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AEL晶振,貼片晶振,125302晶振,進口無源晶振
頻率：24~80MHZ
尺寸：1.6*1.2mm
AEL在英國，日本，臺灣，南韓等地區使用精心挑選的石英晶體諧振器生產基地網絡。韓國中國和美國使我們能夠為這類組件提供真正的全球采購。這降低了這種高需求產品類型供應中斷的風險。我們通過實施全面的英國庫存政策進一步提高可用性。我們AEL晶體有限公司已借此機會為您提供最新的信息供您參考。
我們與所有供應商建立了長期的合作關系，并擁有悠久的高品質和無故障供應歷史。我們的一些制造合作伙伴已經為AEL生產了超過10年的無源晶振產品。這使我們能夠自信地提供一個批次的可靠性，質量，一致性和可重復性的可靠記錄.AEL晶體有限公司是ISO 9002-2008認可的供應商，目前管理著廣泛的國際認可的藍籌客戶。1.6*1.2小體積貼片晶振,金屬4P石英諧振器,125302晶振
AEL晶振,貼片晶振,125302晶振,進口無源晶振,小型貼片石英晶振,外觀尺寸具有薄型表面貼片型石英晶體諧振器,特別適用于有小型化要求的市場領域,比如智能手機,無線藍牙,平板電腦等電子數碼產品.晶振本身超小型,薄型,重量輕,晶體具有優良的耐環境特性,如耐熱性,耐沖擊性,在辦公自動化,家電相關電器領域及Bluetooth,Wireless LAN等短距離無線通信領域可發揮優良的電氣特性,滿足無鉛焊接的回流溫度曲線要求.
石英晶振高精度晶片的拋光技術：貼片晶振是目前晶片研磨技術中表面處理技術的最高技術，最終使晶振晶片表面更光潔，平行度及平面度更好，降低諧振電阻，提高Q值。從而達到一般研磨所達不到的產品性能，使石英晶振的等效電阻等更接近理論值，使晶振可在更低功耗下工作。使用先進的牛頓環及單色光的方法去檢測晶片表面的狀態。1.6*1.2小體積貼片晶振,金屬4P石英諧振器,125302晶振
|
AEL晶振 |
單位 |
125302晶振 |
石英晶振基本條件 |
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標準頻率 |
f_nom |
24~80MHZ |
標準頻率 |
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儲存溫度 |
T_stg |
-40°C~+85°C |
裸存 |
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工作溫度 |
T_use |
-20°C~+70°C |
標準溫度 |
|
激勵功率 |
DL |
50μW Max. |
推薦:100μW |
|
頻率公差 |
f_— l |
±30× 10-6 |
+25°C 對于超出標準的規格說明, |
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頻率溫度特征 |
f_tem |
±30× 10-6/-30°C~+85°C |
超出標準的規格請聯系我們. |
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負載電容 |
CL |
8~16PF |
不同負載電容要求,請聯系我們. |
|
串聯電阻(ESR) |
R1 |
如下表所示 |
-40°C~+85°C, DL = 100μW |
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頻率老化 |
f_age |
±2× 10-6/year Max. |
+25°C,第一年 |
一般來說，微處理器的振蕩電路由考畢茲電路顯示派生如下：鎘和CG是外部負載電容，其中已建成的芯片組。 （請參閱芯片組的規格）Rf為具有200KΩ?1MΩ反饋電阻。石英晶體的內置芯片一般設置。Rd為限流電阻470Ω與1KΩ?。這個阻力是沒有必要的公共電路，但僅用于具有高電源電路。AEL晶振,貼片晶振,125302晶振,進口無源晶振
一個穩定的振蕩電路需要的負電阻，其值應是無源石英晶振阻力的至少五倍。它可寫為|-R|>5的Rr。例如，為了獲得穩定的振蕩電路中，IC的負電阻的值必須小于？200Ω時的晶振電阻值是40Ω。負阻“的標準來評估一個振蕩電路的質量。在某些情況下，例如老化，熱變化，電壓變化，以及等等，電路可能不會產生振蕩的“Q”值是低的。因此，這是非常重要的衡量負電阻（-R）以下說明：
線路連接的電阻（R）與晶體串聯（2）從起點到振蕩的停止點調整R的值。（3）振蕩期間測量R的值。（4）你將能夠獲得負電阻的值，|•R|= R +的Rr，和RR =晶振的阻力。附：所連接的電路的雜散電容，可能會影響測定值。如果小型貼片晶振的參數是正常的，但它不工作穩步振蕩電路中，我們將不得不找出IC的電阻值是否過低驅動電路。如果是這樣的話，我們有三種方法來改善這樣的情況：降低外部電容（Cd和CG）的值，并采用其他晶振具有較低負載電容（CL）。采用具有較低電阻（RR）的晶振。使用光盤和CG的不等價的設計。我們可以增加鎘（XOUT）的負載電容和降低CG（辛）的負載電容以提高從辛波形幅度將在其后端電路中使用的輸出。1.6*1.2小體積貼片晶振,金屬4P石英諧振器,125302晶振
振蕩補償:除非在小型1612SMD晶體振蕩電路中提供足夠的負極電阻，否則會增加振蕩啟動時間，或不發生振蕩。為避免該情況發生，請在電路設計時提供足夠的負極電阻。AEL晶振,貼片晶振,125302晶振,進口無源晶振
測試條件:(1)電源電壓:超過 150µs，直到電壓級別從 0 %達到 90 % 。電源電壓阻抗低于電阻 2Ω。(2)其他:輸入電容低于 15 pF5倍頻率范圍或更多測量頻率。鉛探頭應盡可能短。測量1.6*1.2小型無源晶振頻率時，探頭阻抗將高于 1MΩ。當波形經過振蕩器的放大器時，可同時進行測量。(3)其他:CL包含探頭電容。應使用帶有小的內部阻抗的電表。使用微型插槽，以觀察波形。（請勿使用該探頭的長接地線）.
晶體諧振腔的形式模式，但泛音振蕩或基波。振蕩開始代替。在石英晶振1612基本諧振的情況下（MHz頻段）反饋電阻通常是1米?。在泛音諧振器（兆赫頻帶）的情況下，值取決于IC和頻率特性，但在幾個范圍內。K?-?幾十K。在音叉式諧振器的案例（kHz頻段），需要連接一個電阻10米或更?。限制流入諧振器的電流，調節負電阻和勵磁。電平，防止諧振腔的反常振蕩，抑制頻率波動。C1、C2電容器調節負電阻、勵磁電平和振蕩頻率。還設置有給定負載能力。
適當的控制金屬面貼片晶振電阻值（RD）取決于諧振器的類型，頻帶和設備的價值。電容器（C1，C2）。精確值是通過測量振蕩電路的特性來確定的（包括負電阻和驅動級）。AT切割諧振器（兆赫頻帶）的參考值在幾個范圍內。?幾K?。音叉式諧振器（kHz頻段）的參考值在100 K?幾K?范圍。安裝電容器的適當值取決于諧振器的類型、頻帶、控制電阻器的值和振蕩的順序，在3 pF的范圍內- 33 pF左右，僅供參考。1.6*1.2小體積貼片晶振,金屬4P石英諧振器,125302晶振
公司名：深圳市金洛鑫電子有限公司
聯系人：茹紅青
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