440MBE-T壓控振蕩器7X-38.400MBE-T有源晶體振蕩器CS-312.500MCC-T有源晶體振蕩器7X-48.000MBE-T臺灣晶技晶振CS-312.500MCC-T臺灣晶技晶振8W-20.000MBE-T晶振CT-312.500MCC-T晶振8W-13.000MBE-T進口晶振CT-312.500MCC-T進口晶振7X-50.000MBE-T石英晶體振蕩器7P-26.000MBP-T石英晶體振蕩器8W-24.000MBE-T可編程晶振7P-19.200MBP-T可編程晶振7X-26.000MBE-T有源晶振7P-25.000MBP-T有源晶振TD-4.096MBD-T臺灣TXC晶振7N-20.000MBP-T臺灣TXC晶振TD-4.096MBD-T晶體振蕩器7N-10.000MBP-T晶體振蕩器TC-33.000MBD-T臺產晶振7N-19.200MBP-T臺產晶振TC-33.000MBD-T石英晶振7N-25.000MBP-T石英晶振TD-40.000MBD-T壓電石英振蕩子BR-77.760MBE-T壓電石英振蕩子TD-40.000MBD-T貼片晶振BR-77.760MBE-T貼片晶振TD-49.152MBD-T溫補晶振BR-122.880MBE-T溫補晶振TD-49.152MBD-T壓控振蕩器BR-122.880MBE-T壓控振蕩器TC-4.000MBD-T有源晶體振蕩器BJ-122.880MBE-T有源晶體振蕩器TC-4.000MBD-T臺灣晶技晶振BJ-122.880MBE-T臺灣晶技晶振TC-16.0972MBD-T晶振CR-122.880MBE-T晶振TC-16.0972MBD-T進口晶振CR-122.880MBE-T進口晶振TD-24.576MBD-T石英晶體振蕩器BR-153.600MBE-T石英晶體振蕩器TD-24.576MBD-T可編程晶振CJ-153.600MBE-T可編程晶振TC-24.576MBD-T有源晶振CJ-153.600MBE-T有源晶振TC-24.576MBD-T臺灣TXC晶振BJ-156.250MBE-T臺灣TXC晶振TD-12.000MBD-T晶體振蕩器BJ-156.250MBE-T晶體振蕩器TD-12.000MBD-T臺產晶振7W-1.8432MBE-T臺產晶振TC-20.000MBD-T石英晶振7W-14.31818MBE-T石英晶振TC-20.000MBD-T壓電石英振蕩子7W-12.288MBB-T壓電石英振蕩子TC-12.000MBD-T貼片晶振7W-12.288MBB-T貼片晶振TC-12.000MBD-T溫補晶振7W-40.000MBE-T溫補晶振TC-36.000MBD-T壓控振蕩器7W-40.000MBE-T壓控振蕩器TC-36.000MBD-T有源晶體振蕩器TA-20.000MBD-T有源晶體振蕩器TC-16.000MBD-T臺灣晶技晶振TA-20.000MBD-T臺灣晶技晶振TC-16.000MBD-T晶振TA-22.5792MBD-T晶振TC-22.5792MBD-T進口晶振TA-22.5792MBD-T進口晶振TC-22.5792MBD-T石英晶體振蕩器TA-50.000MBD-T石英晶體振蕩器TD-24.000MBD-T可編程晶振TA-50.000MBD-T可編程晶振TD-24.000MBD-T有源晶振7W-14.7456MBB-T有源晶振TD-1.8432MBD-T臺灣TXC晶振7W-14.7456MBB-T臺灣TXC晶振TD-1.8432MBD-T晶體振蕩器7W-24.576MBB-T晶體振蕩器TC-64.000MBD-T臺產晶振7W-24.576MBB-T臺產晶振TC-64.000MBD-T石英晶振7W-8.192MBE-T石英晶振TC-25.000MBD-T壓電石英振蕩子7W-32.768MBE-T壓電石英振蕩子TC-25.000MBD-T貼片晶振7W-36.000MBE-T貼片晶振TC-1.8432MBD-T溫補晶振7C-27.000MBE-T溫補晶振TC-1.8432MBD-T壓控振蕩器7C-48.000MBE-T壓控振蕩器TD-22.5792MBD-T有源晶體振蕩器7W-1.544MBE-T有源晶體振蕩器TD-22.5792MBD-T臺灣晶技晶振7W-4.096MBE-T臺灣晶技晶振7C-50.000MBE-T晶振7C-40.000MBE-T晶振7WZ-32.768KBD-T進口晶振7W-8.000MBE-T進口晶振7WZ-32.768KBD-T石英晶體振蕩器7C-25.000MBE-T石英晶體振蕩器7XZ-32.768KBE-T可編程晶振7W-6.000MBE-T可編程晶振7W-8.192MBB-T有源晶振7W-10.000MBE-T有源晶振7W-4.000MBB-T臺灣TXC晶振7W-50.000MBE-T臺灣TXC晶振7W-4.000MBB-T晶體振蕩器7W-24.000MBE-T晶體振蕩器7L-16.368MCG-T臺產晶振7W-33.333MBE-T臺產晶振7L-16.368MCG-T石英晶振7W-24.576MBE-T石英晶振TC-125.000MBD-T壓電石英振蕩子7W-25.000MBE-T壓電石英振蕩子TC-125.000MBD-T貼片晶振7W-10.000MAB-T貼片晶振7C-25.000MCB-T溫補晶振7W-48.000MBE-T溫補晶振7Q-40.000MBS-T壓控振蕩器7W-40.000MAB-T壓控振蕩器7W-4.096MBA-T有源晶體振蕩器7W-40.000MAB-T有源晶體振蕩器7W-12.288MBA-T臺灣晶技晶振7W-20.000MAB-T臺灣晶技晶振7W-10.000MBA-T晶振7W-20.000MAB-T晶振AC-4.000MAE-T進口晶振7W-14.31818MAB-T進口晶振7X-24.576MBB-T石英晶體振蕩器7W-14.31818MAB-T石英晶體振蕩器7X-12.000MBB-T可編程晶振7W-24.000MAB-T可編程晶振7X-12.000MBB-T有源晶振7W-24.000MAB-T有源晶振7X-50.000MBB-T臺灣TXC晶振TB-1.8432MBD-T臺灣TXC晶振7X-25.000MBB-T晶體振蕩器TB-1.8432MBD-T晶體振蕩器7X-25.000MBB-T臺產晶振TB-70.000MBD-T臺產晶振7C-26.000MBA-T石英晶振TB-70.000MBD-T石英晶振7X-48.000MBB-T壓電石英振蕩子TB-30.000MBD-T壓電石英振蕩子7X-26.000MBB-T貼片晶振TB-30.000MBD-T貼片晶振7C-24.576MBA-T溫補晶振TA-11.0592MBD-T溫補晶振AU-14.31818MBE-T壓控振蕩器TA-11.0592MBD-T壓控振蕩器AU-48.000MBE-T有源晶體振蕩器TC-50.000MBD-T有源晶體振蕩器AU-48.000MBE-T臺灣晶技晶振TC-50.000MBD-T臺灣晶技晶振AU-12.000MBE-T晶振TA-13.000MBD-T晶振AU-12.000MBE-T進口晶振TA-13.000MBD-T進口晶振AU-12.288MBE-T石英晶體振蕩器TA-12.288MBD-T石英晶體振蕩器AU-25.000MBE-T可編程晶振TA-12.288MBD-T可編程晶振AU-27.000MBE-T有源晶振TA-33.000MBD-T有源晶振7X-30.000MBA-T臺灣TXC晶振TA-33.000MBD-T臺灣TXC晶振7X-30.000MBA-T晶體振蕩器TC-24.000MBD-T晶體振蕩器7X-12.000MBA-T臺產晶振TC-24.000MBD-T臺產晶振7X-12.000MBA-T石英晶振TB-22.1184MBD-T石英晶振7X-26.000MBA-T壓電石英振蕩子TB-22.1184MBD-T壓電石英振蕩子7X-25.000MBA-T貼片晶振TA-6.000MBD-T貼片晶振7X-48.000MBA-T溫補晶振TA-6.000MBD-T溫補晶振7X-48.000MBA-T壓控振蕩器TD-33.33333MBD-T壓控振蕩器7L-19.200MCS-T有源晶體振蕩器TD-33.33333MBD-T有源晶體振蕩器.