SIWARD在音叉晶振方面具有極強的競爭力
希華晶振提供一系列 32.768 kHz 音叉晶體,採用最先進光刻制程技術,來實現卓越的穩定性和信賴性。音叉型晶體具備低功耗特性 0.1 µW 及微型設計,最小尺寸至1.6 x 1.0mm,適合應用在穿戴式裝置、物聯網裝置、無線通訊、消費性電子產品、筆記型電腦、智慧電錶、安全系統和個人醫療設備。32.768 kHz 音叉型晶體系列包括 XTL72 (3.2 x 1.5 mm)、微型 XTL74 (2.0 x 1.2 mm) 和超微型 XTL75 (1.6 x 1.0 mm),支援 ±20ppm 的標準頻率容差,并提供多種負載電容選項,包括 12.5pF、9pF、7pF 等,一般工作溫度范圍為 -40°C 至 85°C, AEC-Q200 標準的汽車和工業應用可擴展至 -40°C 至 125°C。
整合上下游,開發到生產,自給自足.希華在光蝕刻制程技術上的創新與突破,結合臺灣唯一擁有上游長晶技術,整合上下游資源的能力,使音叉型晶體從開發到生產自己自足,不需外求,更加提升希華音叉晶體的競爭優勢。主要生產尺寸,從 3.2 x 1.5 mm到小型化 2.0 x 1.2 mm & 1.6 x 1.0 mm 皆可量產。
設立專線
于臺南有專屬音叉型晶體生產高度自動化工廠,設立專線以確保產品品質,達到最高要求。
音叉晶片能力
創新性
音叉產品是一種非常講求尺寸精度的產品,故在生產過程中如何控制產品尺寸非常重要的課題,目前市場上的產品還并不多,畢竟小型化技術是相當困難。希華采用最先進光蝕刻制程技術,使小型化產品能有更穩定的生產條件,不但縮短了生產時間,并大大提升了電性能力,在生產的良率上以及客戶的信賴性上,都有非常大的突破。
可行性與商業性
市面上的音叉型石英晶振種類繁多,需求最大量的產品外觀為3.2 x 1.5 mm,但對應市場上2.0 x 1.2 mm & 1.6 x 1.0 mm正崛起的情況之下,在產能提升狀態下首當其沖的就是成本問題,希華有著領先的光蝕刻制程技術,能快速對應不同尺寸產品因應各種需求。加上良率的提升,以最低成本作出最大產能,不僅僅能在市場上占有一席之地,還具有非常大的競爭力。
整合上下游,開發到生產,自給自足.希華在光蝕刻制程技術上的創新與突破,結合臺灣唯一擁有上游長晶技術,整合上下游資源的能力,使音叉型晶體從開發到生產自己自足,不需外求,更加提升希華音叉晶體的競爭優勢。主要生產尺寸,從 3.2 x 1.5 mm到小型化 2.0 x 1.2 mm & 1.6 x 1.0 mm 皆可量產。
流程分工圖
音叉晶體生產流程,從南科的晶棒生產、 切割、 研磨成wafer原材,配合光蝕刻制程生產技術, 制作成音叉型晶體 wafer,最后于南科專線生產,產能自己自足不需外求,不僅確保高品質水晶晶棒之供應,也能充分掌握產能及交貨期。各種尺寸與設計能力
從大尺寸3.2 x 1.5晶振到小尺寸2.0 x 1.2晶振 & 1.6 x 1.0晶振皆可量產,具備晶片設計能力,因應各種不同領域應用與客戶需求。設立專線
于臺南有專屬音叉型晶體生產高度自動化工廠,設立專線以確保產品品質,達到最高要求。
音叉晶片能力
技術層次
高精度產品的微機電技術,最重要的是產品尺寸精細度要求。利用微機電技術都能掌握至2um以內,比起傳統加工方式更為穩定,良率也較高。創新性
音叉產品是一種非常講求尺寸精度的產品,故在生產過程中如何控制產品尺寸非常重要的課題,目前市場上的產品還并不多,畢竟小型化技術是相當困難。希華采用最先進光蝕刻制程技術,使小型化產品能有更穩定的生產條件,不但縮短了生產時間,并大大提升了電性能力,在生產的良率上以及客戶的信賴性上,都有非常大的突破。
可行性與商業性
市面上的音叉型石英晶振種類繁多,需求最大量的產品外觀為3.2 x 1.5 mm,但對應市場上2.0 x 1.2 mm & 1.6 x 1.0 mm正崛起的情況之下,在產能提升狀態下首當其沖的就是成本問題,希華有著領先的光蝕刻制程技術,能快速對應不同尺寸產品因應各種需求。加上良率的提升,以最低成本作出最大產能,不僅僅能在市場上占有一席之地,還具有非常大的競爭力。
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