IDT晶振,差分晶振,8N3D085晶振
頻率:15.476MHz~866.670MHz
尺寸:7.0*5.0*1.55mm
IDT提供高效DDR3和DDR4 LRDIMM內存接口解決方案,串行RapidIO®,PCI Express®開關和橋梁,信號完整性的產品,世界級的時機、高性能計算、高效電源管理解決方案和基于云計算的企業服務器應用程序。IDT晶振積極提高產品和包裝,以產生最快、最可靠的設備。然而,由于產品性能往往受到其實現的影響,因此建議仔細考慮影響設備運行溫度的因素,以達到最好的效果。
IDT開發了與數字系統相結合的半導體解決方案,例如處理器和內存,彼此之間,以及物理世界。在IDT,我們認為作為一個行業領導者,我們在解決我們星球上一些最偉大的社會和環境挑戰方面發揮了關鍵作用。IDT致力于通過網站運營和產品開發,持續改進作為一個全球性的組織。LVPECL差分輸出晶振,可編程石英振蕩子,8N3D085晶振
IDT晶振,差分晶振,8N3D085晶振.具有非常靈活的頻率編程功能的LVPECL雙頻可編程晶體振蕩器。該器件采用IDT的第四代FemtoClock®NG技術,以實現高時鐘頻率和低相位噪聲性能。該器件接受2.5V或3.3V電源,并封裝在小型無鉛(RoHS 6)6引腳陶瓷5mm x 7mm x 1.55mm封裝中。
采用鎖相環合成器產生輸出頻率的石英晶體振蕩器比采用非鎖相環技術的石英晶體振蕩器一般呈現較差的相位噪聲性能。但相對的,擁有好的相位噪聲和抖動的同時振蕩器的設計復雜,體積大,頻率低,造價高。
IDT晶振 |
標示 |
8N3D085晶振 |
晶振基本信息對照表 |
標準范圍 |
f0 |
15.476MHz~866.670MHz |
|
電源電圧 |
Vcc |
+2.5V、+2.8V、+3.3V |
|
輸出電流 |
Icc |
3.5 mA max. |
Vcc=3.3V |
頻率負載 |
L_CMOS |
15pF |
CMOS 出力 |
標準頻率偏差 |
f_tol |
±25、±50、±100×10-6 max.
|
初期偏差、 |
輸出電壓 |
V |
VOH:Vcc×90% min.VOL:Vcc×10% max. |
|
對稱 |
SYM |
40%~60% |
50% Vcc |
標準時間 |
tr/tf |
12 ns max.(1.8~80MHz) |
10%Vcc~90%、L_CMOS=15pF |
噪音
在電源或輸入端上施加執行級別(過高)的不相干(外部的)噪音,可能會導致可編程硅晶體差分晶振引發功能失常或擊穿的閉門或雜散現象。IDT晶振,差分晶振,8N3D085晶振
電源線路
電源的線路阻抗應盡可能低。
輸出負載
建議將輸出負載安裝在盡可能靠近六腳差分晶體振蕩器的地方(在20 mm范圍之間)。
未用輸入終端的處理
未用針腳可能會引起噪聲響應,從而導致非正常工作。同時,當P通道和N通道都處于打開時,電源功率消耗也會增加;因此,請將未用輸入終端連接到VCC 或GND。
熱影響
重復的溫度巨大變化可能會降低受損害的有源晶振的產品特性,并導致塑料封裝里的線路擊穿。必須避免這種情況。
安裝方向
進口晶體振蕩器的不正確安裝會導致故障以及崩潰,因此安裝時,請檢查安裝方向是否正確。
通電
不建議從中間電位和/或極快速通電,否則會導致有源晶體無法產生振蕩和/或非正常工作。LVPECL差分輸出晶振,可編程石英振蕩子,8N3D085晶振
振蕩電路的檢查方法
振蕩頻率測量
必須盡可能地測量安裝在電路上的諧振器的振蕩頻率的真實值,
使用正確的方法。在振蕩頻率的測量中,通常使用探頭和頻率計數器。然而,
我們的目標是通過限制測量工具對振蕩電路本身的影響來測量。LVPECL差分輸出晶振,可編程石英振蕩子,8N3D085晶振
有三種頻率測量模式,如下面的圖所示(圖)。2, 3和4)。最
精確的測量方法是通過使用任何能夠精確測量的頻譜分析儀來實現的。
接觸振蕩電路。
探針不影響圖2,因為緩沖器的輸出是通過輸入振蕩電路的輸出來測量的。
逆變器進入下一階段。
探針不影響圖3,因為在IC上測量緩沖器輸出(1/1、1/2等)。
圖4示出了來自ic的無緩沖器輸出接收的情況,由此通過小尺寸測量來最小化探針的效果。
輸出點之間的電容(3 pF以下XTAL終端IC)和探針。
然而,應該注意到,使用這種方法輸出波形較小,測量不能依賴于
即使示波器能檢查振蕩波形,頻率計數器的靈敏度也可以。在這種情況下,使用放大器來測量。IDT晶振,差分晶振,8N3D085晶振
此外,振蕩頻率與測量點不同。
1。測量緩沖輸出
2。振蕩級輸出測量
三.通過電容器測量振蕩級輸出
圖5示出以上1-3個測量點和所測量的
除緩沖器輸出外,振蕩頻率較低。
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