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京瓷晶振,貼片晶振,CX1210SB晶振,日本貼片晶振

頻率：27120~32000KHZ

尺寸：1.2*1.0*0.35mm

貼片晶振本身體積小,超薄型石英晶體諧振器,特別適用于有目前高速發展的高端電子數碼產品,因為晶振本身小型化需求的市場領域,小型,薄型是對應陶瓷諧振器（偏差大）和普通的石英晶體諧振器（偏差小）的中間領域的一種性價比較出色的產品產品廣泛用于筆記本電腦,無線電話,衛星導航HDD, SSD, USB, Blu-ray等用途,符合無鉛焊接的高溫回流焊曲線特性

訂購熱線：0755-27837162

京瓷把“客戶第一”的原則放在首位，以確保我們提供的進口晶振產品和服務始終使人們滿意。顧客滿意要求我們對周圍的不斷變化作出快速反應。我們也努力通過有機地動員和管理資源的技術能力，京瓷集團在創造新的價值，用我們的京瓷理念，我們的阿米巴管理系統，我們通過“人類智慧的債券管理的信念。當我們一起努力，參與管理，發現工作中的滿足感和擴大我們真正的潛力，我們人類的成長。
公司由人組成。技術、產品或服務的質量取決于背后的人。我們希望通過不斷追求夢想的團隊成員，不斷地為我們的客戶提供新的價值，并積極地、始終如一地實現自我目標。京瓷的哲學京瓷集團的企業社會責任活動是基于京瓷的哲學，以作為其決策的原則“做正確的事，作為一個人類，“通過我們的京瓷理念，我們努力推進我們的企業公民，建立利益相關者相互的信任關系，為可持續增長。同時，我們也為社會的健康發展作出貢獻。推進企業社會責任（CSR）在企業公民的關鍵主題，節約貼片石英晶振能源、緩解氣候變化、防止污染的措施。

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京瓷晶振,貼片晶振,CX1210SB晶振,日本貼片晶振,貼片石英晶體,體積小,焊接可采用自動貼片系統,產品本身小型,表面貼片晶振,特別適用于有小型化要求的電子數碼產品市場領域,因產品小型,薄型優勢,耐環境特性,包括耐高溫,耐沖擊性等,在移動通信領域得到了廣泛的應用,晶振產品本身可發揮優良的電氣特性,滿足無鉛焊接的高溫回流溫度曲線要求。
石英貼片晶振的切割設計：用不同角度對晶振的石英晶棒進行切割，可獲得不同特性的石英晶片，通常我們把晶振的石英晶片對晶棒坐標軸某種方位（角度）的切割稱為石英晶片的切型。不同切型的石英晶片，因其彈性性質，壓電性質，溫度性質不同，其電特性也各異，石英晶振目前主要使用的有 AT 切、BT 切。其它切型還有 CT、DT、GT、NT 等。

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京瓷晶振	單位	CX1210SB晶振	石英晶振基本條件
標準頻率	f_nom	27120~32000KHZ	標準頻率
儲存溫度	T_stg	-40°C~+105°C	裸存
工作溫度	T_use	-30°C~+85°C	標準溫度
激勵功率	DL	10μW Max.	推薦:10μW~100μW
頻率公差	f_— l	±10× 10-6 (標準)	+25°C 對于超出標準的規格說明, 請聯系我們以便獲取相關的信息,http://www.sdws.net/
頻率溫度特征	f_tem	±15× 10-6/-30°C~+85°C	超出標準的規格請聯系我們.
負載電容	CL	8pF	不同負載電容要求,請聯系我們.
串聯電阻(ESR)	R1	如下表所示	-30°C~+85°C, DL = 100μW
頻率老化	f_age	±5× 10-6 / year Max.	+25°C,第一年

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所有產品的共同點
1：抗沖擊：抗沖擊是指無源晶振產品可能會在某些條件下受到損壞。例如從桌上跌落,摔打,高空拋壓或在貼裝過程中受到沖擊。如果產品已受過沖擊請勿使用。因為無論何種石英晶振,其內部晶片都是石英晶振制作而成的,高空跌落摔打都會給晶振照成不良影響。 2：輻射：將貼片晶振暴露于輻射環境會導致產品性能受到損害,因此應避免陽光長時間的照射。 3：化學制劑 / pH值環境：請勿在PH值范圍可能導致腐蝕或溶解石英晶振或包裝材料的環境下使用或儲藏這些產品。京瓷晶振,貼片晶振,CX1210SB晶振,日本貼片晶振
4：粘合劑：請勿使用可能導致石英晶體諧振器所用的封裝材料,終端,組件,玻璃材料以及氣相沉積材料等受到腐蝕的膠粘劑。（比如,氯基膠粘劑可能腐蝕一個晶振的金屬“蓋”,從而破壞密封質量,降低性能。） 5：鹵化合物：請勿在鹵素氣體環境下使用晶振。即使少量的鹵素氣體,比如在空氣中的氯氣內或封裝所用金屬部件內,都可能產生腐蝕。同時,請勿使用任何會釋放出鹵素氣體的樹脂。6：靜電：過高的靜電可能會損壞貼片晶振,請注意抗靜電條件。請為容器和封裝材料選擇導電材料。在處理的時候,請使用電焊槍和無高電壓泄漏的測量電路,并進行接地操作。

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1.驅動能力：驅動能力說明振蕩晶體單元所需電功率，其計算公式如下：驅動能力 (P) = i2?Re：其中i表示經過1210晶振單元的電流，Re表示晶體單元的有效電阻，而且 Re=R1（1+Co/CL）2。京瓷晶振,貼片晶振,CX1210SB晶振,日本貼片晶振

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3. 負載電容:如果振蕩電路中負載電容的不同，可能導致振蕩頻率與設計頻率之間產生偏差，如下圖所示。電路中的負載電容的近似表達式 CL≒CG × CD / （CG+CD） + CS。其中CS表示電路的雜散電容。

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2. 測試條件:(1) 電源電壓? 超過 150µs，直到電壓級別從 0 %達到 90 % 。? 電源電壓阻抗低于電阻 2Ω。(2) 其他: 輸入電容低于 15 pF 5倍頻率范圍或更多測量頻率。鉛探頭應盡可能短。測量頻率時，探頭阻抗將高于 1MΩ。當波形經過石英晶體振蕩器的放大器時，可同時進行測量。(3) 其他: CL包含探頭電容。? 應使用帶有小的內部阻抗的電表。? 使用微型插槽，以觀察波形。（請勿使用該探頭的長接地線。）