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微晶晶振,貼片晶振,CC7V-T1A晶振,歐美貼片晶振

頻率：32.768KHZ

尺寸：3.2*1.5*0.9mm

貼片石英晶體諧振器，又簡稱為排帶包裝，這是這產品采用排帶盤式包裝，使產品在焊接時能采用SMT自動貼片機高速的焊接，大大節約人工，提高工作效率。32.768KHz千赫子時鐘晶體，其本身主要應用在時鐘控制產品，或者是控制模塊，主要給時鐘芯片提供一個基準信號，其主要各項功能還得看應用何種產品。本產品具有小型,薄型,輕型的貼片晶振表面型音叉式石英晶體諧振器,產品具有優良的耐熱性,耐環境特性,可發揮晶振優良的電氣特性

訂購熱線：0755-27837162

微晶，1978年成立于瑞士格倫興，為Swatch Group的供貨商，提供手表音叉式晶體的產品。微晶已經發展成為一家在微型音叉晶體(32kHz ~ 250MHz)、實時時鐘模塊、晶振和OCXO等多個領域的領導供貨商，為世界一流的終端產品制造商提供從設計到量產的全方位支持，服務范圍涵蓋手機、計算機、汽車電子、手表、工業控制、植入式醫療及其他高可靠性產品。

微晶玻璃（MC）的管理、環境與社會責任原則執行（MES）大綱標準，以確保MC設備的工作條件，以及供應鏈合作伙伴的活動支持MC的要求，是安全的，工人是尊重和尊嚴對待，以及制造過程使用MC和它的作伙伴對環境負責。微晶石英晶振的管理團隊以及領導的工作人員。職位提供了一個積極的例子，在所有領域的質量行為。公司。他們激勵員工始終如一地思考問題。質量與成本。此外，參與者應持有其實踐對最初的MES審計和隨后的MES監督審核開放。要使這些原則獲得成功，與會者應視為原則。全面供應鏈計劃。至少，參加者應鼓勵他們的下一層。

微晶晶振,貼片晶振,CC7V-T1A晶振,歐美貼片晶振,此款SMD晶體并且可以承受回流焊接的高溫，波峰焊接，回流焊接等，貼片表晶主要特點是該產品排帶包裝，焊接模式主要使用SMT焊接，給現代SMT工藝帶來高速的工作效率，32.768K系列產品本身具有體積小,厚度薄,重量輕等特點，此音叉型石英晶體諧振器,晶振產品本身具備優良的耐熱性,耐環境特性,在辦公自動化,家電領域,移動通信領域可發揮優良的電氣特性,符合無鉛標準,滿足無鉛焊接的回流溫度曲線要求,金屬外殼的石英晶振使得產品在封裝時能發揮比陶瓷晶振外殼更好的耐沖擊性能。
石英貼片晶振曲率半徑加工技術：石英晶振晶片在球筒倒邊加工時應用到的加工技術，主要是研究滿足不同曲率半徑石英晶振晶片設計可使用的方法。如：1、是指球面加工曲率半徑的工藝設計（ a、球面的余弦磨量； b、球面的均勻磨量；c、球面加工曲率半徑的配合）2、在加工時球面測量標準的設計原則（曲率半徑公式的計算）。

微晶晶振	單位	CC7V-T1A晶振	石英晶振基本條件
標準頻率	f_nom	32.768KHz	標準頻率
儲存溫度	T_stg	-55°C~+125°C	裸存
工作溫度	T_use	-40°C~+85°C	標準溫度
激勵功率	DL	0.5μW Max.	推薦:0.5μW
頻率公差	f_— l	±20、±100× 10-6 (標準)	+25°C 對于超出標準的規格說明, 請聯系我們以便獲取相關的信息,http://www.sdws.net/
頻率溫度特征	f_tem	±100 × 10-6/-40°C~+85°C	超出標準的規格請聯系我們.
負載電容	CL	6,7,9,12.5PF	不同負載電容要求,請聯系我們.
串聯電阻(ESR)	R1	如下表所示	-40°C~+85°C, DL=0.5μW
頻率老化	f_age	±3× 10-6 / year Max.	+25°C,第一年

CC7V-T1A 3215

所有產品的共同點：1：抗沖擊：抗沖擊是指晶振產品可能會在某些條件下受到損壞。例如從桌上跌落,摔打,高空拋壓或在貼裝過程中受到沖擊。如果產品已受過沖擊請勿使用。因為無論何種石英晶振,其內部晶片都是石英晶振制作而成的,高空跌落摔打都會給晶振照成不良影響。 2：輻射：將貼片晶振暴露于輻射環境會導致產品性能受到損害,因此應避免陽光長時間的照射。 3：化學制劑 / pH值環境：請勿在PH值范圍可能導致腐蝕或溶解石英晶體諧振器或包裝材料的環境下使用或儲藏這些產品。微晶晶振,貼片晶振,CC7V-T1A晶振,歐美貼片晶振
4：粘合劑：請勿使用可能導致石英晶振所用的封裝材料,終端,組件,玻璃材料以及氣相沉積材料等受到腐蝕的膠粘劑。（比如,氯基膠粘劑可能腐蝕一個晶振的金屬“蓋”,從而破壞密封質量,降低性能。） 5：鹵化合物：請勿在鹵素氣體環境下使用晶振。即使少量的鹵素氣體,比如在空氣中的氯氣內或封裝所用金屬部件內,都可能產生腐蝕。同時,請勿使用任何會釋放出鹵素氣體的樹脂。6：靜電：過高的靜電可能會損壞SMD晶振,請注意抗靜電條件。請為容器和封裝材料選擇導電材料。在處理的時候,請使用電焊槍和無高電壓泄漏的測量電路,并進行接地操作。

負載電容:如果3215晶振振蕩電路中負載電容的不同，可能導致振蕩頻率與設計頻率之間產生偏差，如下圖所示。電路中的負載電容的近似表達式 CL≒CG × CD / （CG+CD） + CS。其中CS表示電路的雜散電容。微晶晶振,貼片晶振,CC7V-T1A晶振,歐美貼片晶振

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測試條件:

(1)電源電壓:超過 150µs，直到電壓級別從 0 %達到 90 % 。

電源電壓阻抗低于電阻 2Ω。(2)其他:輸入電容低于 15 pF5倍頻率范圍或更多測量頻率。鉛探頭應盡可能短。測量頻率時，探頭阻抗將高于 1MΩ。當波形經過3215貼片晶振振蕩器的放大器時，可同時進行測量。(3)其他:CL包含探頭電容。應使用帶有小的內部阻抗的電表。使用微型插槽，以觀察波形。（請勿使用該探頭的長接地線。）

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