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ILSI晶振,貼片晶振,IL3W晶振,石英進(jìn)口晶振

頻率：32.768KHZ

尺寸：1.6*1.0mm

此款SMD晶體并且可以承受回流焊接的高溫，波峰焊接，回流焊接等，貼片表晶主要特點是該產(chǎn)品排帶包裝，焊接模式主要使用SMT焊接，給現(xiàn)代SMT工藝帶來高速的工作效率，32.768K系列產(chǎn)品本身具有體積小,厚度薄,重量輕等特點，此音叉型石英晶體諧振器,晶振產(chǎn)品本身具備優(yōu)良的耐熱性,耐環(huán)境特性,在辦公自動化,家電領(lǐng)域,移動通信領(lǐng)域可發(fā)揮優(yōu)良的電氣特性,符合無鉛標(biāo)準(zhǔn),滿足無鉛焊接的回流溫度曲線要求,金屬外殼的石英晶振使得產(chǎn)品在封裝時能發(fā)揮比陶瓷晶振外殼更好的耐沖擊性能.

訂購熱線：0755-27837162

ILSI America成立于1987年，總部位于加州科斯塔梅薩。當(dāng)時的商業(yè)模式很簡單，成為1.6*1.0晶振和時鐘振蕩器的供應(yīng)商，以支持北美頻率控制市場,在隨后的29年中，隨著全球頻率控制產(chǎn)品市場需求呈指數(shù)級增長和全球化，ILSI通過有機增長和收購應(yīng)對不斷變化的市場和客戶群。
1995年，ILSI北京中國辦事處開業(yè)。1998年，ILSI晶振美國公司搬遷到它現(xiàn)在的位置，這是一個位于內(nèi)華達(dá)州里諾的10,000平方英尺的世界總部。1999年，ILSI香港中海物流中心開業(yè)。2007年ILSI韓國辦事處的開業(yè)完成了我們在美國和亞洲提供真正實體店的目標(biāo)，這些實體由直接員工提供，以支持我們在北美，墨西哥，亞洲和歐洲快速增長的客戶群。輕薄型32.768K晶體,1610石英諧振器,IL3W晶振

ILSI晶振,貼片晶振,IL3W晶振,石英進(jìn)口晶振,32.768K時鐘晶體具有小型,薄型,輕型的貼片晶振表面音叉型晶體諧振器,產(chǎn)品具有優(yōu)良的耐熱性,耐環(huán)境特性,可發(fā)揮晶振優(yōu)良的電氣特性,符合RoHS規(guī)定,滿足無鉛焊接的高溫回流溫度曲線要求,金屬外殼的封裝使得產(chǎn)品在封裝時能發(fā)揮比陶瓷諧振器外殼更好的耐沖擊性.
注重所使用水晶、研磨砂的選擇等；注重32.768K晶振研磨用工裝如：游輪的設(shè)計及選擇，從而使研磨晶振晶片在平面度、平行度、彎曲度都有很好的控制，最終使可研磨的石英晶振晶片的厚度越來越薄，貼片晶振晶片的頻率越來越高，為公司在高頻石英晶振的研發(fā)生產(chǎn)打下堅實基礎(chǔ)，提升了晶振廠家的競爭力，使晶振廠家高頻石英晶振的研發(fā)及生產(chǎn)領(lǐng)先于國內(nèi)其它公司。輕薄型32.768K晶體,1610石英諧振器,IL3W晶振

ILSI晶振	單位	IL3W晶振	石英晶振基本條件
標(biāo)準(zhǔn)頻率	f_nom	32.768KHZ	標(biāo)準(zhǔn)頻率
儲存溫度	T_stg	-55°C~+125°C	裸存
工作溫度	T_use	-40°C~+85°C	標(biāo)準(zhǔn)溫度
激勵功率	DL	0.1μW Max.	推薦:0.5μW
頻率公差	f_— l	±20× 10-6	+25°C 對于超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格說明, 請聯(lián)系我們以便獲取相關(guān)的信息,http://www.sdws.net/
頻率溫度特征	f_tem	-0.045× 10-6/-30°C~+85°C	超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格請聯(lián)系我們.
負(fù)載電容	CL	12.5PF	不同負(fù)載電容要求,請聯(lián)系我們.
串聯(lián)電阻(ESR)	R1	如下表所示	-40°C~+85°C, DL = 100μW
頻率老化	f_age	±3× 10-6/year Max.	+25°C,第一年

輕薄型32.768K晶體,1610石英諧振器,IL3W晶振

小體積晶振產(chǎn)品的設(shè)計和生產(chǎn)直到出廠,都會經(jīng)過嚴(yán)格的測試檢測來滿足它的規(guī)格要求。通過嚴(yán)格的出廠前可靠性測試以提供高質(zhì)量高的可靠性的石英晶振.但是為了石英晶振的品質(zhì)和可靠性,必須在適當(dāng)?shù)臈l件下存儲,安裝,運輸。請注意以下的注意事項并在最佳的條件下使用產(chǎn)品,我們將對于客戶按自己的判斷而使用石英晶振所導(dǎo)致的不良不負(fù)任何責(zé)任。ILSI晶振,貼片晶振,IL3W晶振,石英進(jìn)口晶振
機械振動的影響:當(dāng)無源SMD晶振產(chǎn)品上存在任何給定沖擊或受到周期性機械振動時,比如：壓電揚聲器,壓電蜂鳴器,以及喇叭等,輸出頻率和幅度會受到影響。這種現(xiàn)象對通信器材通信質(zhì)量有影響。盡管晶振產(chǎn)品設(shè)計可最小化這種機械振動的影響,我們推薦事先檢查并按照下列安裝指南進(jìn)行操作。
存儲事項:(1) 在更高或更低溫度或高濕度環(huán)境下長時間保存晶振時,會影響頻率穩(wěn)定性或焊接性。請在正常溫度和濕度環(huán)境下保存這些石英SMD晶振產(chǎn)品,并在開封后盡可能進(jìn)行安裝,以免長期儲藏。正常溫度和濕度：溫度：+15°C 至 +35°C,濕度 25 % RH 至 85 % RH。 (2) 請仔細(xì)處理內(nèi)外盒與卷帶。外部壓力會導(dǎo)致卷帶受到損壞。輕薄型32.768K晶體,1610石英諧振器,IL3W晶振

輕薄型32.768K晶體,1610石英諧振器,IL3W晶振

振蕩頻率測量:必須盡可能地測量安裝在排帶式包裝KHZ晶振電路上的的振蕩頻率的真實值，使用正確的方法。在振蕩頻率的測量中，通常使用探頭和頻率計數(shù)器。然而,我們的目標(biāo)是通過限制測量工具對振蕩電路本身的影響來測量。有三種頻率測量模式，如下面的圖所示（圖）。2, 3和4）。最精確的測量方法是通過使用任何能夠精確測量的頻譜分析儀來實現(xiàn)的。ILSI晶振,貼片晶振,IL3W晶振,石英進(jìn)口晶振

接觸振蕩電路:探針不影響圖2，因為緩沖器的輸出是通過1610貼片晶振輸入振蕩電路的輸出來測量的。逆變器進(jìn)入下一階段。探針不影響圖3，因為在IC上測量緩沖器輸出（1/1、1/2等）。圖4示出了來自ic的無緩沖器輸出接收的情況，由此通過小尺寸測量來最小化探針的效果。輸出點之間的電容（3 pF以下XTAL終端IC）和探針。然而，應(yīng)該注意到，使用這種方法輸出波形較小，測量不能依賴于即使示波器能檢查振蕩波形，頻率計數(shù)器的靈敏度也可以。在這種情況下，使用放大器來測量。

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驅(qū)動能力:驅(qū)動能力說明32.768系列貼片封裝晶體振蕩晶體單元所需電功率，其計算公式如下：驅(qū)動能力 (P) = i2?Re其中i表示經(jīng)過晶體單元的電流，Re表示晶體單元的有效電阻，而且 Re=R1（1+Co/CL）.

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測試條件:(1)電源電壓:超過 150µs，直到電壓級別從 0 %達(dá)到 90 % 。電源電壓阻抗低于電阻 2Ω。(2)其他:輸入電容低于 15 pF5倍頻率范圍或更多測量頻率。鉛探頭應(yīng)盡可能短。測量二腳貼片晶振頻率時，探頭阻抗將高于 1MΩ。當(dāng)波形經(jīng)過振蕩器的放大器時，可同時進(jìn)行測量。(3)其他:CL包含探頭電容。應(yīng)使用帶有小的內(nèi)部阻抗的電表。使用微型插槽，以觀察波形。（請勿使用該探頭的長接地線）.輕薄型32.768K晶體,1610石英諧振器,IL3W晶振

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