Renesas晶振,XLL53V52.000000I,VCXO振蕩器,6G通信晶振,Renesas晶振,XL進(jìn)口有源晶振,XLL53V52.000000I晶振,5032mm晶振,VCXO振蕩器,LVDS輸出差分晶振,頻率52MHz,工作溫度-40~85°C,電壓3.3V,低相噪晶振,低抖動(dòng)晶振,6G通信晶振,網(wǎng)絡(luò)終端晶振,數(shù)據(jù)中心晶振,高速轉(zhuǎn)換器晶振.

Renesas晶振,XLL53V52.000000I,VCXO振蕩器,6G通信晶振特點(diǎn)：

•輸出類(lèi)型:LVDS, LVPECL, LVCMOS

•相位抖動(dòng)(12kHz至20MHz): 750fs至890fs典型

•供電電壓:2.5V或3.3V

•包裝選項(xiàng):

•3.2 × 2.5 × 1.0 mm (VCXO不可用)

•5.0 × 3.2 × 1.2毫米

•7.0 × 5.0 × 1.3 mm

•工作溫度:-20℃~ +70℃

•頻率穩(wěn)定性選項(xiàng):±20，±25，±50，或±100 ppm(僅XO)

•±50ppm APR(僅限VCXO)

•工作溫度:-40°C至+85°C

•頻率穩(wěn)定性選項(xiàng):±25，±50，或±100 ppm(僅XO)

•±50ppm APR(僅限VCXO)

•工作溫度:-40°C至+105°C(僅XO)

•頻率穩(wěn)定性選項(xiàng):±50或±100ppm

•kV 85ppm/伏，典型范圍從0.5VDC到VDD(僅限VCXO)

•Vc范圍線性度優(yōu)于±10%

Renesas晶振,XLL53V52.000000I,VCXO振蕩器,6G通信晶振參數(shù)表

Renesas晶振,XLL53V52.000000I,VCXO振蕩器,6G通信晶振尺寸圖