Abracon晶振,貼片晶振,ABM10W晶振,石英晶體諧振器
頻率:16~50MHZ
尺寸:2.5*2.0mm
較低的CL和較低的ESR提高了回路的運(yùn)行增益裕度,確保了所有變量的持續(xù)振蕩,包括偏差,負(fù)載,溫度和時(shí)間變化。 Gm_critical是晶振必須實(shí)現(xiàn)的關(guān)鍵跨導(dǎo)值,以保持在環(huán)路運(yùn)行的安全區(qū)域。不符合gm_critical的晶體與Pierce振蕩器不匹配,并可能導(dǎo)致與啟動(dòng)相關(guān)的長期可靠性問題。由于給定的Pierce振蕩器的功耗降低gm和gm_crictical,部署在物聯(lián)網(wǎng)和可穿戴應(yīng)用中的節(jié)能設(shè)計(jì)最有可能發(fā)生故障。進(jìn)行PAS測(cè)試可降低風(fēng)險(xiǎn)并提高系統(tǒng)的可靠性。
由于大多數(shù)Pierce振蕩器的跨導(dǎo)(gm)繼續(xù)向前所未有的低水平下降,所以ABRACON石英晶體不僅被迫尺寸較小,而且還提供非常低的電鍍負(fù)載(CL)和低等效串聯(lián)電阻(ESR)參數(shù)選項(xiàng)。滿足節(jié)能MCU和RF芯片組要求的最低gm_critical要求取決于保持低CL,ESR和C0參數(shù)的保證。這需要在晶體上采用新的非平凡電鍍?cè)O(shè)計(jì),同時(shí)降低CL和ESR,并且仍然可以保證低溫度和老化效應(yīng)的規(guī)格。ABRACON新的石英晶體電鍍?cè)O(shè)計(jì)使得下一代Pierce振蕩器能夠在能夠保持振蕩的情況下運(yùn)行在煙霧上。電子行業(yè)有一個(gè)非常一致的趨勢(shì),直接取決于時(shí)間 - 隨著技術(shù)越來越小,功耗降低的需求越來越高。解決石英晶體設(shè)計(jì)要求,取決于行業(yè)需求,已經(jīng)成為至關(guān)重要的。
Abracon晶振,貼片晶振,ABM10W晶振,石英晶體諧振器,2520mm體積的晶振,可以說是目前小型數(shù)碼產(chǎn)品的福音,目前超小型的智能手機(jī)里面所應(yīng)用的就是小型的石英晶振,該產(chǎn)品最適用于無線通訊系統(tǒng),無線局域網(wǎng),已實(shí)現(xiàn)低相位噪聲,低電壓,低消費(fèi)電流和高穩(wěn)定度,超小型,質(zhì)量輕等產(chǎn)品特點(diǎn),產(chǎn)品本身編帶包裝方式,可對(duì)應(yīng)自動(dòng)高速貼片機(jī)應(yīng)用,以及高溫回流焊接(產(chǎn)品無鉛對(duì)應(yīng)),為無鉛產(chǎn)品.
通過深入細(xì)致地完善石英晶振研磨工藝技術(shù),注重貼片晶振研磨過程的各種細(xì)節(jié),注重晶振所用精磨研磨設(shè)備的選擇;注重所使用水晶、研磨砂的選擇等;注重石英晶振研磨用工裝如:游輪的設(shè)計(jì)及選擇,從而使研磨晶振晶片在平面度、平行度、彎曲度都有很好的控制,最終使可研磨的石英晶振晶片的厚度越來越薄,貼片晶振晶片的頻率越來越高,為公司在高頻石英晶振的研發(fā)生產(chǎn)打下堅(jiān)實(shí)基礎(chǔ),提升了晶振廠家的競爭力,使晶振廠家高頻石英晶振的研發(fā)及生產(chǎn)領(lǐng)先于國內(nèi)其它公司。
Abracon晶振 |
單位 |
ABM10W晶振 |
石英晶振基本條件 |
標(biāo)準(zhǔn)頻率 |
f_nom |
16~50MHZ |
標(biāo)準(zhǔn)頻率 |
儲(chǔ)存溫度 |
T_stg |
-55°C ~ +125°C |
裸存 |
工作溫度 |
T_use |
-40°C ~ +125°C |
標(biāo)準(zhǔn)溫度 |
激勵(lì)功率 |
DL |
10~100μW Max. |
推薦:10~100μW |
頻率公差 |
f_— l |
±10 × 10-6 (標(biāo)準(zhǔn)) |
+25°C 對(duì)于超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格說明, |
頻率溫度特征 |
f_tem |
±10× 10-6/-20°C ~ +70°C |
超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格請(qǐng)聯(lián)系我們. |
負(fù)載電容 |
CL |
4pF |
不同負(fù)載要求,請(qǐng)聯(lián)系我們. |
串聯(lián)電阻(ESR) |
R1 |
如下表所示 |
-40°C — +85°C, DL = 100μW |
頻率老化 |
f_age |
±2× 10-6 / year Max. |
+25°C,第一年 |
我們可以先使用示波器或者頻率計(jì)數(shù)器來檢查石英晶體諧振器終端的兩個(gè)信號(hào),如果沒有信號(hào)輸出,請(qǐng)按照步驟1-1到1-4步執(zhí)行檢查。如果有從石英晶振(XOUT)的輸出端子的輸出信號(hào),而是從在終端(辛)輸出沒有信號(hào),請(qǐng)檢查石英晶振體以下step1-5到步驟1-6。
你可以先把晶體卸載下來并測(cè)試晶振的頻率和負(fù)載電容,看看他們是否能振動(dòng),也可以使用專業(yè)的石英進(jìn)口晶體測(cè)試儀器來檢測(cè) 。如果你沒法檢測(cè)你也可以將不良品發(fā)送給我公司,我們檢測(cè)分析之后告訴你結(jié)果。如果有下列情況發(fā)生,晶振不起振,首先你先查看你產(chǎn)品上使用的負(fù)載電容CL是否對(duì),是否跟你的線路相匹配,或者是晶振的精度是否符合你的要求,或者你可以把產(chǎn)品發(fā)送回我公司分析。如果晶振頻率和負(fù)載電容跟要求相對(duì)應(yīng)的話,我們將需要進(jìn)行等效電路測(cè)試。比如等效電路測(cè)試如下:
此外,振蕩頻率與測(cè)量點(diǎn)不同。1。測(cè)量緩沖輸出2。振蕩級(jí)輸出測(cè)量三.通過2520四腳貼片晶振電容器測(cè)量振蕩級(jí)輸出圖5示出以上1-3個(gè)測(cè)量點(diǎn)和所測(cè)量的除緩沖器輸出外,振蕩頻率較低。Abracon晶振,貼片晶振,ABM10W晶振,石英晶體諧振器
晶體諧振腔的形式模式,但泛音振蕩或基波。振蕩開始代替。在2520無源晶振基本諧振的情況下(MHz頻段)反饋電阻通常是1米?。在泛音諧振器(兆赫頻帶)的情況下,值取決于IC和頻率特性,但在幾個(gè)范圍內(nèi)。K?-?幾十K。在音叉式諧振器的案例(kHz頻段),需要連接一個(gè)電阻10米或更?。限制流入諧振器的電流,調(diào)節(jié)負(fù)電阻和勵(lì)磁。電平,防止諧振腔的反常振蕩,抑制頻率波動(dòng)。C1、C2電容器調(diào)節(jié)負(fù)電阻、勵(lì)磁電平和振蕩頻率。還設(shè)置有給定負(fù)載能力。
適當(dāng)?shù)目刂齐娮柚担≧D)取決于諧振器的類型,頻帶和設(shè)備的價(jià)值。電容器(C1,C2)。精確值是通過移動(dòng)設(shè)備晶振測(cè)量振蕩電路的特性來確定的(包括負(fù)電阻和驅(qū)動(dòng)級(jí))。AT切割諧振器(兆赫頻帶)的參考值在幾個(gè)范圍內(nèi)。?幾K?。音叉式諧振器(kHz頻段)的參考值在100 K?幾K?范圍。安裝電容器的適當(dāng)值取決于諧振器的類型、頻帶、控制電阻器的值和振蕩的順序,在3 pF的范圍內(nèi)- 33 pF左右,僅供參考。
負(fù)載電容:如果振蕩電路中負(fù)載電容的不同,可能導(dǎo)致智能手機(jī)晶振振蕩頻率與設(shè)計(jì)頻率之間產(chǎn)生偏差,如下圖所示。電路中的負(fù)載電容的近似表達(dá)式 CL≒CG × CD / (CG+CD) + CS。其中CS表示電路的雜散電容。
公司名:深圳市金洛鑫電子有限公司
聯(lián)系人:茹紅青
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JLX-PD
金洛鑫產(chǎn)品系列
PRODUCT LINE
石英晶振
QuartzCrystal
- KDS晶振
- 愛普生晶振
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貼片晶振
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