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微晶晶振,貼片晶振,CM8V-T1A晶振,2012貼片晶振

頻率：32.768KHZ

尺寸：2.0*1.2*0.35mm

體積SMD時鐘晶體諧振器,是貼片音叉晶體,千赫頻率元件,應用于時鐘模塊,智能手機,全球定位系統,因產品本身體積小,SMD編帶型,可應用于高性能自動貼片焊接,被廣泛應用到各種小巧的便攜式消費電子數碼時間產品,環保性能符合無鉛標準。

訂購熱線：0755-27837162

微晶2012晶振在瑞士、泰國建有生產中心，及遍布世界各地的代表處。我們所有的產品都得到ISO9001和ISO14001的認證，并達到RoHS，REACh等規范的要求。為世界一流的終端產品制造商提供從設計到量產的全方位支持，服務范圍涵蓋手機、計算機、汽車電子、手表、工業控制、植入式醫療及其他高可靠性產品。就原則而言，以下內容被認為是MC供應的一部分鏈，即電子制造服務（EMS）公司和原始設計制造商（ODM）包括承包勞動，設計，市場，生產和/或提供用于生產MC電子產品的貨物和服務。
瑞士大微晶晶振遵守法規和監管要求，從事環保產品的開發。環境政策，在其業務活動的所有領域，從開發、生產和銷售的壓電石英晶體元器件、壓電石英晶體、有源晶體、壓電陶瓷諧振器，集團業務政策促進普遍信任的環境管理活動。微晶晶振集團認識到進行環境管理和資源保持的責任和必要性,同時也認識到針對全球環境問題,為保持國際環境而進行各行業建設性的合作是極其重要的。過去微晶晶振集團已經針對重大污染控制項目建立了一整套記錄程序并且將繼續識別解決其自身環境污染及保持問題,加強責任感以便進行環境績效的持續改進。

微晶晶振,貼片晶振,CM8V-T1A晶振,2012貼片晶振,貼片石英晶體諧振器，又簡稱為排帶包裝，這是這產品采用排帶盤式包裝，使產品在焊接時能采用SMT自動貼片機高速的焊接，大大節約人工，提高工作效率。32.768KHZ目前SMD品種有幾款產品在智能手環中發揮最大的作用呢？以下幾款對比產品：愛普生晶振品牌FC-12M，精工晶體的品牌SC-20S，西鐵城晶振的CM-212H，日本大真空晶體品牌DST210A等以上幾款32.768K均是目前市場上最為常用的小尺寸貼片晶振，外觀尺寸2.0*1.2*0.5mm體積還不足一立米大小。
注意：在石英晶體諧振器晶體測量中各個廠家的儀器會存在一定的差距（誤差），所以應對晶振晶體測試儀器做特別管制。尤其是小公差產品。目前本公司的標準儀器在品管部。DIP 產品為 250A，SMD產品為 250B。品管部應對公司內每臺單機每個月進行一次校對。自動測試機用平移法進行測試。同時保留和記錄與不同客戶之間的誤差。在生產中用平移法解決。高精度的頻率、電阻的測量技術：引進一批先進的檢測儀器，準確度達到±1ppm（國標標準）。在測量應用上制定一套標準的測量方法保證測量的準確性、儀器的精度、測試的一致性。

微晶晶振	單位	CM8V-T1A晶振	石英晶振基本條件
標準頻率	f_nom	32.768KHz	標準頻率
儲存溫度	T_stg	-55°C~+125°C	裸存
工作溫度	T_use	-40°C~+85°C	標準溫度
激勵功率	DL	0.5μW Max.	推薦:0.5μW
頻率公差	f_— l	±20、±100× 10-6 (標準)	+25°C 對于超出標準的規格說明, 請聯系我們以便獲取相關的信息,http://www.sdws.net/
頻率溫度特征	f_tem	±100 × 10-6/-40°C~+85°C	超出標準的規格請聯系我們.
負載電容	CL	4,6,7,9,12.5PF	不同負載電容要求,請聯系我們.
串聯電阻(ESR)	R1	如下表所示	-40°C~+85°C, DL=0.5μW
頻率老化	f_age	±3× 10-6 / year Max.	+25°C,第一年

CM8V-T1A 0.3 2012

請測量使用示波器或頻率計數器石英晶振的兩個端子的信號，如果頻率不在規定范圍內，它的輸出波形的幅度是不夠的（例如超過+/-200ppm的），請按照步驟2-3步驟2-5。The formula for Capacitances versus Frequency is as following:該公式的電容與頻率是如下：微晶晶振,貼片晶振,CM8V-T1A晶振,2012貼片晶振

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該曲線代表電容變化與頻率變化（頻率pullability）變化的變化：

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如果由頻率計數器測量的頻率比目標頻率高，要增加石英晶振的電容（CL，或Cd以及C 8）的值，以降低頻率到目標頻率，反之亦然。請檢查波形幅度是否改善或沒有經過我們調整頻率。如果它的改善，這表示該電路的原始設計不是調諧到最佳共振點為晶體的情況。該晶振應正常后，石英諧振器點的調整。如果波形幅度甚至沒有提高的頻率非常接近目標頻率，我們可以通過以下三種方法改進：方法1：降低產品線路外部電容（Cd和CG）的值，并通過晶體具有較低負載電容（CL）。方法2：采用小電阻（RR）的晶體。方法3：使用鎘和CG的不等價的設計。

1. 驅動能力:驅動能力說明石英晶體振蕩器晶體單元所需電功率，其計算公式如下：驅動能力 (P) = i2?Re,其中i表示經過晶體單元的電流，Re表示晶體單元的有效電阻，而且 Re=R1（1+Co/CL）2。微晶晶振,貼片晶振,CM8V-T1A晶振,2012貼片晶振

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2.測試條件:電源電壓:超過 150µs，直到電壓級別從 0 %達到 90 % 。電源電壓阻抗低于電阻 2Ω。其他：輸入電容低于 15 pF5倍頻率范圍或更多測量頻率。鉛探頭應盡可能短。測量頻率時，探頭阻抗將高于 1MΩ。當波形經過2012mm晶振振蕩器的放大器時，可同時進行測量。其他:CL包含探頭電容。應使用帶有小的內部阻抗的電表。使用微型插槽，以觀察波形。（請勿使用該探頭的長接地線。）

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3.角色的分量與參考值:在振蕩電路的設計中，必須認識到個體的作用。組件.在表1中，以例如振蕩電路為例來描述角色。（圖1）使用一個通用的C-MOS IC（74hcuo4ap東芝）。當反饋電阻（rf）未安裝在振蕩電路中時，如圖所示表1，即使在振蕩功率作用下，無源石英晶體諧振器也不會啟動振蕩。電路。除非有適當值的電阻器連接，否則振蕩不會啟動。

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