IDT晶振,進口壓控晶振,8N4SV75晶振
頻率:15.476MHz~866.67MHz
尺寸:7.0*5.0*1.65mm
在IDT,我們認為作為一個行業領導者,我們在解決我們星球上一些最偉大的社會和環境挑戰方面發揮了關鍵作用。IDT致力于通過網站運營和產品開發,持續改進作為一個全球性的組織。IDT的集成電路用于世界各地的通信、計算和消費行業。IDT晶振總部位于加州圣何塞市,在世界各地都設有設計、運營和銷售設施。
IDT為高性能的網絡通信應用提供了廣泛的解決方案。IDT領先的串行RapidIO®,PCI Express®,電源管理,和先進的時機解決方案包括網絡同步產品超越競爭,使客戶開發最先進的系統。汽車占每年全球主要能源消耗的16%。IDT的產品可以通過節能創新來幫助減少這種消費。我們的智能傳感器接口和傳感器信號調節器有助于提高燃料效率和減少碳排放。LVDS可編程壓控晶振,7050mm有源晶體,8N4SV75晶振
IDT晶振,進口壓控晶振,8N4SV75晶振.是一款具有非常靈活的頻率和拉范圍編程功能的LVDS可編程頻率VCXO。 該器件采用IDT的第四代FemtoClock®NG技術,以實現高時鐘頻率和低相位噪聲性能。該器件接受2.5V或3.3V電源,并封裝在小型無鉛(RoHS 6)6引腳陶瓷5mm x 7mm x 1.55mm封裝中。器件可以工廠編程到15.476范圍內的任何頻率 MHz至866.67MHz,從975MHz至1300MHz,頻率精度達到218Hz以上的非常高的程度。 擴展的溫度范圍支持無線基礎設施,電信和網絡終端設備要求。
IDT晶振 |
標示 |
8N4SV75晶振 |
晶振基本信息對照表 |
標準范圍 |
f0 |
15.476MHz~866.67MHz |
|
電源電圧 |
Vcc |
+2.5V、+2.8V、+3.3V |
|
輸出電流 |
Icc |
3.5 mA max. |
Vcc=3.3V |
頻率負載 |
L_CMOS |
15pF |
CMOS 出力 |
標準頻率偏差 |
f_tol |
±10×10-6 max.
|
初期偏差、 |
輸出電壓 |
V |
VOH:Vcc×90% min.VOL:Vcc×10% max. |
|
對稱 |
SYM |
40%~60% |
50% Vcc |
標準時間 |
tr/tf |
12 ns max.(1.8~80MHz) |
10%Vcc~90%、L_CMOS=15pF |
超聲波清洗
(1)使用AT-切割晶體和表面聲波(SAW)諧振器/聲表面濾波器的產品,可以通過超聲波進行清洗。但是,在某些條件下, 晶體特性可能會受到影響,而且內部線路可能受到損壞。確保已事先檢查系統的適用性。LVDS可編程壓控晶振,7050mm有源晶體,8N4SV75晶振
(2)使用音叉晶體和陀螺儀傳感器的產品無法確保能夠通過超聲波方法進行清洗,因為晶體可能受到破壞。
(3)請勿清洗開啟式產品
(4)對于可清洗產品,應避免使用可能對石英水晶諧振器產生負面影響的清洗劑或溶劑等。
(5)焊料助焊劑的殘留會吸收水分并凝固。這會引起諸如位移等其它現象。這將會負面影響晶振的可靠性和質量。請清理殘余的助焊劑并烘干PCB。
操作
請勿用鑷子或任何堅硬的工具,夾具直接接觸IC的表面。IDT晶振,進口壓控晶振,8N4SV75晶振
使用環境(溫度和濕度)
請在規定的溫度范圍內使用耐高溫晶振。這個溫度涉及本體的和季節變化的溫度。在高濕環境下,會由于凝露引起故障。請避免凝露的產生。
振蕩電路的檢查方法
振蕩頻率測量
必須盡可能地測量安裝在電路上的可編程有源晶振的振蕩頻率的真實值,
使用正確的方法。在振蕩頻率的測量中,通常使用探頭和頻率計數器。然而,
我們的目標是通過限制測量工具對振蕩電路本身的影響來測量。
有三種頻率測量模式,如下面的圖所示(圖)。2, 3和4)。最
精確的測量方法是通過使用任何能夠精確測量的頻譜分析儀來實現的。
接觸振蕩電路。IDT晶振,進口壓控晶振,8N4SV75晶振
探針不影響圖2,因為緩沖器的輸出是通過輸入振蕩電路的輸出來測量的。
逆變器進入下一階段。
探針不影響圖3,因為在IC上測量緩沖器輸出(1/1、1/2等)。
圖4示出了來自ic的無緩沖器輸出接收的情況,由此通過小尺寸測量來最小化探針的效果。
輸出點之間的電容(3 pF以下XTAL終端IC)和探針。
然而,應該注意到,使用這種方法7050大體積晶振輸出波形較小,測量不能依賴于
即使示波器能檢查振蕩波形,頻率計數器的靈敏度也可以。在這種情況下,使用放大器來測量。
此外,低相位壓控振蕩器振蕩頻率與測量點不同。
1。測量緩沖輸出
2。振蕩級輸出測量
三.通過電容器測量振蕩級輸出
圖5示出以上1-3個測量點和所測量的
除緩沖器輸出外,振蕩頻率較低。LVDS可編程壓控晶振,7050mm有源晶體,8N4SV75晶振
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