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溫補(bǔ)晶振,有源晶振,DSB535SC晶振

頻率：10.000MHz~30.000MHz

尺寸：5.0*3.2*1.35mm

KDS溫補(bǔ)晶振超小型,輕型.低消耗電流,表面貼片型產(chǎn)品.（可對(duì)應(yīng)回流焊）無(wú)鉛產(chǎn)品.滿足無(wú)鉛焊接的高溫回流溫度曲線要求,帶有AFC（頻率控制）功能,Enable/Disable功能,產(chǎn)品本身可根據(jù)使用需要進(jìn)行選擇.

訂購(gòu)熱線：0755-27837162

晶振技術(shù)參數(shù)點(diǎn)擊下載

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KDS石英晶振以優(yōu)良的產(chǎn)品迅速占領(lǐng)了中國(guó)市場(chǎng),KDS品牌以在國(guó)內(nèi)電子元件中深入民心,KDS晶振以專業(yè)化系統(tǒng)在全國(guó)各地的工廠生產(chǎn).KDS以高超的生產(chǎn)技術(shù),一流的生產(chǎn)設(shè)備,KDS產(chǎn)品在業(yè)界屬于高端產(chǎn)品,其應(yīng)用偏向中高端市場(chǎng). 接縫密封石英晶體振蕩器,精度高,覆蓋頻率范圍寬的特點(diǎn),SMD高速自動(dòng)安裝和高溫回流焊設(shè)計(jì),Optionable待機(jī)輸出三態(tài)輸出功能.DSB535SC晶振,5032mmTCXO振蕩器,進(jìn)口溫度補(bǔ)償晶體振蕩器

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溫補(bǔ)晶振,有源晶振,DSB535SC晶振,是日本大真空株式會(huì)社TCXO系列產(chǎn)品中體積最大的一款,尺寸是5.0*3.2*1.35mm,晶振頻率從10M~30M之間可供選擇,最大的電源電壓不超過(guò)3.3V,真正的節(jié)流省電實(shí)現(xiàn)低相噪,低電壓,低功耗等優(yōu)良電氣特性.

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溫補(bǔ)晶振	標(biāo)示	DSB535SC晶振	晶振基本信息對(duì)照表
標(biāo)準(zhǔn)范圍	f0	10.000MHz～30.000MHz
電源電圧	Vcc	＋2.6V,＋2.8V,＋3.0V,＋3.3V
輸出電流	Icc	3.5 mA max.	Vcc=3.3V
頻率負(fù)載	L_CMOS	15pF	CMOS 出力
標(biāo)準(zhǔn)頻率偏差	f_tol	±1.5ppm	初期偏差、周波數(shù)溫度特性、電源、負(fù)荷変動(dòng)特性、経時(shí)変化(1年、＋25℃時(shí))
輸出電壓	V	VOH:Vcc×90% min.VOL:Vcc×10% max.
對(duì)稱	SYM	40%～60%	50% Vcc
標(biāo)準(zhǔn)時(shí)間	tr/tf	12 ns max.(1.8～80MHz)	10%Vcc～90%、L_CMOS=15pF

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5032tcxo

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噪音
在電源或輸入端上施加執(zhí)行級(jí)別(過(guò)高)的不相干(外部的)噪音，可能導(dǎo)致會(huì)引發(fā)功能失常或擊穿的閉門或雜散現(xiàn)象。溫補(bǔ)晶振,有源晶振,DSB535SC晶振
電源線路
電源的線路阻抗應(yīng)盡可能低。
輸出負(fù)載
建議將輸出負(fù)載安裝在盡可能靠近振蕩器的地方（在20 mm范圍之間）。
未用輸入終端的處理
未用針腳可能會(huì)引起噪聲響應(yīng)，從而導(dǎo)致非正常工作。同時(shí)，當(dāng)P通道和N通道都處于打開時(shí)，電源功率消耗也會(huì)增加；因此，請(qǐng)將未用輸入終端連接到VCC 或GND。
熱影響
重復(fù)的溫度巨大變化可能會(huì)降低受損害的晶體單元的產(chǎn)品特性，并導(dǎo)致塑料封裝里的線路擊穿。必須避免這種情況。
安裝方向
振蕩器的不正確安裝會(huì)導(dǎo)致故障以及崩潰，因此安裝時(shí)，請(qǐng)檢查安裝方向是否正確。
通電
不建議從中間電位和/或極快速通電，否則會(huì)導(dǎo)致無(wú)法產(chǎn)生振蕩和/或非正常工作。DSB535SC晶振,5032mmTCXO振蕩器,進(jìn)口溫度補(bǔ)償晶體振蕩器

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設(shè)計(jì)振蕩回路的注意事項(xiàng)

1.驅(qū)動(dòng)能力

驅(qū)動(dòng)能力說(shuō)明振蕩晶體單元所需電功率，其計(jì)算公式如下：
驅(qū)動(dòng)能力 (P) = i2 Re
其中i表示經(jīng)過(guò)晶體單元的電流，
Re表示晶體單元的有效電阻，而且 Re=R1（1+Co/CL）2。溫補(bǔ)晶振,有源晶振,DSB535SC晶振

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2.振蕩補(bǔ)償
除非在振蕩電路中提供足夠的負(fù)極電阻，否則會(huì)增加振蕩啟動(dòng)時(shí)間，或不發(fā)生振蕩。為避免該情況發(fā)生，請(qǐng)?jiān)陔娐吩O(shè)計(jì)時(shí)提供足夠的負(fù)極電阻。

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3.負(fù)載電容
如果振蕩電路中負(fù)載電容的不同，可能導(dǎo)致振蕩頻率與設(shè)計(jì)頻率之間產(chǎn)生偏差，如下圖所示。電路中的負(fù)載電容的近似表達(dá)式 CL≒CG × CD / （CG+CD） + CS。DSB535SC晶振,5032mmTCXO振蕩器,進(jìn)口溫度補(bǔ)償晶體振蕩器

其中CS表示電路的雜散電容。

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