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ACT英國晶振,TFCT75壓控溫補(bǔ)晶體振蕩器,FT752600MBXNEXXHL-PF[26MHz]晶振

頻率：3~200MHZ

尺寸：7.0*5.0mm

小型SMD有源晶振,從最初超大體積到現(xiàn)在的7050mm,6035mm,5032mm,3225mm,2520mm體積,有著翻天覆地的改變,體積的變小也使產(chǎn)品帶來了更高的穩(wěn)定性能,接縫密封石英晶體振蕩器,精度高,覆蓋頻率范圍寬的特點(diǎn),SMD高速自動(dòng)安裝和高溫回流焊設(shè)計(jì),Optionable待機(jī)輸出三態(tài)輸出功能,電源電壓范圍:1.8V~5V,高穩(wěn)定性,低抖動(dòng),低功耗,主要應(yīng)用領(lǐng)域:無線通訊,高端智能手機(jī),平板筆記本W(wǎng)LAN,藍(lán)牙,數(shù)碼相機(jī),DSL和其他IT產(chǎn)品的晶振應(yīng)用,三態(tài)功能,PC和LCDM等高端數(shù)碼領(lǐng)域,符合RoHS/無鉛.

訂購熱線：0755-27837162

ACT英國晶振,TFCT75壓控溫補(bǔ)晶體振蕩器,FT752600MBXNEXXHL-PF[26MHz]晶振,自1986年以來，ACT晶振 - 以前的高級(jí)晶體技術(shù) - 已發(fā)展成為高性能頻率控制石英晶體產(chǎn)品的領(lǐng)先設(shè)計(jì)合作伙伴。通過新的合作伙伴關(guān)系定制頻率解決方案,我們與Esterline研究和設(shè)計(jì)（ERD）的合作使我們能夠突破高精度貼片振蕩器技術(shù)的界限。這些突破性產(chǎn)品為溫補(bǔ)晶體振蕩器TCXO和OCXO設(shè)立了新標(biāo)準(zhǔn)，創(chuàng)造了當(dāng)今市場(chǎng)上性能最高，最精確的振蕩器技術(shù)。
無論您需要新技術(shù)，如M-SAC增強(qiáng)型貼片振蕩器，還是簡(jiǎn)單的基本SMD晶振，我們的工程團(tuán)隊(duì)都將幫助您為您的應(yīng)用選擇合適的解決方案，并在整個(gè)設(shè)計(jì)周期和生產(chǎn)過程中為您提供支持。ACT英國晶振,TFCT75壓控溫補(bǔ)晶體振蕩器,FT752600MBXNEXXHL-PF[26MHz]晶振.

ACT艾西迪晶振公司除了石英水晶組件,同時(shí)量產(chǎn)LC濾波器,SAW,實(shí)時(shí)時(shí)鐘,時(shí)鐘晶振,溫補(bǔ)晶振和天線等產(chǎn)品,但頻率元件一直都是艾西迪晶振公司最重要的模塊,除此之外,陶瓷諧振器,無源晶振等都深受各大知名企業(yè)的歡迎

ACT英國晶振,TFCT75壓控溫補(bǔ)晶體振蕩器,FT752600MBXNEXXHL-PF[26MHz]晶振,小型SMD有源晶振,從最初超大體積到現(xiàn)在的7050mm,6035mm,5032mm,3225mm,2520mm體積,有著翻天覆地的改變,體積的變小也使產(chǎn)品帶來了更高的穩(wěn)定性能,接縫密封石英晶體振蕩器,精度高,覆蓋頻率范圍寬的特點(diǎn),SMD高速自動(dòng)安裝和高溫回流焊設(shè)計(jì),Optionable待機(jī)輸出三態(tài)輸出功能,電源電壓范圍:1.8V~5V,高穩(wěn)定性,低抖動(dòng),低功耗,主要應(yīng)用領(lǐng)域:無線通訊,高端智能手機(jī),平板筆記本W(wǎng)LAN,藍(lán)牙,數(shù)碼相機(jī),DSL和其他IT產(chǎn)品的晶振應(yīng)用,三態(tài)功能,PC和LCDM等高端數(shù)碼領(lǐng)域,符合RoHS/無鉛.

Parameters

Specification

Remarks

Frequency range

F_nom

3.0MHz ~ 200.0MHz

Supply voltage

Vcc

2.8V, 3.0V, 3.3V

Initial frequency tolerance

F_tol

<±2.0ppm

At +25°C±2°C

Frequency stability

vs Temperature

F_stb

±0.5ppm ~ ±3.0ppm

Table 1

vs Load

F_load

±0.3ppm max

±10% load condition change

vs Voltage

F_Vcc

±0.3ppm max

±5% input voltage change

vs Aging

F_age

±1.0ppm/year max

At +25°C

vs Reflow

±1.0ppm/year max

1 reflow and measured after 24hrs

Operating temperature range (°C)

Topr

0°C ~ +50°C to ‐40°C ~ +85°C

Table 1

Storage temperature (°C)

Tstg

‐55°C ~ +125°C

Output Waveform

HCMOS

Output voltage high

Voh

90% Vcc min

Output voltage low

Vol

10% Vcc max

Output load

15pF

Current consumption

Icc

10mA max [25MHz] ; 20mA max [200MHz]

At +25°C

Rise and fall time

Tr, Tf

10ns max

20% to 80% of wave form.

Duty cycle

SYM

45%/55%, 40%/60%

Measured at 50% Vcc.

Start‐ up time

T_str

5.0m sec (typical), 10.0m sec. (Max)

Reach 90% amplitude at +25°C±2°C

VC‐TCXO option only

Control voltage

1.5V ± 1.0V

For all supply voltages

Frequency tuning (ppm)

±5.0ppm min

Linearity/Slope polarity

±10.0% max/Positive slope

Positive voltage for positive frequency shift

Input impedance

50.0MΩ min

Modulation bandwidth

20.0kHz min

ESD sensitive device, Moisture sensitive level (MSL) ‐ 1

焊接和超聲波清洗
  晶振的焊接溫度條件是旨在允許同時(shí)處理其他電子元件，但取決于產(chǎn)品類型條件可能受到限制。確認(rèn)使用前的條件。基本上，超聲波清洗助焊劑允許，但在某些情況下，與振蕩共振超聲波清潔器的頻率可能會(huì)導(dǎo)致晶體單元的特性惡化。請(qǐng)檢查所有清潔前的條件。
腐蝕性物質(zhì)的影響
  當(dāng)SMD晶振單元接觸鹽或腐蝕性材料或長(zhǎng)期暴露于某些物質(zhì)這可能是氯化物或硫化物氣體等氣氛造成嚴(yán)重的缺陷，例如包裝失去其密封性由于腐蝕。選擇粘合劑或灌封時(shí)要特別小心用于晶體單元周邊的試劑。ACT英國晶振,TFCT75壓控溫補(bǔ)晶體振蕩器,FT752600MBXNEXXHL-PF[26MHz]晶振.
安裝引線安裝型晶體單元
  （1）在PC板上安裝一個(gè)壓電石英晶體單元，使其高度單位低于其他部分；這樣可以防止
由于沖擊引起的破損引起的支架式玻璃上方。玻璃破碎可能會(huì)影響氣密性密封導(dǎo)致性能下降。
  （2）安裝鉛封式晶體單元時(shí)使用PC板，PC上的孔之間的距離電路板應(yīng)該等于端子之間的距離晶體單元安裝。螺距中最輕微的誤差可能會(huì)導(dǎo)致玻璃裂縫水晶單元支架的一部分。
  （3）安裝引線型晶體單元時(shí)，我們建議設(shè)備應(yīng)與PC聯(lián)系電路板和焊接方式，以防止疲勞和由于機(jī)械共振引起的引線斷裂。
  （4）在PC板上安裝貼片石英晶振后，移動(dòng)單元使支架基底玻璃破裂導(dǎo)致特性惡化。別動(dòng)了這樣的水晶單元。