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TXC晶振,貼片晶振,9C晶振,石英貼片晶振

頻率：3.2~90MHZ

尺寸：12.7*4.8*3.8mm

普通石英晶振,外觀完全使用金屬材料封裝的,產(chǎn)品本身采用全自動石英晶體檢測儀,以及跌落,漏氣等苛刻實(shí)驗(yàn).產(chǎn)品本身具有高穩(wěn)定性,高可靠性的石英晶體諧振器,焊接方面支持表面貼裝,外觀采用金屬封裝,具有充分的密封性能,晶振本身能確保其高可靠性,采用編帶包裝,可對應(yīng)產(chǎn)品應(yīng)用到自動貼片機(jī)告訴安裝,滿足無鉛焊接的高溫回流溫度曲線要求.

訂購熱線：0755-27837162

臺灣晶技晶振為一專業(yè)之頻率組件與感測組件供貨商，自1983年成立以來，始終致力于石英晶體相關(guān)諧振器(Crystal)、振蕩器(Oscillator) 等頻率組件之研發(fā)、設(shè)計(jì)、生產(chǎn)與銷售，并因應(yīng)市場應(yīng)用與需求，透過自主核心技術(shù)，成功開發(fā)出各式感測組件(Sensor)，產(chǎn)品可廣泛使用于行動通訊、穿戴式裝置、物聯(lián)網(wǎng)、服務(wù)器儲存設(shè)備、車用、電信、醫(yī)療…等市場。多年來，我們始終以提升客戶價(jià)值為目標(biāo)，是以無論在價(jià)格、質(zhì)量、交期、服務(wù)等方面，均盡力盡心于超越客戶的期待，并以能成為客戶最佳的策略合作伙伴自我敦促。
經(jīng)過三十年的努力，臺灣晶技總公司而外，另設(shè)有49SMD晶振生產(chǎn)據(jù)點(diǎn)：總公司：臺北市北投區(qū)中央南路二段16號4樓,平鎮(zhèn)廠：桃園市平鎮(zhèn)區(qū)平鎮(zhèn)工業(yè)區(qū)工業(yè)六路4號,寧波廠：寧波市北侖區(qū)黃山西路189號,重慶廠：重慶市九龍坡區(qū)鳳笙路22號,TXC晶振目前專業(yè)從事這些類別的產(chǎn)品：晶體（32.768kHz，基本兆赫，高精度的兆赫，汽車級）。進(jìn)口石英49S晶振,高性能金屬貼片晶振,9C晶振 JLX-1

TXC晶振,貼片晶振,9C晶振,石英貼片晶振,目前國外進(jìn)口晶振品牌中大多數(shù)的品牌都在慢慢減少生產(chǎn)49/SSMD系列產(chǎn)品了，因49/S系列體積大，很多電子產(chǎn)品接受小，而且生產(chǎn)過程中使用的材料也要比小型的貼片晶振多,況且現(xiàn)在小尺寸的貼片晶振產(chǎn)量遠(yuǎn)遠(yuǎn)大于49/S系列，所以生產(chǎn)這種的大體積成本就更高了。普通貼片石英晶振外觀使用金屬材料封裝的,具有高穩(wěn)定性,高可靠性的石英晶體諧振器,晶振外觀本身使用金屬封裝,充分的密封性能,可確保其高可靠性,采用編帶包裝,外包裝采用朔膠盤,可在自動貼片機(jī)上對應(yīng)自動貼裝等優(yōu)勢。
貼片晶振晶片邊緣處理技術(shù)：進(jìn)口晶振是晶片通過滾筒倒邊，主要是為了去除石英晶振晶片的邊緣效應(yīng)，在實(shí)際操作中機(jī)器運(yùn)動方式設(shè)計(jì)、滾筒的曲率半徑、滾筒的長短、使用的研磨砂的型號、多少、填充物種類及多少等各項(xiàng)設(shè)計(jì)必須合理，有一項(xiàng)不完善都會使晶振晶片的邊緣效應(yīng)不能去除，而石英晶振晶片的諧振電阻過大，用在電路中Q值過小，從而電路不能振動或振動了不穩(wěn)定。 JLX-2

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TXC晶振	單位	9C晶振	石英晶振基本條件
標(biāo)準(zhǔn)頻率	f_nom	3.2MHz~90MHz	標(biāo)準(zhǔn)頻率
儲存溫度	T_stg	-55°C~+125°C	裸存
工作溫度	T_use	-40°C~+85°C	標(biāo)準(zhǔn)溫度
激勵(lì)功率	DL	100μW Max.	推薦:1μW~50μW
頻率公差	f_— l	±30×10^-6 (標(biāo)準(zhǔn))	+25°C 對于超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格說明, 請聯(lián)系我們以便獲取相關(guān)的信息, http://www.sdws.net/
頻率溫度特征	f_tem	±30×10^-6/-20°C~+70°C	超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格請聯(lián)系我們.
負(fù)載電容	CL	18pF	不同負(fù)載電容要求,請聯(lián)系我們.
串聯(lián)電阻(ESR)	R₁	如下表所示	-20°C~ +70°C, DL = 50μW
頻率老化	f_age	±3×10^-6/ year Max.	+25°C,第一年

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9C_SMD HC-49S

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一般來說，微處理器的振蕩電路由考畢茲電路顯示派生如下：鎘和CG是外部負(fù)載電容，其中已建成的芯片組。（請參閱芯片組的規(guī)格）Rf為具有200KΩ?1MΩ反饋電阻。它的內(nèi)置芯片一般設(shè)置。Rd為限流電阻470Ω與1KΩ?。這個(gè)阻力是沒有必要的公共電路，但僅用于具有高電源電路。一個(gè)穩(wěn)定的振蕩電路需要的負(fù)電阻，其值應(yīng)是石英晶體諧振器阻力的至少五倍。它可寫為|-R|>5的Rr。 TXC晶振,貼片晶振,9C晶振,石英貼片晶振
例如，為了獲得穩(wěn)定的振蕩電路中，IC的負(fù)電阻的值必須小于？200Ω時(shí)的晶振電阻值是40Ω。負(fù)阻“的標(biāo)準(zhǔn)來評估一個(gè)振蕩電路的質(zhì)量。在某些情況下，例如老化，熱變化，電壓變化，以及等等，電路可能不會產(chǎn)生振蕩的“Q”值是低的。因此，這是非常重要的衡量負(fù)電阻（-R）以下說明：線路連接的電阻（R）與石英晶振串聯(lián)（2）從起點(diǎn)到振蕩的停止點(diǎn)調(diào)整R的值。（3）振蕩期間測量R的值。（4）你將能夠獲得負(fù)電阻的值，|•R|= R +的Rr，和RR =晶振的阻力。進(jìn)口石英49S晶振,高性能金屬貼片晶振,9C晶振

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附：所連接的電路的雜散電容，可能會影響測定值。如果晶振的參數(shù)是正常的，但它不工作穩(wěn)步晶體振蕩器電路中，我們將不得不找出IC的電阻值是否過低驅(qū)動電路。如果是這樣的話，我們有三種方法來改善這樣的情況：降低外部電容（Cd和CG）的值，并采用其他晶振具有較低負(fù)載電容（CL）。采用具有較低電阻（RR）的晶振。使用光盤和CG的不等價(jià)的設(shè)計(jì)。我們可以增加鎘（XOUT）的負(fù)載電容和降低CG（辛）的負(fù)載電容以提高從辛波形幅度將在其后端電路中使用的輸出。

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振蕩電路的檢查方法:振蕩頻率測量必須盡可能地測量安裝在電路上的49S貼片晶振的振蕩頻率的真實(shí)值，使用正確的方法。在振蕩頻率的測量中，通常使用探頭和頻率計(jì)數(shù)器。然而,我們的目標(biāo)是通過限制測量工具對振蕩電路本身的影響來測量。有三種頻率測量模式，如下面的圖所示（圖）。2, 3和4）。最精確的測量方法是通過使用任何能夠精確測量的頻譜分析儀來實(shí)現(xiàn)的。 TXC晶振,貼片晶振,9C晶振,石英貼片晶振

接觸振蕩電路。探針不影響圖2，因?yàn)榫彌_器的輸出是通過輸入貼片石英晶振振蕩電路的輸出來測量的。逆變器進(jìn)入下一階段。探針不影響圖3，因?yàn)樵贗C上測量緩沖器輸出（1/1、1/2等）。圖4示出了來自ic的無緩沖器輸出接收的情況，由此通過小尺寸測量來最小化探針的效果。輸出點(diǎn)之間的電容（3 pF以下XTAL終端IC）和探針。然而，應(yīng)該注意到，使用這種方法輸出波形較小，測量不能依賴于即使示波器能檢查振蕩波形，頻率計(jì)數(shù)器的靈敏度也可以。在這種情況下，使用放大器來測量。

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此外，振蕩頻率與測量點(diǎn)不同。1。測量緩沖輸出2。振蕩級輸出進(jìn)口貼片晶振測量三.通過高精度石英晶振電容器測量振蕩級輸出,圖5示出以上1-3個(gè)測量點(diǎn)和所測量的,除緩沖器輸出外，振蕩頻率較低。進(jìn)口石英49S晶振,高性能金屬貼片晶振,9C晶振
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振蕩補(bǔ)償:除非在振蕩電路中石英貼片晶振提供足夠的負(fù)極電阻，否則會增加振蕩啟動時(shí)間，或不發(fā)生振蕩。為避免該情況發(fā)生，請?jiān)陔娐吩O(shè)計(jì)時(shí)提供足夠的負(fù)極電阻。