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Statek晶振,貼片晶振,CX3HGSMAT晶振,進口晶振

頻率：10~155.52MHZ

尺寸：6.68*2.46mm

貼片晶振本身體積小,超薄型石英晶體諧振器,特別適用于有目前高速發展的高端電子數碼產品,因為晶振本身小型化需求的市場領域,小型,薄型是對應陶瓷諧振器（偏差大）和普通的石英晶體諧振器（偏差?。┑闹虚g領域的一種性價比較出色的產品.產品廣泛用于筆記本電腦,無線電話,衛星導航HDD, SSD, USB, Blu-ray等用途,符合無鉛焊接的高溫回流焊曲線特性.

訂購熱線：0755-27837162

超薄型晶體諧振器,黑色6.68*2.46mm表面SMD晶振,CX3HGSMAT晶振

在Statek，我們致力于您的項目的成功。我們高度知識淵博的研究和開發團隊已經準備好幫助您在設計和開發的各個方面，在物理、化學、機械和電子工程等各種技術學科方面的專業知識。Statek在陶瓷封裝中使用玻璃或陶瓷外殼組裝石英晶體諧振器。Statek產品比機械制造的水晶產品要小得多。Statek晶體、振蕩器和傳感器的典型特征是:高穩定性和精密頻率,低長期老化,低功耗,非常小的足跡,優秀的耐沖擊性,超低調,在美國設計和制造,設計能力.超薄型晶體諧振器,黑色6.68*2.46mm表面SMD晶振,CX3HGSMAT晶振
Statek晶振集團所生產的壓電石英晶體、有源晶體,溫補晶體振蕩器（TCXO）、恒溫晶體振蕩器（OCXO）完全符合ISO14001環境管理體系國際標準的要求,體現了一個適合、三個承諾和一個框架：建造美麗家園——適合于我公司的生產活動、產品以及服務過程的性質.規模與環境影響；持續改進——持續改進環境績效和環境管理體系的承諾；減少污染,節能降耗——污染預防的承諾；依法治理——遵守現行適用的環境法律、法規和其他要求的承諾；

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Statek晶振,貼片晶振,CX3HGSMAT晶振,進口晶振,超小型表面貼片型SMD晶振,最適合使用在汽車電子領域中,也是特別要求高可靠性的引擎控制用CPU的時鐘部分.低頻晶振可從10MHz起對應,小型,超薄型具備強防焊裂性,石英晶體在極端嚴酷的環境條件下也能發揮穩定的起振特性,產品本身具有耐熱,耐振,耐撞擊等優良的耐環境特性,滿足無鉛焊接以及高溫回流溫度曲線要求,符合AEC-Q200標準.
石英晶振產品電極的設計：石英晶振產品的電極對于石英晶體元器件來講作用是1.改變頻率；2.往外界引出電極；3.改變電阻；4.抑制雜波。第1、2、3項相對簡單，第4項的設計很關鍵，電極的形狀、尺寸、厚度以及電極的種類(如金、銀等)都會導致第4項的變化。特別是隨著晶振的晶片尺寸的縮小對于晶片電極設計的形狀及尺寸和精度上都有更高的要求---公差大小、位置的一致性等對晶振產品的影響的程度增大，故對電極的設計提出了更精準的要求。超薄型晶體諧振器,黑色6.68*2.46mm表面SMD晶振,CX3HGSMAT晶振

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STATEK晶振	單位	CX3HGSMAT晶振	石英晶振基本條件
標準頻率	f_nom	10~155.52MHZ	標準頻率
儲存溫度	T_stg	-55°C~ +125°C	裸存
工作溫度	T_use	-10°C ~+125°C	標準溫度
激勵功率	DL	200~500μW Max.	推薦:200μW ～ 500μW
頻率公差	f_— l	±100 × 10-6 (標準),	+25°C 對于超出標準的規格說明, 請聯系我們以便獲取相關的信息,http://www.sdws.net/
頻率溫度特征	f_tem	±30 × 10-6/-55°C ~ +200°C	超出標準的規格請聯系我們.
負載電容	CL	10,20pF	不同負載要求,請聯系我們.
串聯電阻(ESR)	R1	如下表所示	-55°C — +200°C, DL = 100μW
頻率老化	f_age	±10× 10-6 / year Max.	+25°C,第一年

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耐焊性：將進口晶振加熱包裝材料至+150°C以上會破壞產品特性或損害產品。如需在+150°C以上焊接石英晶振,建議使用SMD晶振產品。在下列回流條件下,對石英晶振產品甚至SMD貼片晶振使用更高溫度,會破壞晶振特性。建議使用下列配置情況的回流條件。安裝這些貼片晶振之前,應檢查焊接溫度和時間。同時,在安裝條件更改的情況下,請再次進行檢查。如果需要焊接的晶振產品在下列配置條件下進行焊接,請聯系我們以獲取耐熱的相關信息。Statek晶振,貼片晶振,CX3HGSMAT晶振,進口晶振
每個封裝類型的注意事項,(1)陶瓷包裝晶振與SON產品:在焊接陶瓷封裝晶振和SON產品 (陶瓷包裝是指晶振外觀采用陶瓷制品) 之后,彎曲電路板會因機械應力而導致焊接部分剝落或封裝分裂（開裂）。尤其在焊接這些產品之后進行電路板切割時,務必確保在應力較小的位置布局晶體并采用應力更小的切割方法。
陶瓷包裝石英晶振:在一個不同擴張系數電路板（環氧玻璃）上焊接陶瓷封裝石英晶振時,在溫度長時間重復變化時可能導致端子焊接部分發生斷裂,請事先檢查焊接特性。（2）陶瓷封裝貼片晶振:在一個不同擴張系數電路板（環氧玻璃）上焊接陶瓷封裝貼片晶振時,在溫度長時間重復變化時可能導致端子焊接部分發生斷裂,請事先檢查焊接特性。超薄型晶體諧振器,黑色6.68*2.46mm表面SMD晶振,CX3HGSMAT晶振

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負載電容:如果振蕩電路中負載電容的不同，可能導致二腳陶瓷晶振振蕩頻率與設計頻率之間產生偏差，如下圖所示。電路中的負載電容的近似表達式 CL≒CG × CD / （CG+CD） + CS。其中CS表示電路的雜散電容。Statek晶振,貼片晶振,CX3HGSMAT晶振,進口晶振

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振蕩頻率測量:必須盡可能地測量安裝在陶瓷面無源貼片晶體電路上的諧振器的振蕩頻率的真實值，使用正確的方法。在振蕩頻率的測量中，通常使用探頭和頻率計數器。然而,我們的目標是通過限制測量工具對振蕩電路本身的影響來測量。有三種頻率測量模式，如下面的圖所示（圖）。2, 3和4）。最精確的測量方法是通過使用任何能夠精確測量的頻譜分析儀來實現的。
接觸振蕩電路:探針不影響圖2，因為緩沖器的輸出是通過貼片型石英晶體諧振器輸入振蕩電路的輸出來測量的。逆變器進入下一階段。探針不影響圖3，因為在IC上測量緩沖器輸出（1/1、1/2等）。圖4示出了來自ic的無緩沖器輸出接收的情況，由此通過小尺寸測量來最小化探針的效果。輸出點之間的電容（3 pF以下XTAL終端IC）和探針。然而，應該注意到，使用這種方法輸出波形較小，測量不能依賴于即使示波器能檢查振蕩波形，頻率計數器的靈敏度也可以。在這種情況下，使用放大器來測量。

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