愛普生株式會社愛普生拓優科夢,(EPSON — YOCOM)1942年成立時是精工集團的第三家手表制造公司,以石英手表起家的愛普生公司到后續的生產壓電石英晶體,愛普生晶振以音叉型石英晶體諧振器,(32.768KHZ)系列出名,目前愛普生品牌遍布全世界,而千赫茲的晶體應用范圍也比較廣闊,所有的時記產品都需要用上KHZ系列晶體,該系列產品具有小型,薄型石英晶體諧振器,特別適用于有小型化要求的市場領域.
愛普生晶振,SMD晶振,FA-238A晶振,3.2*2.5mm貼片型四腳晶體諧振器長期占據晶振市場一定的比例,應用范圍廣,具有多用途特性,工作時和保存時的溫度范圍都在-40℃~125℃以內,并且通過了國際上的AEC-Q200指令標準,被確認為是最適合用在智能汽車電子與車載產品的晶體產品,FA-238A晶振的厚度也只有0.7mm,可以說是比較薄的,可為產品大大的縮減電路板空間.
愛普生晶振 |
單位 |
FA-238A晶振 |
石英晶振基本條件 |
標準頻率 |
f_nom |
12.000MHZ~62.400MHZ |
標準頻率 |
儲存溫度 |
T_stg |
-40°C~+125°C |
裸存 |
工作溫度 |
T_use |
-40°C~+125°C |
標準溫度 |
激勵功率 |
DL |
200μW Max. |
推薦:1μW~100μW |
頻率公差 |
f_— l |
±15 × 10-6(標準), |
+25°C對于超出標準的規格說明, |
頻率溫度特征 |
f_tem |
±30 × 10-6/-20°C~+70°C |
超出標準的規格請聯系我們. |
負載電容 |
CL |
7pF |
不同負載電容要求,請聯系我們. |
串聯電阻(ESR) |
R1 |
如下表所示 |
-40°C — +85°C,DL = 100μW |
頻率老化 |
f_age |
±5 × 10-6/ year Max. |
+25°C,第一年 |
操作
請勿用鑷子或任何堅硬的工具,夾具直接接觸IC的表面。愛普生晶振,SMD晶振,FA-238A晶振
使用環境(溫度和濕度)
請在規定的溫度范圍內使用耐高溫晶振。這個溫度涉及本體的和季節變化的溫度。在高濕環境下,會由于凝露引起故障。請避免凝露的產生。
晶體單元/諧振器
激勵功率
在晶體單元上施加過多驅動力,會導致貼片諧振器特性受到損害或破壞。電路設計必須能夠維持適當的激勵功率 (請參閱“激勵功率”章節內容)。
負極電阻
除非振蕩回路中分配足夠多的負極電阻,否則振蕩或振蕩啟動時間可能會增加(請參閱“關于振蕩”章節內容)。
負載電容
振蕩電路中負載電容的不同,可能導致進口貼片晶振振蕩頻率與設計頻率之間產生偏差。試圖通過強力調整,可能只會導致不正常的振蕩。在使用之前,請指明該振動電路的負載電容(請參閱“負載電容”章節內容)。
1、振蕩電路
3225貼片晶振是無源元件,因此受到電源電壓、環境溫度、電路的影響。
配置、電路常數和襯底布線模式等操作大致分為正常運行和
異常運行。因此,在振蕩電路的設計中,先決條件之一是如何確定振蕩電路。
晶體諧振器的振動安全穩定。只有在做出了這個決定之后,后續的項目,例如
討論了頻率精度、頻率變化、調制度、振蕩起始時間和振蕩波形。
2。角色的分量與參考值
在振蕩電路的設計中,必須認識到個體的作用。
組件.在表1中,以例如振蕩電路為例來描述角色。
(圖1)使用一個通用的C-MOS IC(74hcuo4ap東芝)。
當反饋電阻(rf)未安裝在振蕩電路中時,如圖所示
表1,即使在振蕩功率作用下,小體積貼片晶體也不會啟動振蕩。
電路。除非有適當值的電阻器連接,否則振蕩不會啟動。
晶體諧振腔的形式模式,但泛音振蕩或基波。
振蕩開始代替。在基本諧振的情況下(MHz頻段)反饋電阻通常是1米?。在
泛音諧振器(兆赫頻帶)的情況下,值取決于IC和頻率特性,但在幾個范圍內。
K?-?幾十K。在音叉式諧振器的案例(kHz頻段),需要連接一個電阻10米或更?。愛普生晶振,SMD晶振,FA-238A晶振
限制流入諧振器的電流,調節負電阻和勵磁。
電平,防止諧振腔的反常振蕩,抑制頻率波動。
C1、C2電容器調節負電阻、勵磁電平和振蕩頻率。還設置有
給定負載能力。
適當的控制電阻值(RD)取決于進口愛普生晶振的類型,頻帶和設備的價值。
電容器(C1,C2)。精確值是通過測量振蕩電路的特性來確定的(包括
負電阻和驅動級)。AT切割諧振器(兆赫頻帶)的參考值在幾個范圍內。
?幾K?。音叉式諧振器(kHz頻段)的參考值在100 K?幾K?范圍。
安裝電容器的適當值取決于諧振器的類型、頻帶、控制電阻器的值和
振蕩的順序,在3 pF的范圍內- 33 pF左右,僅供參考。