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首頁 愛普生晶振

EPSON晶體,有源晶振,SG5032VAN晶振,X1G0042610001晶振

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產品簡介

智能手機晶振,產品具有高精度超小型的表面貼片型石英晶體振蕩器,適用于移動通信終端的基準時鐘等移動通信領域.比如智能手機,無線通信,衛星導航,平臺基站等數碼產品類別,晶振本身小型,薄型具備各類移動通信的基準時鐘源用頻率,貼片晶振具有優良的電氣特性,耐環境性能適用于移動通信領域,滿足無鉛工作的高溫回流溫度曲線要求.

產品詳情

愛普生晶振以音叉型石英晶體諧振器,(32.768KHZ)系列出名,目前愛普生品牌遍布全世界,而千赫茲的晶體應用范圍也比較廣闊,所有的時記產品都需要用上KHZ系列晶體,該系列產品具有小型,薄型石英晶體振蕩器,特別適用于有小型化要求的市場領域.是對應陶瓷晶振(偏差大)和通常的石英晶體諧振器(偏差小)的中間領域的一種性價比出色的產品.最適用于HDD, SSD, USB數碼產品,播放器、數碼相機、筆記本電腦、移動電話等.等用途.

愛普生株式會社愛普生拓優科夢,(EPSON — YOCOM)1942年成立時是精工集團的第三家手表制造公司,以石英手表起家的愛普生公司到后續的生產壓電石英晶體,1996年2月在中國蘇州投資建廠,在當時員工人數就達2000人,總投資4.055億美元,公司占地200畝,現已經是世界500強企業.

EPSON晶體,有源晶振,SG5032VAN晶振,X1G0042610001晶振,石英晶振的研磨技術:通過對晶振切割整形后的晶片進行研磨,使石英晶振的晶片達到(厚度/頻率)的一定范圍。石英晶振晶片厚度與頻率的關系為:在壓電晶體行業,生產晶振頻率的高低是顯示鴻星技術水平的一個方面,通過理論與實際相結合,累積多年的晶振研磨經驗,通過深入細致地完善石英晶振研磨工藝技術,注重貼片晶振研磨過程的各種細節,注重晶振所用精磨研磨設備的選擇;

5032mm體積的石英晶體振蕩器,貼片振蕩器,該產品可驅動2.5V的溫補晶振,壓控晶振,VC-TCXO晶體振蕩器產品,電源電壓的低電耗型,編帶包裝方式,可對應自動高速貼片機自動焊盤,及IR回流焊盤(無鉛對應),為無鉛產品,超小型,質地輕.產品被廣泛應用到集成電路,程控交換系統,無線發射基站.

愛普生晶振規格

SG5032VAN晶振

驅動輸出

LVDS

常用頻率

73.5~700MHZ

工作電壓

+2.5~+3.3V(代表値)
電源電圧は+1.7V+3.3V範囲の任意の電圧で動作可能

靜態電流

(工作時)+1.2 mA max. (F15MHz)+1.4 mA max. (15F26MHz)
+1.6 mA max. (F26MHz)(スタンバイ時)+1μA以下

TCXO輸出電壓

0.8Vp-p min.

TCXO輸出負載

10kΩ//10pF) ±10

常規溫度偏差

±20/30/50×10-6(After 2 reflows)

頻率溫度偏差

±30×10-6/-40℃~+85

±50×10-6/-55℃~+125℃(オプション)

愛普生日產有源兆赫茲晶振型號列表:

Rearranges Rearranges Rearranges
Model
Frequency LxWxH Rearranges
Output Wave
Rearranges,Rearranges
Ope Temperature
Rearranges Rearranges Rearranges Rearranges Rearranges
Freq. Tol.
I [Max] 25°C Aging Aging2 Symmetry
SG3225EAN 174.703100 MHz 3.20 x 2.50 x 1.20 mm LV-PECL -40 to 85 °C +/-30 ppm ≤ 65.0 mA +/-5ppm 45 to 55 %
SG3225EAN 320.000000 MHz 3.20 x 2.50 x 1.20 mm LV-PECL -40 to 85 °C +/-30 ppm ≤ 65.0 mA +/-5ppm 45 to 55 %
SG3225EAN 500.000000 MHz 3.20 x 2.50 x 1.20 mm LV-PECL -40 to 85 °C +/-30 ppm ≤ 65.0 mA +/-5ppm 45 to 55 %
SG3225EAN 161.132812 MHz 3.20 x 2.50 x 1.20 mm LV-PECL -40 to 85 °C +/-30 ppm ≤ 65.0 mA +/-5ppm 45 to 55 %
SG5032VAN 100.000000 MHz 5.00 x 3.20 x 1.20 mm LVDS -40 to 85 °C +/-50 ppm ≤ 30.0 mA +/-5ppm 45 to 55 %
SG5032VAN 125.000000 MHz 5.00 x 3.20 x 1.20 mm LVDS -40 to 85 °C +/-50 ppm ≤ 30.0 mA +/-5ppm 45 to 55 %
SG5032VAN 125.006250 MHz 5.00 x 3.20 x 1.20 mm LVDS -40 to 85 °C +/-50 ppm ≤ 30.0 mA +/-5ppm 45 to 55 %
SG5032VAN 200.000000 MHz 5.00 x 3.20 x 1.20 mm LVDS -40 to 85 °C +/-50 ppm ≤ 30.0 mA +/-5ppm 45 to 55 %
愛普生日產有源兆赫茲晶振編碼列表:

Rearranges Rearranges Rearranges Rearranges
Product Number
Model Frequency LxWxH Rearranges
Output Wave
Rearranges,Rearranges
Ope Temperature
Rearranges Rearranges Rearranges Rearranges Rearranges
Freq. Tol.
I [Max] 25°C Aging Aging2 Symmetry
X1G0042510113 SG3225EAN 174.703100 MHz 3.20 x 2.50 x 1.20 mm LV-PECL -40 to 85 °C +/-30 ppm ≤ 65.0 mA +/-5ppm 45 to 55 %
X1G0042510114 SG3225EAN 320.000000 MHz 3.20 x 2.50 x 1.20 mm LV-PECL -40 to 85 °C +/-30 ppm ≤ 65.0 mA +/-5ppm 45 to 55 %
X1G0042510115 SG3225EAN 500.000000 MHz 3.20 x 2.50 x 1.20 mm LV-PECL -40 to 85 °C +/-30 ppm ≤ 65.0 mA +/-5ppm 45 to 55 %
X1G0042510121 SG3225EAN 161.132812 MHz 3.20 x 2.50 x 1.20 mm LV-PECL -40 to 85 °C +/-30 ppm ≤ 65.0 mA +/-5ppm 45 to 55 %
X1G0042610001 SG5032VAN 100.000000 MHz 5.00 x 3.20 x 1.20 mm LVDS -40 to 85 °C +/-50 ppm ≤ 30.0 mA +/-5ppm 45 to 55 %
X1G0042610002 SG5032VAN 125.000000 MHz 5.00 x 3.20 x 1.20 mm LVDS -40 to 85 °C +/-50 ppm ≤ 30.0 mA +/-5ppm 45 to 55 %
X1G0042610003 SG5032VAN 125.006250 MHz 5.00 x 3.20 x 1.20 mm LVDS -40 to 85 °C +/-50 ppm ≤ 30.0 mA +/-5ppm 45 to 55 %
X1G0042610005 SG5032VAN 200.000000 MHz 5.00 x 3.20 x 1.20 mm LVDS -40 to 85 °C +/-50 ppm ≤ 30.0 mA +/-5ppm 45 to 55 %

SG3225EAN VAN 3225 5032 7050

耐焊性:將晶振加熱包裝材料至+150°C以上會破壞產品特性或損害產品。如需在+150°C以上焊接石英晶振,建議使用SMD晶振產品。在下列回流條件下,對石英晶振產品甚至進口晶振使用更高溫度,會破壞晶振特性。建議使用下列配置情況的回流條件。安裝這些貼片晶振之前,應檢查焊接溫度和時間。同時,在安裝條件更改的情況下,請再次進行檢查。如果需要焊接的晶振產品在下列配置條件下進行焊接,請聯系我們以獲取耐熱的相關信息。EPSON晶體,有源晶振,SG5032VAN晶振,X1G0042610001晶振

日產晶振自動安裝和真空化引發的沖擊會破壞產品特性并影響這些產品。請設置安裝條件以盡可能將沖擊降至最低,并確保在安裝前未對晶振特性產生影響。條件改變時,請重新檢查安裝條件。同時,在安裝前后,請確保石英晶振產品未撞擊機器或其他電路板等。

存儲事項:(1) 在更高或更低溫度或高濕度環境下長時間保存貼片晶體時,會影響頻率穩定性或焊接性。請在正常溫度和濕度環境下保存這些石英晶振產品,并在開封后盡可能進行安裝,以免長期儲藏。 正常溫度和濕度: 溫度:+15°C 至 +35°C,濕度 25 % RH 至 85 % RH。 (2) 請仔細處理內外盒與卷帶。外部壓力會導致卷帶受到損壞。

測試條件:(1)電源電壓:超過 150µs,直到電壓級別從 0 %達到 90 % 。電源電壓阻抗低于電阻 2Ω。(2)其他:輸入電容低于 15 pF5倍頻率范圍或更多測量頻率。鉛探頭應盡可能短。測量頻率時,探頭阻抗將高于 1MΩ。當波形經過振蕩器的放大器時,可同時進行測量。(3)其他:CL包含探頭電容。應使用帶有小的內部阻抗的電表。使用微型插槽,以觀察波形。(請勿使用該探頭的長接地線).EPSON晶體,有源晶振,SG5032VAN晶振,X1G0042610001晶振

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負載電容:如果振蕩電路中負載電容的不同,可能導致通訊產品晶振振蕩頻率與設計頻率之間產生偏差,如下圖所示。電路中的負載電容的近似表達式 CL≒CG × CD / (CG+CD) + CS。其中CS表示電路的雜散電容。

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此外,振蕩頻率與測量點不同。1。測量有源貼片晶振緩沖輸出2。振蕩級輸出測量三.通過電容器測量振蕩級輸出圖5示出以上1-3個測量點和所測量的除緩沖器輸出外,振蕩頻率較低。

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