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溫補晶振,貼片晶振,DSB321SCB晶振

頻率：9.600MHz~52.000MHz

尺寸：3.2*2.5*0.9mm

貼片式溫補振蕩器,低電壓啟動功率,并且有多種電壓供選擇,比如有1.8V,2.5V,3.3V,3.8V,5V等,產品被廣泛應用于,平板筆記本,GPS系統,光纖通道,千兆以太網,串行ATA,串行連接SCSI,PCI-Express的SDH/SONET發射基站等領域.符合RoHS/無鉛.

訂購熱線：0755-27837162

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日本大真空株式會社,于1993年被天津政府對外資招商部特別邀請在中國天津投資.日本大真空在當年5月份,就在天津市位于武清開發區確定投資建廠,當時總額1.4億美元,注冊資本4867.3萬美元,占地面積67.5畝.節省勞動力,自動化生產設施的優勢,以滿足交貨時間和需求是你選擇KDS品牌最佳的或者伙伴.進口3225有源晶體振蕩器,小型溫補晶體振蕩器,DSB321SCB晶振

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溫補晶振,貼片晶振,DSB321SCB晶振,3.2*2.5mm是市場上較為常用的晶振體積,TCXO晶振本身的優越性能加上3225的尺寸,使這款溫補晶體振蕩器具有多用途特性,每年為KDS株式會社帶來上億的產值,即使是在更小的2016mm和2520mm溫補晶振面前也毫不遜色.

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溫補晶振	標示	DSB321SCB晶振	晶振基本信息對照表
標準范圍	f0	9.600MHz～52.000MHz
電源電圧	Vcc	＋1.8V,＋2.6V,＋2.8V,＋3.0V,＋3.3V
輸出電流	Icc	3.5 mA max.	Vcc=3.3V
頻率負載	L_CMOS	15pF	CMOS 出力
標準頻率偏差	f_tol	±1.5ppm	初期偏差、周波數溫度特性、電源、負荷変動特性、経時変化(1年、＋25℃時)
輸出電壓	V	VOH:Vcc×90% min.VOL:Vcc×10% max.
對稱	SYM	40%～60%	50% Vcc
標準時間	tr/tf	12 ns max.(1.8～80MHz)	10%Vcc～90%、L_CMOS=15pF

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DSA321SCL DSB321SCL DSB321SCB

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抗沖擊
晶體產品可能會在某些條件下受到損壞。例如有源晶振從桌上跌落或在貼裝過程中受到沖擊。如果產品已受過沖擊請勿使用。溫補晶振,貼片晶振,DSB321SCB晶振
輻射
暴露于輻射環境會導致產品性能受到損害，因此應避免照射。
化學制劑 / pH值環境
請勿在PH值范圍可能導致腐蝕或溶解進口晶體振蕩器或包裝材料的環境下使用或儲藏這些產品。
粘合劑
請勿使用可能導致產品所用的封裝材料，終端，組件，玻璃材料以及氣相沉積材料等受到腐蝕的膠粘劑。（比如，氯基膠粘劑可能腐蝕一個晶體單元的金屬“蓋”，從而破壞密封質量，降低性能。）
鹵化合物
請勿在鹵素氣體環境下使用溫度補償晶體振蕩器。即使少量的鹵素氣體，比如在空氣中的氯氣內或封裝所用金屬部件內，都可能產生腐蝕。同時，請勿使用任何會釋放出鹵素氣體的樹脂。進口3225有源晶體振蕩器,小型溫補晶體振蕩器,DSB321SCB晶振

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輸出波形與測試電路
1.時序表

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2.測試條件
(1)電源電壓
超過 150µs，直到電壓級別從 0 %達到 90 % 。
電源電壓阻抗低于電阻 2Ω。溫補晶振,貼片晶振,DSB321SCB晶振
(2)其他
輸入電容低于 15 pF
5倍頻率范圍或更多測量頻率。
鉛探頭應盡可能短。
測量頻率時，探頭阻抗將高于 1MΩ。當波形經過振蕩器的放大器時，可同時進行測量。進口3225有源晶體振蕩器,小型溫補晶體振蕩器,DSB321SCB晶振
(3)其他
CL包含探頭電容。
應使用帶有小的內部阻抗的電表。
使用微型插槽，以觀察波形。
（請勿使用該探頭的長接地線。）