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村田晶振,CSTCC晶振,CSTCC3M20G56-R0晶振
頻率：3.200MHZ
尺寸：7.2*3.0mm
2010年3月完成了對日本村田晶振在國內全部事業(yè)所和海外全部陶瓷晶振,陶瓷諧振器,村田陶瓷振蕩子生產據點的環(huán)保管理系統(tǒng)整合.通過所構建的國際化環(huán)保管理系統(tǒng),進一步強化了村田晶振集團的管制,能夠推進更加有效且具有更高實效性的環(huán)?；顒?而且,以往我們都以各事業(yè)所為單位進行PDCA循環(huán),從2012年起,我們把多家事業(yè)所作為一個管理單位,不斷推動著PDCA循環(huán)的衛(wèi)星化.低頻7032貼片晶振,CSTCC晶振,CSTCC3M20G56-R0晶振
根據員工的職位和業(yè)務內容實施環(huán)保教育,為了提高員工的環(huán)保意識,村田晶振對全體員工實施環(huán)保教育.并且在2012年對內部監(jiān)查員培訓講座的教學綱要進行了修改調整,引進了模擬監(jiān)查等,使教育內容更加接近于實際的監(jiān)查.此外,針對生產村田晶振,陶瓷諧振器,村田石英晶振,陶瓷振蕩器的生產操作排水排氣等對環(huán)保有影響的設備的員工,開展個別教學,使其掌握正確的檢查方法、提高運轉效率,力爭最大限度地減少環(huán)保影響.
村田晶振,CSTCC晶振,CSTCC3M20G56-R0晶振,貼片石英晶振最適合用于車載電子領域的小型表面貼片石英晶體諧振器.也可對應有高可靠性要求的引擎控制用CPU的時鐘部分簡稱為時鐘晶體振蕩器,在極端嚴酷的環(huán)境條件下也能發(fā)揮穩(wěn)定的起振特性,產品本身具有耐熱,耐振,耐撞擊等優(yōu)良的耐環(huán)境特性,滿足無鉛焊接的回流溫度曲線要求,符合AEC-Q200標準.
石英晶振的切割設計：用不同角度對晶振的石英晶棒進行切割，可獲得不同特性的石英晶片，通常我們把晶振的石英晶片對晶棒坐標軸某種方位（角度）的切割稱為石英晶片的切型。不同切型的石英晶片，因其彈性性質，壓電性質，溫度性質不同，其電特性也各異，石英晶振目前主要使用的有 AT 切、BT 切。其它切型還有 CT、DT、GT、NT 等。低頻7032貼片晶振,CSTCC晶振,CSTCC3M20G56-R0晶振
|
TXC晶振 |
單位 |
CSTCC晶振 |
石英晶振基本條件 |
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標準頻率 |
f_nom |
3.2MHZ |
標準頻率 |
|
包裝規(guī)格 |
mm |
180 |
最小訂購單位:2000 |
|
工作溫度 |
T_use |
-20°C~+80°C |
標準溫度 |
|
激勵功率 |
DL |
300μW Max. |
推薦:1~300μW |
|
頻率公差 |
f_— l |
±0.5%×10-6 (標準) |
+25°C 對于超出標準的規(guī)格說明, |
|
頻率溫度特征 |
f_tem |
±0.4%×10-6/-20°C~+70°C |
超出標準的規(guī)格請聯(lián)系我們. |
|
負載電容 |
CL |
47pF |
不同負載電容要求,請聯(lián)系我們. |
|
串聯(lián)電阻(ESR) |
R1 |
50Ω |
-20°C~ +70°C, DL = 50μW |
|
頻率老化 |
f_age |
±0.3%×10-6/ year Max. |
+25°C,第一年 |
晶振產品使用每種產品時,請在石英SMD晶振規(guī)格說明或產品目錄規(guī)定使用條件下使用。因很多種晶振產品性能,以及材料有所不同,所以使用注意事項也有所不同,比如焊接模式,運輸模式,保存模式等等,都會有所差別。村田晶振,CSTCC晶振,CSTCC3M20G56-R0晶振
機械振動的影響:當無源貼片晶振產品上存在任何給定沖擊或受到周期性機械振動時,比如：壓電揚聲器,壓電蜂鳴器,以及喇叭等,輸出頻率和幅度會受到影響。這種現(xiàn)象對通信器材通信質量有影響。盡管晶振產品設計可最小化這種機械振動的影響,我們推薦事先檢查并按照下列安裝指南進行操作。
PCB設計指導:(1) 理想情況下,機械蜂鳴器應安裝在一個獨立于進口石英晶體器件的PCB板上。如果您安裝在同一個PCB板上,最好使用余量或切割PCB。當應用于PCB板本身或PCB板體內部時,機械振動程度有所不同。建議遵照內部板體特性。(2) 在設計時請參考相應的推薦封裝。(3) 在使用焊料助焊劑時,按JIS標準(JIS C 60068-2-20/IEC 60,068-2-20).來使用。(4) 請按JIS標準(JIS Z 3282, Pb 含量 1000ppm, 0.1wt% 或更少)來使用無鉛焊料。 低頻7032貼片晶振,CSTCC晶振,CSTCC3M20G56-R0晶振
驅動能力:驅動能力說明網絡設備陶瓷晶振振蕩晶體單元所需電功率，其計算公式如下：驅動能力 (P) = i2?Re其中i表示經過晶體單元的電流，Re表示晶體單元的有效電阻，而且 Re=R1（1+Co/CL）.村田晶振,CSTCC晶振,CSTCC3M20G56-R0晶振
測試條件:(1)電源電壓:超過 150µs，直到電壓級別從 0 %達到 90 % 。電源電壓阻抗低于電阻 2Ω。(2)其他:輸入電容低于 15 pF5倍頻率范圍或更多測量頻率。鉛探頭應盡可能短。測量頻率時，探頭阻抗將高于 1MΩ。當波形經過ZTT陶瓷貼片晶振振蕩器的放大器時，可同時進行測量。(3)其他:CL包含探頭電容。應使用帶有小的內部阻抗的電表。使用微型插槽，以觀察波形。（請勿使用該探頭的長接地線）.
1.振蕩電路:晶體諧振器是無源元件，因此受到3M晶振電源電壓、環(huán)境溫度、電路的影響。配置、電路常數和襯底布線模式等操作大致分為正常運行和異常運行。因此，在振蕩電路的設計中，先決條件之一是如何確定振蕩電路。晶體諧振器的振動安全穩(wěn)定。只有在做出了這個決定之后，后續(xù)的項目，例如討論了頻率精度、頻率變化、調制度、振蕩起始時間和振蕩波形。
2.角色的分量與參考值:在7.0*3.0mm貼片晶振振蕩電路的設計中，必須認識到個體的作用。組件.在表1中，以例如振蕩電路為例來描述角色。（圖1）使用一個通用的C-MOS IC（74hcuo4ap東芝）。當反饋電阻（rf）未安裝在振蕩電路中時，如圖所示表1，即使在振蕩功率作用下，諧振器也不會啟動振蕩。電路。除非有適當值的電阻器連接，否則振蕩不會啟動。
公司名：深圳市金洛鑫電子有限公司
聯(lián)系人：茹紅青
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