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Cardinal晶振,貼片晶振,CSM1晶振,石英晶振

頻率：3.579545~80MHZ

尺寸：12.9*4.7mm

普通石英晶振,外觀完全使用金屬材料封裝的,產(chǎn)品本身采用全自動石英晶體檢測儀,以及跌落,漏氣等苛刻實驗.產(chǎn)品本身具有高穩(wěn)定性,高可靠性的石英晶體諧振器,焊接方面支持表面貼裝,外觀采用金屬封裝,具有充分的密封性能,晶振本身能確保其高可靠性,采用編帶包裝,可對應產(chǎn)品應用到自動貼片機告訴安裝,滿足無鉛焊接的高溫回流溫度曲線要求.

訂購熱線：0755-27837162

Taitien成立于1976年，是石英晶體的原始制造商之一。在二十世紀九十年代初，Taitien成為VCXO主要供應商的主要電信公司。在接下來的幾年中，泰投投入大量資源用于研發(fā)，成為CMOS和LVPECL輸出的表面貼裝振蕩器的領先生產(chǎn)商之一。泰泰被認為是頻控產(chǎn)品的頂級制造商，為其全球客戶提供領先的解決方案。
此次收購的聯(lián)合產(chǎn)品將大大增強我們的可編程振蕩器功能，并使我們能夠提供更廣泛的無源晶振產(chǎn)品。我們將繼續(xù)提供Cardinal Components產(chǎn)品系列。業(yè)務將像往常一樣繼續(xù)使用相同的通信渠道。然而，最終的計劃，后勤和會計活動將重新部署在美國弗吉尼亞州夏洛特維爾的泰坦美國子公司Isotemp。美國進口石英晶振,假貼片49S晶振,CSM1晶振

Cardinal晶振,貼片晶振,CSM1晶振,石英晶振,貼片石英晶體,體積小,焊接可采用自動貼片系統(tǒng),產(chǎn)品本身小型,表面貼片晶振,特別適用于有小型化要求的電子數(shù)碼產(chǎn)品市場領域,因產(chǎn)品小型,薄型優(yōu)勢,耐環(huán)境特性,包括耐高溫,耐沖擊性等,在移動通信領域得到了廣泛的應用,晶振產(chǎn)品本身可發(fā)揮優(yōu)良的電氣特性,滿足無鉛焊接的高溫回流溫度曲線要求.

石英晶振曲率半徑加工技術：晶振晶片在球筒倒邊加工時應用到的加工技術，主要是研究滿足不同曲率半徑石英晶振晶片設計可使用的方法。如：1、是指球面加工曲率半徑的工藝設計（ a、球面的余弦磨量； b、球面的均勻磨量；c、球面加工曲率半徑的配合）2、在加工時球面測量標準的設計原則（曲率半徑公式的計算）。美國進口石英晶振,假貼片49S晶振,CSM1晶振

Cardinal晶振	單位	CSM1晶振	石英晶振基本條件
標準頻率	f_nom	3.579545~80MHZ	標準頻率
儲存溫度	T_stg	-55°C~+125°C	裸存
工作溫度	T_use	-10°C~+85°C	標準溫度
激勵功率	DL	1.0mW Max.	推薦:1.0mW
頻率公差	f_— l	±15,30,50,100× 10-6	+25°C 對于超出標準的規(guī)格說明, 請聯(lián)系我們以便獲取相關的信息,http://www.sdws.net/
頻率溫度特征	f_tem	±10,30,50,100× 10-6/-40°C~+85°C	超出標準的規(guī)格請聯(lián)系我們.
負載電容	CL	18PF	不同負載電容要求,請聯(lián)系我們.
串聯(lián)電阻(ESR)	R1	如下表所示	-40°C~+85°C, DL = 100μW
頻率老化	f_age	±5× 10-6/year Max.	+25°C,第一年

csm1 49SMD

這些晶振知識介紹是指，金屬面晶振在產(chǎn)品上線之后發(fā)生不良品或者沒反應的情況下，自檢辦法。石英晶振如果在電路上的功能不規(guī)則或根本無法全部晶振找出得到了應用操作，請使用以下的清單找出可能存在的問題。請按照確定的因素和可能的解決方案的說明。我們從晶振使用輸出無信號開始尋找相關問題。Cardinal晶振,貼片晶振,CSM1晶振,石英晶振
我們可以先使用示波器或者頻率計數(shù)器來檢查石英4腳晶體終端的兩個信號，如果沒有信號輸出，請按照步驟1-1到1-4步執(zhí)行檢查。如果有從石英晶振（XOUT）的輸出端子的輸出信號，而是從在終端（辛）輸出沒有信號，請檢查石英晶振體以下step1-5到步驟1-6。

你可以先把晶體卸載下來并測試石英進口晶振的頻率和負載電容，看看他們是否能振動，也可以使用專業(yè)的石英晶體測試儀器來檢測。如果你沒法檢測你也可以將不良品發(fā)送給我公司，我們檢測分析之后告訴你結果。如果有下列情況發(fā)生，晶振不起振，首先你先查看你產(chǎn)品上使用的負載電容CL是否對，是否跟你的線路相匹配，或者是晶振的精度是否符合你的要求，或者你可以把產(chǎn)品發(fā)送回我公司分析。如果晶振頻率和負載電容跟要求相對應的話，我們將需要進行等效電路測試。比如等效電路測試如下：美國進口石英晶振,假貼片49S晶振,CSM1晶振

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負載電容:如果振蕩電路中負載電容的不同，可能導致進口大型49S諧振器振蕩頻率與設計頻率之間產(chǎn)生偏差，如下圖所示。電路中的負載電容的近似表達式 CL≒CG × CD / （CG+CD） + CS。其中CS表示電路的雜散電容。Cardinal晶振,貼片晶振,CSM1晶振,石英晶振

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測試條件:(1)電源電壓:超過 150µs，直到電壓級別從 0 %達到 90 % 。電源電壓阻抗低于電阻 2Ω。(2)其他:輸入電容低于 15 pF5倍頻率范圍或更多測量頻率。鉛探頭應盡可能短。測量引線型壓電石英晶體頻率時，探頭阻抗將高于 1MΩ。當波形經(jīng)過振蕩器的放大器時，可同時進行測量。(3)其他:CL包含探頭電容。應使用帶有小的內(nèi)部阻抗的電表。使用微型插槽，以觀察波形。（請勿使用該探頭的長接地線）.

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振蕩頻率測量:必須盡可能地測量安裝在2腳進口49SMD晶振電路上的的振蕩頻率的真實值，使用正確的方法。在振蕩頻率的測量中，通常使用探頭和頻率計數(shù)器。然而,我們的目標是通過限制測量工具對振蕩電路本身的影響來測量。有三種頻率測量模式，如下面的圖所示（圖）。2, 3和4）。最精確的測量方法是通過使用任何能夠精確測量的頻譜分析儀來實現(xiàn)的。
接觸振蕩電路:探針不影響圖2，因為緩沖器的輸出是通過兩腳無源石英晶振輸入振蕩電路的輸出來測量的。逆變器進入下一階段。探針不影響圖3，因為在IC上測量緩沖器輸出（1/1、1/2等）。圖4示出了來自ic的無緩沖器輸出接收的情況，由此通過小尺寸測量來最小化探針的效果。輸出點之間的電容（3 pF以下XTAL終端IC）和探針。然而，應該注意到，使用這種方法輸出波形較小，測量不能依賴于即使示波器能檢查振蕩波形，頻率計數(shù)器的靈敏度也可以。在這種情況下，使用放大器來測量。美國進口石英晶振,假貼片49S晶振,CSM1晶振

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