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村田晶振,CSTCE晶振,CSTCE8M00G15L99-R0晶振
頻率：8MHZ
尺寸：3.2*1.3mm
自1944年創業以來，村田得到了巨大的發展，在2013年度制定的中期構想最終年度的2015年度，營業額達到了在村田的歷史上具有里程碑意義的萬億日元。在此衷心感謝廣大客戶和各利益相關方長期以來的大力支持。陶瓷晶振產品被廣泛應用到數碼電子產品,家用電器,比如電話機,游戲機等電子產品.村田公司是一家使用性能優異電子原料，設計、制造最先進的電子元器件及多功能高密度模塊的企業。不僅是手機、家電，汽車相關的應用、能源管理系統、醫療保健器材等，都有村田公司的身影。
在通信市場，由于智能手機所安裝元件的增加，以及載波聚合技術的普及，村田的元件及模塊的需求也在不斷地提高，今后，通信市場仍將成為村田的一大支柱。為此，我們將通過供應鏈管理而實現的穩定供應體制，以及范圍廣泛的產品陣容，為通信市場提供新的晶振產品價值。在通信市場，由于智能手機所安裝元件的增加，以及載波聚合技術※的普及，村田的元件及模塊的需求也在不斷地提高，今后，通信市場仍將成為村田的一大支柱。為此，我們將通過供應鏈管理而實現的穩定供應體制，以及范圍廣泛的產品陣容，為通信市場提供新的價值。8MHZ日產陶瓷晶振,CSTCE晶振,CSTCE8M00G15L99-R0晶振
村田晶振,CSTCE晶振,CSTCE8M00G15L99-R0晶振,小型表面貼片晶振型,是標準的石英晶體諧振器,適用于寬溫范圍的電子數碼產品,家電電器及MP3,MP4,播放器,單片機等領域.可對應8.000MHz以上的頻率,在電子數碼產品,以及家電相關電器領域里面發揮優良的電氣特性,滿足無鉛焊接的回流溫度曲線要求.
超小型石英貼片晶振晶片的設計：石英晶片的長寬尺寸已要求在±0.00２mm內，由于貼片晶振晶片很小導致晶體的各類寄生波(如長度伸縮振動，面切變振動)與主振動(厚度切變振動)的耦合加強，從而造成如若石英晶振晶片的長度或寬度尺寸設計不正確、使得振動強烈耦合導致石英晶振的晶片不能正常工作，從而導致產品在客戶端不能正常使用，晶振的研發及生產超小型石英晶振完成晶片的設計特別是外形尺寸的設計是首要需解決的技術問題，公司在此方面通過理論與實踐相結合，模擬出一整套此石英晶振晶片設計的計算機程序，該程序晶振的晶片外形尺寸已全面應用并取得很好的效果。8MHZ日產陶瓷晶振,CSTCE晶振,CSTCE8M00G15L99-R0晶振
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TXC晶振 |
單位 |
CSTCE晶振 |
石英晶振基本條件 |
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標準頻率 |
f_nom |
8MHZ |
標準頻率 |
|
包裝規格 |
mm |
180 |
最小訂購單位:3000 |
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工作溫度 |
T_use |
-0°C~+70°C |
標準溫度 |
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激勵功率 |
DL |
300μW Max. |
推薦:1~300μW |
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頻率公差 |
f_— l |
±0.1%×10-6 (標準) |
+25°C 對于超出標準的規格說明, |
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頻率溫度特征 |
f_tem |
±0.08%×10-6/-20°C~+70°C |
超出標準的規格請聯系我們. |
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負載電容 |
CL |
33pF |
不同負載電容要求,請聯系我們. |
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串聯電阻(ESR) |
R1 |
40Ω |
-20°C~ +70°C, DL = 50μW |
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頻率老化 |
f_age |
±0.07%×10-6/ year Max. |
+25°C,第一年 |
耐焊性:將陶瓷石英晶振加熱包裝材料至+150°C以上會破壞產品特性或損害產品。如需在+150°C以上焊接石英晶振,建議使用SMD晶振產品。在下列回流條件下,對石英晶振產品甚至SMD貼片晶振使用更高溫度,會破壞晶振特性。建議使用下列配置情況的回流條件。安裝這些貼片晶振之前,應檢查焊接溫度和時間。同時,在安裝條件更改的情況下,請再次進行檢查。如果需要焊接的晶振產品在下列配置條件下進行焊接,請聯系我們以獲取耐熱的相關信息。村田晶振,CSTCE晶振,CSTCE8M00G15L99-R0晶振
所有產品的共同點:1：抗沖擊:抗沖擊是指進口貼片晶振產品可能會在某些條件下受到損壞。例如從桌上跌落,摔打,高空拋壓或在貼裝過程中受到沖擊。如果產品已受過沖擊請勿使用。因為無論何種石英晶振,其內部晶片都是石英晶振制作而成的,高空跌落摔打都會給晶振照成不良影響。 2：輻射:將貼片晶振暴露于輻射環境會導致產品性能受到損害,因此應避免陽光長時間的照射。 3：化學制劑 / pH值環境:請勿在PH值范圍可能導致腐蝕或溶解石英晶振或包裝材料的環境下使用或儲藏這些產品。
4：粘合劑:請勿使用可能導致日產石英晶振所用的封裝材料,終端,組件,玻璃材料以及氣相沉積材料等受到腐蝕的膠粘劑。（比如,氯基膠粘劑可能腐蝕一個晶振的金屬“蓋”,從而破壞密封質量,降低性能。） 5：鹵化合物:請勿在鹵素氣體環境下使用晶振。即使少量的鹵素氣體,比如在空氣中的氯氣內或封裝所用金屬部件內,都可能產生腐蝕。同時,請勿使用任何會釋放出鹵素氣體的樹脂。6：靜電:過高的靜電可能會損壞貼片晶振,請注意抗靜電條件。請為容器和封裝材料選擇導電材料。在處理的時候,請使用電焊槍和無高電壓泄漏的測量電路,并進行接地操作。8MHZ日產陶瓷晶振,CSTCE晶振,CSTCE8M00G15L99-R0晶振
振蕩補償:除非在陶瓷貼片晶振振蕩電路中提供足夠的負極電阻，否則會增加振蕩啟動時間，或不發生振蕩。為避免該情況發生，請在電路設計時提供足夠的負極電阻。村田晶振,CSTCE晶振,CSTCE8M00G15L99-R0晶振
測試條件:(1)電源電壓:超過 150µs，直到電壓級別從 0 %達到 90 % 。電源電壓阻抗低于電阻 2Ω。(2)其他:輸入電容低于 15 pF5倍頻率范圍或更多測量頻率。鉛探頭應盡可能短。測量頻率時，探頭阻抗將高于 1MΩ。當波形經過8M晶振振蕩器的放大器時，可同時進行測量。(3)其他:CL包含探頭電容。應使用帶有小的內部阻抗的電表。使用微型插槽，以觀察波形。（請勿使用該探頭的長接地線）.
晶體諧振腔的形式模式，但泛音振蕩或基波。振蕩開始代替。在基本諧振的情況下（MHz頻段）反饋電阻通常是1米?。在泛音諧振器（兆赫頻帶）的情況下，值取決于IC和頻率特性，但在幾個范圍內。K?-?幾十K。在3213超小型壓電陶瓷諧振器的案例（kHz頻段），需要連接一個電阻10米或更?。限制流入諧振器的電流，調節負電阻和勵磁。電平，防止諧振腔的反常振蕩，抑制頻率波動。C1、C2電容器調節負電阻、勵磁電平和振蕩頻率。還設置有給定負載能力。
適當的控制電阻值（RD）取決于諧振器的類型，頻帶和設備的價值。電容器（C1，C2）。精確值是通過進口陶瓷貼片晶振測量振蕩電路的特性來確定的（包括負電阻和驅動級）。AT切割諧振器（兆赫頻帶）的參考值在幾個范圍內。?幾K?。音叉式諧振器（kHz頻段）的參考值在100 K?幾K?范圍。安裝電容器的適當值取決于諧振器的類型、頻帶、控制電阻器的值和振蕩的順序，在3 pF的范圍內- 33 pF左右，僅供參考。
公司名：深圳市金洛鑫電子有限公司
聯系人：茹紅青
手機：13510569637
電話：0755-27837162
QQ號：657116624
微信公眾號：CITIZENCRYSTAL
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JLX-PD
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