TXC晶振,有源晶振,CS晶振,CS-156.250MCC-T晶振,石英晶振多層、多金屬的濺射鍍膜技術：是目前研發及生產高精度、高穩定性石英晶體元器件——石英晶振必須攻克的關鍵技術之一。石英晶振該選用何鍍材、鍍幾種材料、幾種鍍材的鍍膜順序，鍍膜的工藝方法（如各鍍材的功率設計等）。使用此鍍膜方法使鍍膜后的晶振附著力增強，貼片晶振頻率更加集中，能控制在最小ppm之內。

小型表面貼片晶振型,是標準的壓電石英晶體,適用于寬溫范圍的電子數碼產品,家電電器及MP3,MP4,播放器,單片機等領域.可對應150.000MHz以上的頻率,在電子數碼產品,以及家電相關電器領域里面發揮優良的電氣特性,滿足無鉛焊接的回流溫度曲線要求.

臺灣晶技為一專業之頻率組件與感測組件供貨商，自1983年成立以來，始終致力于石英晶體相關諧振器(Crystal)、貼片振蕩器(Oscillator) 等頻率組件之研發、設計、生產與銷售，并因應市場應用與需求，透過自主核心技術，成功開發出各式感測組件(Sensor)，產品可廣泛使用于行動通訊、穿戴式裝置、物聯網、服務器儲存設備、車用、電信、醫療…等市場。多年來，我們始終以提升客戶價值為目標，是以無論在價格、質量、交期、服務等方面，均盡力盡心于超越客戶的期待，并以能成為客戶最佳的策略合作伙伴自我敦促。

臺灣晶技TXC晶振為一專業之頻率組件與感測組件供貨商，自1983年成立以來，始終致力于石英晶體相關諧振器(Crystal)、振蕩器(Oscillator) 32.768K鐘表晶振,溫補晶振,OSC振蕩器等頻率組件之研發、設計、生產與銷售，并因應市場應用與需求，透過自主核心技術，成功開發出各式感測組件(Sensor)，產品可廣泛使用于行動通訊、穿戴式裝置、物聯網、服務器儲存設備、車用、電信、醫療…等市場。

臺產TXC有源石英進口晶振型號列表：

所有產品的共同點1：抗沖擊:抗沖擊是指5032晶振產品可能會在某些條件下受到損壞。例如從桌上跌落,摔打,高空拋壓或在貼裝過程中受到沖擊。如果產品已受過沖擊請勿使用。因為無論何種石英晶振,其內部晶片都是石英晶振制作而成的,高空跌落摔打都會給晶振照成不良影響。 2：輻射:將貼片晶振暴露于輻射環境會導致產品性能受到損害,因此應避免陽光長時間的照射。 3：化學制劑 / pH值環境:請勿在PH值范圍可能導致腐蝕或溶解石英晶振或包裝材料的環境下使用或儲藏這些產品。TXC晶振,有源晶振,CS晶振,CS-156.250MCC-T晶振

4：粘合劑:請勿使用可能導致石英貼片晶振所用的封裝材料,終端,組件,玻璃材料以及氣相沉積材料等受到腐蝕的膠粘劑。（比如,氯基膠粘劑可能腐蝕一個晶振的金屬“蓋”,從而破壞密封質量,降低性能。） 5：鹵化合物:請勿在鹵素氣體環境下使用晶振。即使少量的鹵素氣體,比如在空氣中的氯氣內或封裝所用金屬部件內,都可能產生腐蝕。同時,請勿使用任何會釋放出鹵素氣體的樹脂。6：靜電:過高的靜電可能會損壞貼片晶振,請注意抗靜電條件。請為容器和封裝材料選擇導電材料。在處理的時候,請使用電焊槍和無高電壓泄漏的測量電路,并進行接地操作。

晶振產品使用每種產品時,請在進口石英晶振規格說明或產品目錄規定使用條件下使用。因很多種晶振產品性能,以及材料有所不同,所以使用注意事項也有所不同,比如焊接模式,運輸模式,保存模式等等,都會有所差別。

測試條件:(1)電源電壓:超過 150µs，直到電壓級別從 0 %達到 90 % 。電源電壓阻抗低于電阻 2Ω。(2)其他:輸入電容低于 15 pF5倍頻率范圍或更多測量頻率。鉛探頭應盡可能短。測量金屬面有源晶振頻率時，探頭阻抗將高于 1MΩ。當波形經過振蕩器的放大器時，可同時進行測量。(3)其他:CL包含探頭電容。應使用帶有小的內部阻抗的電表。使用微型插槽，以觀察波形。（請勿使用該探頭的長接地線）.TXC晶振,有源晶振,CS晶振,CS-156.250MCC-T晶振

振蕩電路:晶體諧振器是無源元件，因此受到電源電壓、環境溫度、電路的影響。配置、電路常數和襯底布線模式等操作大致分為正常運行和異常運行。因此，在振蕩電路的設計中，先決條件之一是如何確定金屬面六腳振蕩器振蕩電路。晶體諧振器的振動安全穩定。只有在做出了這個決定之后，后續的項目，例如討論了頻率精度、頻率變化、調制度、振蕩起始時間和振蕩波形。TXC晶振,有源晶振,CB晶振,CB-150.000MBE-T晶振

角色的分量與參考值:在高性能輸出晶振振蕩電路的設計中，必須認識到個體的作用。組件.在表1中，以例如振蕩電路為例來描述角色。（圖1）使用一個通用的C-MOS IC（74hcuo4ap東芝）。當反饋電阻（rf）未安裝在振蕩電路中時，如圖所示表1，即使在振蕩功率作用下，諧振器也不會啟動振蕩。電路。除非有適當值的電阻器連接，否則振蕩不會啟動。

如果5032石英晶體振蕩器振蕩電路中負載電容的不同，可能導致振蕩頻率與設計頻率之間產生偏差，如下圖所示。電路中的負載電容的近似表達式 CL≒CG × CD / （CG+CD） + CS。其中CS表示電路的雜散電容。