IDT晶振,XO晶振,8N4Q001晶振
頻率:15.476MHz~1300.000MHz
尺寸:7.0*5.0*1.5mm
IDT領先的串行RapidIO®,PCI Express®,電源管理,和先進的時機解決方案包括網絡同步產品超越競爭,使客戶開發最先進的系統。IDT以其有源晶振和行業領先的時間組合來處理汽車應用。IDT在德國的全資子公司- IDT歐洲有限公司(前身為ZMD AG)運營其卓越的汽車中心。本公司卓越的子公司/中心是ts - 16949,根據iso26262的標準,支持功能性安全要求。
由于微電子器件的功率耗散,熱能的管理很重要,可以從任何電子產品中獲得最好的性能。一種微電子設備的工作溫度決定了石英晶體振蕩器產品的速度和可靠性。IDT開發了與數字系統相結合的半導體解決方案,例如處理器和內存,彼此之間,以及物理世界。在IDT,我們認為作為一個行業領導者,我們在解決我們星球上一些最偉大的社會和環境挑戰方面發揮了關鍵作用。7050時鐘晶體振蕩器,進口XO有源晶體,8N4Q001晶振
IDT晶振,XO晶振,8N4Q001晶振.采用小型無鉛(RoHS 6)10引腳陶瓷5mm x 7mm x 1.55mm封裝封裝。除了由FSEL0和FSEL1引腳設置的四個默認上電頻率之外,IDT8N4Q001可以通過I2C接口進行編程,以15.476MHz至866.67MHz和975MHz至1,300MHz之間的時鐘頻率輸出,具有非常高的精確度頻率步長為435.9Hz÷N(N為PLL輸出分頻器)。
由于FSEL0和FSEL1引腳被映射到四個獨立的PLL分頻器寄存器(P,MINT,MFRAC和N),因此支持在FSEL0和FSEL1控制下將這些寄存器重新編程到其他頻率。擴展的溫度范圍支持無線基礎設施,電信和網絡終端設備要求。
IDT晶振 |
標示 |
8N4Q001晶振 |
晶振基本信息對照表 |
標準范圍 |
f0 |
15.476MHz~1300.000MHz |
|
電源電圧 |
Vcc |
+2.5V、+2.8V、+3.3V |
|
輸出電流 |
Icc |
3.5 mA max. |
Vcc=3.3V |
頻率負載 |
L_CMOS |
15pF |
CMOS 出力 |
標準頻率偏差 |
f_tol |
±10×10-6 max.
|
初期偏差、 |
輸出電壓 |
V |
VOH:Vcc×90% min.VOL:Vcc×10% max. |
|
對稱 |
SYM |
40%~60% |
50% Vcc |
標準時間 |
tr/tf |
12 ns max.(1.8~80MHz) |
10%Vcc~90%、L_CMOS=15pF |
噪音
在電源或輸入端上施加執行級別(過高)的不相干(外部的)噪音,可能導致會引發功能失常或擊穿的閉門或雜散現象。IDT晶振,XO晶振,8N4Q001晶振
電源線路
電源的線路阻抗應盡可能低。
輸出負載
建議將輸出負載安裝在盡可能靠近石英晶體振蕩器的地方(在20 mm范圍之間)。
未用輸入終端的處理
未用針腳可能會引起噪聲響應,從而導致非正常工作。同時,當P通道和N通道都處于打開時,電源功率消耗也會增加;因此,請將未用輸入終端連接到VCC 或GND。
熱影響
重復的溫度巨大變化可能會降低受損害的SMD振蕩器的產品特性,并導致塑料封裝里的線路擊穿。必須避免這種情況。7050時鐘晶體振蕩器,進口XO有源晶體,8N4Q001晶振
安裝方向
進口晶體振蕩器的不正確安裝會導致故障以及崩潰,因此安裝時,請檢查安裝方向是否正確。
通電
不建議從中間電位和/或極快速通電,否則會導致六腳有源晶振無法產生振蕩和/或非正常工作。
輸出波形與測試電路
1.時序表
2.測試條件
(1)電源電壓
超過 150µs,直到電壓級別從 0 %達到 90 % 。
電源電壓阻抗低于電阻 2Ω。IDT晶振,XO晶振,8N4Q001晶振
(2)其他
輸入電容低于 15 pF
5倍頻率范圍或更多測量頻率。
鉛探頭應盡可能短。
測量頻率時,探頭阻抗將高于 1MΩ。當波形經過振蕩器的放大器時,可同時進行測量。
(3)其他
CL包含探頭電容。
應使用帶有小的內部阻抗的電表。
使用微型插槽,以觀察波形。
(請勿使用該探頭的長接地線。)7050時鐘晶體振蕩器,進口XO有源晶體,8N4Q001晶振
3.測試電路
公司名:深圳市金洛鑫電子有限公司
聯系人:茹紅青
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