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Statek晶振,貼片晶振,CX9VSM晶振,石英諧振器
頻率：32.768KHZ
尺寸：4.1*1.5mm
Statek晶振集團所生產的壓電石英晶體、有源晶體,溫補晶體振蕩器（TCXO）、恒溫晶體振蕩器（OCXO）完全符合ISO14001環境管理體系國際標準的要求,體現了一個適合、三個承諾和一個框架：建造美麗家園——適合于我公司的生產活動、產品以及服務過程的性質.規模與環境影響；持續改進——持續改進環境績效和環境管理體系的承諾；減少污染,節能降耗——污染預防的承諾；依法治理——遵守現行適用的環境法律、法規和其他要求的承諾；
石英晶體諧振器高精度晶片的切割技術: AT 切型晶振的晶片厚度為：t= 1670*n/ f 0,BT 切型石英晶振的晶片厚度為：t= 2560*n/ f 0,t: 晶振晶片厚度(mm) f 0 : 晶片標稱頻率(KHz) n: 泛音次數.2.6、晶振的腐蝕技術：用酸液腐蝕掉因研磨而產生的破壞層，消除晶片內應力，同時使石英晶振的晶片達到更準確的目標值。腐蝕頻率=（1000*（F/N）+（F 2 /N 2 ）*PB）*N,F：石英晶振的標稱頻率。 如 14.318180 MHz,18.432000 MHz, 20.000000 MHz.32.768千赫茲時鐘晶體,小尺寸4.1*1.5mm封裝晶振,CX9VSM晶振
|
STATEK晶振 |
單位 |
CX9VSM晶振 |
石英晶振基本條件 |
|
標準頻率 |
f_nom |
32.768KHZ |
標準頻率 |
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儲存溫度 |
T_stg |
-55°C~ +125°C |
裸存 |
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工作溫度 |
T_use |
-10°C ~+125°C |
標準溫度 |
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激勵功率 |
DL |
0.5μW Max. |
推薦:1μW ～ 100μW |
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頻率公差 |
f_— l |
±100 × 10-6 (標準), |
+25°C 對于超出標準的規格說明, |
|
頻率溫度特征 |
f_tem |
±30 × 10-6/-55°C ~ +200°C |
超出標準的規格請聯系我們. |
|
負載電容 |
CL |
9pF |
不同負載要求,請聯系我們. |
|
串聯電阻(ESR) |
R1 |
如下表所示 |
-55°C — +200°C, DL = 100μW |
|
頻率老化 |
f_age |
±3× 10-6 / year Max. |
+25°C,第一年 |
一個穩定的振蕩電路需要的負電阻，其值應是音叉貼片晶振阻力的至少五倍。它可寫為|-R|>5的Rr。例如，為了獲得穩定的振蕩電路中，IC的負電阻的值必須小于？200Ω時的晶振電阻值是40Ω。負阻“的標準來評估一個振蕩電路的質量。在某些情況下，例如老化，熱變化，電壓變化，以及等等，電路可能不會產生振蕩的“Q”值是低的。因此，這是非常重要的衡量負電阻（-R）以下說明：32.768千赫茲時鐘晶體,小尺寸4.1*1.5mm封裝晶振,CX9VSM晶振
振蕩頻率測量:必須盡可能地測量安裝在電路上的諧振器的振蕩頻率的真實值，使用4115貼片晶振正確的方法。在振蕩頻率的測量中，通常使用探頭和頻率計數器。然而,我們的目標是通過限制測量工具對振蕩電路本身的影響來測量。有三種頻率測量模式，如下面的圖所示（圖）。2, 3和4）。最精確的測量方法是通過使用任何能夠精確測量的頻譜分析儀來實現的。Statek晶振,貼片晶振,CX9VSM晶振,石英諧振器
接觸振蕩電路:探針不影響圖2，因為緩沖器的輸出是通過32.768K無源晶振輸入振蕩電路的輸出來測量的。逆變器進入下一階段。探針不影響圖3，因為在IC上測量緩沖器輸出（1/1、1/2等）。圖4示出了來自ic的無緩沖器輸出接收的情況，由此通過小尺寸測量來最小化探針的效果。輸出點之間的電容（3 pF以下XTAL終端IC）和探針。然而，應該注意到，使用這種方法輸出波形較小，測量不能依賴于即使示波器能檢查振蕩波形，頻率計數器的靈敏度也可以。在這種情況下，使用放大器來測量。
振蕩補償:除非在32.768K無源貼片晶振振蕩電路中提供足夠的負極電阻，否則會增加振蕩啟動時間，或不發生振蕩。為避免該情況發生，請在電路設計時提供足夠的負極電阻。
測試條件(1)電源電壓:超過 150µs，直到電壓級別從 0 %達到 90 % 。電源電壓阻抗低于電阻 2Ω。(2)其他:輸入電容低于 15 pF5倍頻率范圍或更多測量頻率。鉛探頭應盡可能短。測量頻率時，探頭阻抗將高于 1MΩ。當波形經過4115石英晶振振蕩器的放大器時，可同時進行測量。(3)其他:CL包含探頭電容。應使用帶有小的內部阻抗的電表。使用微型插槽，以觀察波形。（請勿使用該探頭的長接地線）.
公司名：深圳市金洛鑫電子有限公司
聯系人：茹紅青
手機：13510569637
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QQ號：657116624
微信公眾號：CITIZENCRYSTAL
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