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西鐵城晶振,石英晶振,CMR200T晶振

頻率：32.768KHz

尺寸：2.0*6.0mm

插件石英晶振最適合用于比較低端的電子產品,比如兒童玩具,普通家用電器,即使在汽車電子領域中也能使產品高可靠性的使用.并且可用于安全控制裝置的CPU時鐘信號發(fā)生源部分,好比時鐘單片機上的石英晶振,在極端嚴酷的環(huán)境條件下,晶振也能正常工作,具有穩(wěn)定的起振特性,高耐熱性,耐熱循環(huán)性和耐振性等的高可靠性能.

訂購熱線：0755-27837162

晶振技術參數點擊下載

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西鐵城晶振公司為工業(yè)市場提供高性能和精密設備,不斷開發(fā)新技術和新技術在我們的制造業(yè)和工程.我們有一個良好的信譽在市場上特別是對我們的晶振,石英晶振,有源晶振,壓控晶振等高精密零件使用我們自己的核心技術和脆性材料和微顯示高清圖片是必需的.西鐵城精密裝置發(fā)揮能力的領域是，小型精密高精度，高精度被要求的功能零部件領域。并且，通過多年建立的獨自的技術，不斷地提供高附加價值的微設備產品。西鐵城晶振,石英晶振,CMR200T晶振
西鐵城在音叉水晶表晶振動子（石英晶振）這一領域也是遙遙領先的，與日本元器件品牌愛普生晶振，日本精工晶振seiko,日本大真空KDS晶振,日本西鐵城石英晶振murata,并稱世界日產五大品牌。截止2010年底，已發(fā)展為以鐘表為主業(yè)，多種經營的集團性跨國大公司，年銷售額約三十八億美元。西鐵城自成立以來，一直在鐘表行業(yè)處于領先地位，創(chuàng)造了諸多世界第一。

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西鐵城晶振,石英晶振,CMR200T晶振.32.768K時鐘晶體具有小型,薄型,輕型的插件型晶振表面音叉型晶體諧振器,產品具有優(yōu)良的耐熱性,耐環(huán)境特性,可發(fā)揮晶振優(yōu)良的電氣特性,符合RoHS規(guī)定,滿足無鉛焊接的高溫回流溫度曲線要求,金屬外殼的封裝使得產品在封裝時能發(fā)揮比陶瓷諧振器外殼更好的耐沖擊性.
西鐵城石英晶振真空退火技術：晶振高真空退火處理是消除貼片晶振在加工過程中產生的應力及輕微表面缺陷。在PLC控制程序中輸入已設計好的溫度曲線，使真空室溫度跟隨設定曲線對晶體組件進行退火，石英晶振通過合理的真空退火技術可提高晶振主要參數的穩(wěn)定性，以及提高石英晶振的年老化特性。CMR200T32768DZFT晶振,32.768K彎角插件晶振,CMR200T晶振

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西鐵城晶振	單位	CMR200T晶振	石英晶振基本條件
標準頻率	f_nom	32.768KHz	標準頻率
儲存溫度	T_stg	-40°C~+125°C	裸存
工作溫度	T_use	-40°C~+85°C	標準溫度
激勵功率	DL	1.0μW Max.	推薦:1.0μW
頻率公差	f_— l	±20× 10^-6 (標準)	+25°C 對于超出標準的規(guī)格說明, 請聯(lián)系我們以便獲取相關的信息, http://www.sdws.net/
頻率溫度特征	f_tem	±20× 10^-6/-40°C~+85°C	超出標準的規(guī)格請聯(lián)系我們.
負載電容	CL	12.5pF	不同負載要求,請聯(lián)系我們.
串聯(lián)電阻(ESR)	R₁	如下表所示	-40°C ~ +85°C, DL =1.0μW
頻率老化	f_age	±3× 10^-6 /year Max.	+25°C,第一年

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操作
請勿用鑷子或任何堅硬的工具，夾具直接接觸32.768K彎角晶振的表面。
使用環(huán)境（溫度和濕度）
請在規(guī)定的溫度范圍內使用高精度晶振。這個溫度涉及本體的和季節(jié)變化的溫度。在高濕環(huán)境下，會由于凝露引起故障。請避免凝露的產生。西鐵城晶振,石英晶振,CMR200T晶振
激勵功率
在晶體單元上施加過多驅動力，會導致進口音叉晶振特性受到損害或破壞。電路設計必須能夠維持適當的激勵功率（請參閱“激勵功率”章節(jié)內容）。
負極電阻
除非振蕩回路中分配足夠多的負極電阻，否則振蕩或振蕩啟動時間可能會增加（請參閱“關于振蕩”章節(jié)內容）。
負載電容
振蕩電路中負載電容的不同，可能導致音叉水晶振子振蕩頻率與設計頻率之間產生偏差。試圖通過強力調整，可能只會導致不正常的振蕩。在使用之前，請指明該振動電路的負載電容（請參閱“負載電容”章節(jié)內容）。CMR200T32768DZFT晶振,32.768K彎角插件晶振,CMR200T晶振