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你一定沒見過這么詳細的溫補晶振參數(shù)資料
隨著精度、低功耗和小型化，仍然是溫補晶振的研究課題。在小型化與片式化方面，面臨不少困難，其中主要的有兩點：一是小型化會使石英晶振的頻率可變幅度變小，溫度補償更加困難；二是片式封裝后在其接作業(yè)中，由于焊接溫度遠高于溫補晶振的最大允許溫度，會使晶體振子的頻率發(fā)生變化，若不采限局部散熱降溫措施，難以將溫補晶振的頻率變化量控制在±0.5×10－6以下。但是，溫補晶振的技術(shù)水平的提高并沒進入到極限，創(chuàng)新的內(nèi)容和潛力仍較大。
溫補晶振即溫度補償晶體振蕩器（TCXO），是通過附加的溫度補償電路使由周圍溫度變化產(chǎn)生的振蕩頻率變化量削減的一種石英晶體振蕩器。
頻率準(zhǔn)確度 在標(biāo)稱電源電壓、標(biāo)稱負載阻抗、基準(zhǔn)溫度（25℃）以及其他條件保持不變，晶體振蕩器的頻率相對與其規(guī)定標(biāo)稱值的最大允許偏差，即（fmax-fmin）/f0；
溫度穩(wěn)定度 其他條件保持不變，在規(guī)定溫度范圍內(nèi)石英振蕩器輸出頻率的最大變化量相對于溫度范圍內(nèi)輸出頻率極值之和的允許頻偏值，即（fmax-fmin）/（fmax+fmin）；
頻率調(diào)節(jié)范圍 通過調(diào)節(jié)晶振的某可變元件改變輸出頻率的范圍。
調(diào)頻（壓控）特性 包括調(diào)頻頻偏、調(diào)頻靈敏度、調(diào)頻線性度。
①調(diào)頻頻偏：壓控晶體振蕩器控制電壓由標(biāo)稱的最大值變化到最小值時輸出頻率差。
②調(diào)頻靈敏度：壓控晶體振蕩器變化單位外加控制電壓所引起的輸出頻率的變化量。
③調(diào)頻線性度：是一種與理想直線（最小二乘法）相比較的調(diào)制系統(tǒng)傳輸特性的量度。
負載特性 其他條件保持不變，負載在規(guī)定變化范圍內(nèi)晶體振蕩器輸出頻率相對于標(biāo)稱負載下的輸出頻率的最大允許頻偏。
電壓特性 其他條件保持不變，電源電壓在規(guī)定變化范圍內(nèi)晶體振蕩器輸出頻率相對于標(biāo)稱電源電壓下的輸出頻率的最大允許頻偏。
雜波 輸出信號中與主頻無諧波（副諧波除外）關(guān)系的離散頻譜分量與主頻的功率比，用dBc表示。
諧波諧波分量功率Pi與載波功率P0之比，用dBc表示。
頻率老化 在規(guī)定的環(huán)境條件下，由于元件（主要是石英諧振器）老化而引起的輸出頻率隨時間的系統(tǒng)漂移過程。通常用某一時間間隔內(nèi)的頻差來量度。對于高穩(wěn)定晶振，由于輸出頻率在較長的工作時間內(nèi)呈近似線性的單方向漂移，往往用老化率（單位時間內(nèi)的相對頻率變化）來量度。
日波動，指振蕩器經(jīng)過規(guī)定的預(yù)熱時間后，每隔一小時測量一次，連續(xù)測量24小時，將測試數(shù)據(jù)按S=（fmax-fmin）/f0式計算，得到日波動。
開機特性 在規(guī)定的預(yù)熱時間內(nèi)，進口晶體振蕩器頻率值的最大變化，用V=（fmax-fmin）/f0表示。
相位噪聲 短期穩(wěn)定度的頻域量度。用單邊帶噪聲與載波噪聲之比£（f）表示，£（f）與噪聲起伏的頻譜密度Sφ（f）和頻率起伏的頻譜密度Sy（f）直接相關(guān)，由下式表示：
f2S（f）=f02Sy（f）=2f2£（f）
f—傅立葉頻率或偏離載波頻率；f0—載波頻率。
無源晶振與有源晶振的英文名稱不同，無源晶振為crystal（晶體），而有源晶振則叫做oscillator（振蕩器）。無源晶振是有2個引腳的無極性元件，需要借助于時鐘電路才能產(chǎn)生振蕩信號，自身無法振蕩起來，所以“無源晶振”這個說法并不準(zhǔn)確。有源晶振有4只引腳，是一個完整的振蕩器，其中除了石英晶振外，還有晶體管和阻容元件，因此體積較大。晶體振蕩器是一種時間/頻率器件，由晶體諧振器和振蕩電路組成。
晶體振蕩器按照其功能類型可分為四種：
SPXO 簡單封裝晶體振蕩器
VCXO 電壓控制晶體振蕩器
TCXO 溫度控制晶體振蕩器溫度補償晶體振蕩器
OCXO 恒溫晶體振蕩器OCXO溫度控制晶體振蕩器
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