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村田晶振,插件晶振,CSTLS晶振,CSTLS4M00G53-A0晶振
頻率：4MHZ
尺寸：8.0*5.5mm
三腳陶瓷貼片晶振是指晶振內部本身有自帶負載電容的陶瓷些振器, “壓電陶瓷”, 與CR,LC電路不同,陶瓷振蕩子利用的是機械諧振而不是像壓電石英晶體一樣電諧振的方式起振.這意味著它基本上不受外部電路或電源電壓波動的影響.從而可以制作成無需調整的高度穩定的振蕩電路.作為微處理器在電路中使時鐘振蕩器的匹配最適合的元件,并且得到了廣泛應用.ZTT三腳晶振產品系列可用于振蕩電路設計,無需外部負載電容器,既獲得了高密度安裝,又降低了成本.村田無源陶瓷晶振,CSTLS晶振,CSTLS4M00G53-A0晶振
此外，我們也將把汽車、能源、醫療保健作為重點市場，并提供只有村田才能實現的價值。在新感應技術及通信技術需求不斷提高的IoT社會，村田將作為一個重要的參與者來體現其存在的價值，并不斷強化制造、技術開發及人才開發等事業基礎。村田陶瓷諧振器的發展永無止境，而在新的發展過程中“經營理念”也將始終是各項工作的基礎。我們要讓分布在世界各地的全體村田員工充分理解村田的“經營理念”，使村田永遠成為為客戶和社會而存在的企業。
村田晶振,插件晶振,CSTLS晶振,CSTLS4M00G53-A0晶振,引腳焊接型石英晶體元件.工廠倉庫長時間大量庫存常用頻點,高精度的頻率和晶振本身更低的等效串聯電阻,常用負載電容.49/S石英晶振,因插件型晶體成本更低和更高的批量生產能力,主要應用于電視,機頂盒,LCDM和游戲機家用常規電器數碼產品等的最佳選擇.符合RoHS/無鉛.
石英晶振曲率半徑加工技術：石英晶振晶片在球筒倒邊加工時應用到的加工技術，主要是研究滿足不同曲率半徑石英晶振晶片設計可使用的方法。如：1、是指球面加工曲率半徑的工藝設計（ a、球面的余弦磨量； b、球面的均勻磨量；c、球面加工曲率半徑的配合）2、在加工時球面測量標準的設計原則（曲率半徑公式的計算）。注意：在石英晶振晶體測量中各個廠家的儀器會存在一定的差距（誤差），所以應對晶振晶體測試儀器做特別管制。尤其是小公差產品。目前本公司的標準儀器在品管部。DIP 產品為 250A，SMD產品為 250B。村田無源陶瓷晶振,CSTLS晶振,CSTLS4M00G53-A0晶振
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TXC晶振 |
單位 |
CSTLS晶振 |
石英晶振基本條件 |
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標準頻率 |
f_nom |
4MHZ |
標準頻率 |
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包裝規格 |
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折疊盒裝 |
最小訂購單位:3000 |
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工作溫度 |
T_use |
-20°C~+80°C |
標準溫度 |
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激勵功率 |
DL |
300μW Max. |
推薦:1~300μW |
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頻率公差 |
f_— l |
±0.5%×10-6 (標準) |
+25°C 對于超出標準的規格說明, |
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頻率溫度特征 |
f_tem |
±0.2%×10-6/-20°C~+70°C |
超出標準的規格請聯系我們. |
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負載電容 |
CL |
15pF |
不同負載電容要求,請聯系我們. |
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串聯電阻(ESR) |
R1 |
30Ω |
-20°C~ +70°C, DL = 50μW |
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頻率老化 |
f_age |
±0.2%×10-6/ year Max. |
+25°C,第一年 |
一般來說，進口DIP晶體微處理器的振蕩電路由考畢茲電路顯示派生如下：鎘和CG是外部負載電容，其中已建成的芯片組。 （請參閱芯片組的規格）Rf為具有200KΩ?1MΩ反饋電阻。它的內置芯片一般設置。Rd為限流電阻470Ω與1KΩ?。這個阻力是沒有必要的公共電路，但僅用于具有高電源電路。村田晶振,插件晶振,CSTLS晶振,CSTLS4M00G53-A0晶振
一個穩定的振蕩電路需要的負電阻，其值應是石英插件晶振阻力的至少五倍。它可寫為|-R|>5的Rr。例如，為了獲得穩定的振蕩電路中，IC的負電阻的值必須小于？200Ω時的晶振電阻值是40Ω。負阻“的標準來評估一個振蕩電路的質量。在某些情況下，例如老化，熱變化，電壓變化，以及等等，電路可能不會產生振蕩的“Q”值是低的。因此，這是非常重要的衡量負電阻（-R）以下說明：
線路連接的電阻（R）與晶體串聯（2）從起點到振蕩的停止點調整R的值。（3）振蕩期間測量R的值。（4）你將能夠獲得負電阻的值，|•R|= R +的Rr，和RR =晶振的阻力。附：所連接的電路的雜散電容，可能會影響測定值。如果無源三腳晶振的參數是正常的，但它不工作穩步振蕩電路中，我們將不得不找出IC的電阻值是否過低驅動電路。如果是這樣的話，我們有三種方法來改善這樣的情況：降低外部電容（Cd和CG）的值，并采用其他晶振具有較低負載電容（CL）。村田無源陶瓷晶振,CSTLS晶振,CSTLS4M00G53-A0晶振
振蕩頻率測量:必須盡可能地測量安裝在三腳插件壓電陶瓷晶振電路上的諧振器的振蕩頻率的真實值，使用正確的方法。在振蕩頻率的測量中，通常使用探頭和頻率計數器。然而,我們的目標是通過限制測量工具對振蕩電路本身的影響來測量。有三種頻率測量模式，如下面的圖所示（圖）。2, 3和4）。最精確的測量方法是通過使用任何能夠精確測量的頻譜分析儀來實現的。村田晶振,插件晶振,CSTLS晶振,CSTLS4M00G53-A0晶振
接觸振蕩電路:探針不影響圖2，因為緩沖器的輸出是通過ZTT三腳插件陶瓷輸入振蕩電路的輸出來測量的。逆變器進入下一階段。探針不影響圖3，因為在IC上測量緩沖器輸出（1/1、1/2等）。圖4示出了來自ic的無緩沖器輸出接收的情況，由此通過小尺寸測量來最小化探針的效果。輸出點之間的電容（3 pF以下XTAL終端IC）和探針。然而，應該注意到，使用這種方法輸出波形較小，測量不能依賴于即使示波器能檢查振蕩波形，頻率計數器的靈敏度也可以。在這種情況下，使用放大器來測量。
驅動能力:驅動能力說明振蕩晶體單元所需電功率，其計算公式如下：驅動能力 (P) = i2?Re其中i表示經過陶瓷諧振器晶體單元的電流，Re表示晶體單元的有效電阻，而且 Re=R1（1+Co/CL）.
測試條件:(1)電源電壓:超過 150µs，直到電壓級別從 0 %達到 90 % 。電源電壓阻抗低于電阻 2Ω。(2)其他:輸入電容低于 15 pF5倍頻率范圍或更多測量頻率。鉛探頭應盡可能短。測量頻率時，探頭阻抗將高于 1MΩ。當波形經過陶瓷振蕩子振蕩器的放大器時，可同時進行測量。(3)其他:CL包含探頭電容。應使用帶有小的內部阻抗的電表。使用微型插槽，以觀察波形。（請勿使用該探頭的長接地線）.
公司名：深圳市金洛鑫電子有限公司
聯系人：茹紅青
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